Samsung Electronics официально выпустила новый Z-SSD, о котором уже много лет говорят. Первая модель продукта «SZ985» - это самое современное хранилище для суперкомпьютеров и анализа ИИ.
Вскоре Samsung анонсировала собственную флеш-память Z-NAND и твердотельные накопители Z-SSD, претендующие на превышение пределов существующих флэш-памяти NAND с более высокими скоростями и меньшей задержкой.
Intel с гордостью Proton находится между памятью DRAM, флэш-памятью NAND между энергонезависимой памятью, Samsung Z-NAND также несколько похожа, но конкретная архитектура и технические детали не были раскрыты, и теперь выпуск продукта по-прежнему рассеян.
Только начальная емкость ZZ-SSD SZ985 240 ГБ, 800 ГБ , И первоначально анонсированный 1/2 / 4TB намного отстает, он должен следить за последующим наблюдением, в то же время иметь до Кэш LPDDR4 1,5 ГБ , Подразумевая большое количество избыточности или поиск способа использования кэшей большой емкости.
Производительность не опубликована слишком всеобъемлющей, просто подчеркнул Производительность случайного чтения до 750 000 IOPS, значительно выше, чем Intel Optane SSD P4800X 55 миллионов IOPS, но случайная запись только 170 000 IOPS, на 77% медленнее, чем у противника, по-видимому, еще большая проблема не может быть преодолена.
Несмотря на это, SZ985 по-прежнему отвечает потребностям приложений с интенсивной записью, Поддерживает до 30 ежедневных записей в день на срок до пяти лет (продолжительность записи 800P на 42PB), Сравнимый с Intel Optane.
Кроме того, SZ985 Задержка записи составляет 16 микросекунд , Но задержка чтения не объявлена.
Samsung также сказал: Производительность чтения ячеек Z-NAND, чем его флэш-память 3D TLC в 10 раз выше.
Мастер не ясен, посмотрите на официальную карту, также должен быть Самсунг.
Samsung не выпускал SZ985 время выхода на рынок и цену, но стоит отметить, что Samsung анонсировала второе поколение Z-NAND в прошлом году, но технология первого поколения все еще используется здесь.
