एसएलसी SSDs आज बाजार में दुर्लभ हैं, कम और कम एमएलसी के साथ, और टीएलसी बाजार की पूर्ण मुख्यधारा बन गया है।
15 जनवरी, द लेख लेखक, क्यूएलसी फ्लैश मेमोरी के भविष्य और 3 डी नंद के बीच संबंध के बारे में बात की , फिर भी बहुत दिलचस्प
जैसा कि नाम से पता चलता है, QLC 4bits सेल है, जो उच्च घनत्व संकेतों को संग्रहित करता है। वास्तव में, 200 9 के शुरू से ही, SanDisk (SanDisk) 43nm प्रक्रिया QLC फ्लैश मेमोरी विनिर्माण का उपयोग करने की कोशिश की, लेकिन असामान्य रूप से उच्च त्रुटि दर के कारण, को छोड़ देना पड़ा।
त्रुटि दर पर्वत की एक अपरिहार्य फ्लैश फ्लैश मेमोरी है, सामान्य दृष्टिकोण ईसीसी मास्टर कंट्रोल चेक टेक्नोलॉजी को जोड़ना है, जिसे डेटा बिट समता बिट में डाला जाता है।
यहां आप समझते हैं कि डेटा की बिट्स कम, त्रुटि दर कम है, इसलिए भंडारण से, एसएलसी सबसे ज्यादा इस्तेमाल होने वाला है, इसके बाद एमएलसी, क्यूएलसी ......
इसी समय, प्रक्रिया के रूप में अच्छी तरह से। और अधिक उन्नत प्रक्रिया, ईसीसी की जांच बिट्स में वृद्धि होगी, उच्च सुधार मुश्किल।
SanDisk कारण गलत त्रुटि दर क्यों है क्योंकि 43nm प्रक्रिया 2 डी विमान के अंशांकन के आधार पर, इस समय 3 डी नंद विकसित नहीं हुई है, डेटा को सटीकता हासिल करने के लिए, या क्षमता छोटा या अधूरा है विशाल आकार
नन्द 3 डी की परिपक्वता के साथ, टीएलसी QLC भविष्य भी अचानक स्पष्ट, हो जाते हैं। के बाद से 3 डी संरचना के फायदे के अवतार, फ्लोटिंग गेट एक स्तंभ वाहिनी चारों ओर एक घेरे में बनाई है 3 गुना क्षेत्र में वृद्धि तो 30 एनएम ने एक 90 एनएम प्रभाव बना दिया, त्रुटि सुधार ने कठिनाई को कम कर दिया।
जैसा कि दिखाया गया है, एक ही स्तर 15nm, एमएलसी फ्लैश मेमोरी केवल 50 ईसीसी की जांच बिट्स की आवश्यकता है, और टीएलसी के रूप में कई के रूप में 75 की आवश्यकता होगी।
3 डी QLC फ़्लैश युग में उपलब्ध है, 20 ईसीसी की जांच बिट्स पर्याप्त से अधिक कर रहे हैं।
उद्देश्य विश्लेषण के साथ एक विशेषज्ञ, जिम हैडी के अनुसार, उन्होंने कहा कि पीएलसी फ्लैश मेमोरी (5 बीट्स / सेल) अनिवार्य है, क्योंकि सबसे स्पष्ट तथ्य यह है कि मूल 1 टीबी क्यूएलसी एसएसडी तुरंत 1 9 5 टीबी तक बढ़ा है, फिर 1 युआन 1 जीबी संभव होगा.
