!UFSリリースUFS 3.0倍以上2.1パフォーマンス:2.9ギガバイト/秒

1月31日朝のニュースは、ソリッドステート技術協会は、ユニバーサルフラッシュストレージ(UFS&UFSHCI、ユニバーサルフラッシュストレージ)V3.0規格(JESD220D、JESD223D)をリリースし、UFS v1.1の標準メモリカード(JESD220-2A)。

簡単に言えば、UFS 3.0仕様では、HS-G4、11.6Gbpsまでの単一チャネル帯域幅、二回HS-G3(UFS 2.1)の性能を紹介します。

UFSの最大の利点はデュアルチャネル双方向の読み書きであるため、インタフェース帯域幅は最大23.2Gbpsで、2.9GB /秒です。

配線層の設計、プロトコル仕様MIPI(モバイル・インダストリー・プロセッサ・インタフェース)の遵守、トランスポート層MIPI UniProSMをV1.8に基づいてMIPI M-PHYのV4.1、に基づいて前記物理層。

他の態様では、UFS 3.0増加支持パーティション(UFS 2.1 8)、誤り訂正能力、電圧2.5Vは、最新のNANDフラッシュフラッシュメディアをサポートする。例えば自動車の自動操縦装置、105マイナス40度摂氏温度の動作温度として指向の産業摂氏。

UFSHCI v3.0の仕様としては、マスタ参照のメーカーは、設計パスを簡素化するために。

最高速度は、1.5ギガバイト/秒に格納されるように、メモリカードのUFS V1.1として、互換性は、すべてのHS-Gear1 / 2/3のために達成されます。

また、サムスンはそれが原因小龍845、Exynos 9810に2018年の第1四半期のUFS 3.0インターフェースを開始製品を起動すると発表したので、UFS 3.0インターフェースをサポートする証拠はない、ギャラクシーS9端末または単にマスター、フラッシュに対応しますこのような部品、一時的に不明。

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