Os SCD SSDs são raros no mercado hoje, com cada vez menos MLCs, e a TLC tornou-se o mainstream absoluto do mercado.
15 de janeiro, autor TheReg, Falou sobre o futuro da memória flash QLC e a relação entre 3D NAND , Ainda muito interessante.
Como o nome indica, QLC é 4bits Cell, que armazena sinais de maior densidade. Na verdade, já em 2009, a SanDisk (SanDisk) tentou usar o processo de 43nm de fabricação de memória flash QLC, mas devido à taxa de erro surpreendentemente alta, teve que desistir.
A taxa de erro é uma memória flash flash inevitável da montanha, a abordagem usual é adicionar a tecnologia de verificação de controle mestre ECC, que é inserida no bit de paridade do bit de dados.
Aqui você entende que quanto menos os bits de dados, menor será a taxa de erro, portanto, do armazenamento, o SLC deve ser o mais usado, seguido do MLC, QLC ......
Ao mesmo tempo, o mesmo é verdadeiro para o processo, quanto mais avançado o processo, mais o bit de verificação ECC será, e quanto mais difícil será a correção de erros.
SanDisk, pelo que a taxa de erro incorreta é porque a NAND 3D não se desenvolveu neste momento, com base no plano de processo 43nm 2D para fazer a calibração, aos dados para obter uma certa precisão, ou a capacidade é pequena ou inacabada Tamanho enorme
Com a maturidade da 3D NAND, o futuro da TLC e até mesmo QLC de repente de repente abriu. Por causa das vantagens da estrutura 3D, um círculo em torno do portão flutuante como um canal de pilar, um aumento de 3 vezes a área, Assim, 30nm fizeram um efeito de 90nm, a correção de erros reduziu bastante a dificuldade.
Como mostrado, Também no nível de 15nm, o flash MLC requer apenas 50 bits de paridade ECC, enquanto a TLC requer até 75.
Na era do 3D QLC flash, 20 bits de paridade ECC são mais do que suficientes.
De acordo com Jim Handy, um especialista em análise objetiva, Ele disse que a memória flash do PLC (5bits / Cell) é inevitável, porque um dos fatos mais óbvios é que o SST original de 1TB QLC imediatamente aumentou para 1.25TB, então 1 yuan 1GB será possível.
