倍思是一家技术创新型公司, 其最新的无线充电器, 采用了微硕高性能MOSFET. 今年苹果iPhone 8的发布, 正式把无线充电推向风口.
无线充电在过去只有很少部分的手机才支持, 今年苹果3款新机全部支持无线充电, 可见苹果对无线充电普及的决心.
我们都知道苹果的iPhone手机出货量是很大的, 并且国产厂商还会跟进在手机上支持无线充电接收, 这对整个无线充电行业的市场是一个非常大的利好.
通过充电头网的拆解了解到, Baseus倍思最新无线充电器采用微硕高性能MOS. 这款无线充电板是由4颗MOSFET组成一个H桥驱动器, 由无线充电器内部的控制器控制, 驱动4颗MOSFET改变发射线圈中的电流方向从而产生电磁波, 手机接收端接受电磁波进行无线充电.
这也就是说, 每一个无线充电器, 即使只有一个线圈, 也需要4颗MOSFET来驱动, 多个线圈就需要更多的MOSFET来驱动.
微硕WSP4884在传统SO8封装中集成了两个MOS, 只需两颗微硕WSP4884即可组成完整的线圈驱动, 这样可以在严苛的占板面积下提供尽可能高的功率密度, 应对现在无线充电器越做越轻薄的要求. 同时微硕WSP4884采用先进的高密度技术, 提供同类产品中相对小的Ciss和RDSON.
