マイクロエレクトロニクスは、主に設計・開発パワー半導体デバイスの、チップ製造、包装、検査、販売及びその他の業務に従事され、同社は生産技術を開発し、研究開発の戦略に準拠し、予備の組み合わせは、ハイエンドの技術とパワー半導体デバイスの応用分野を拡大し続けました。
報告期間中、中国のマイクロエレクトロニクスは、スーパージャンクションMOS、SGTMOS、IGBT、SCRおよびトレンチSBD 5つの主要な技術プラットフォームの構築を推進していき、建設プロセスプラットフォームをスピードアップ。FS-トレンチIGBT、FRDなどの高電力デバイスの中国・マイクロエレクトロニクスの生産を情報家電の分野では、周波数家電、充電山は大量販売を達成した。同社は、軍事市場MOSFET抗放射線製品の要件に沿って開発している、製品の性能が顧客によって認定されています。常に高電圧MOS、SBDの製品の性能を最適化正常DELL、ダイオードシステムや他の大規模な顧客に入りました。
現時点では、中国が台頭で、国内の電力機器産業技術レベル、および新エネルギー自動車産業の発展、ハイエンド製造業の台頭、パワー半導体の状態市民軍の統合戦略の実装と深化に伴い、世界最大のパワー半導体デバイス市場となっていますハイエンド市場での拡大率「中国製」と国家安全保障が加速している、中国のパワー半導体会社は珍しい発展機会を迎えました。
マイクロエレクトロニクスは、国内の電力用半導体市場は回復を続けて会社がIDMの一つとして設計し、パワー半導体デバイスの開発、チップ製造、パッケージング、テストを設定すると、需要速度は徐々に独自の製品設計、工程設計、生産を十分に発揮する、加速と言いました統合された利点の操作と製品開発と構造調整のスピード、プロジェクトの責任システム、技術マーケティングと他の戦略をスピードアップし、会社の持続的かつ着実な発展を達成する。