작년 3 분기 이후, 서버 DRAM은 북미 데이터 센터로 새로운 제품을 개척, 본질적으로 인해 용량 계획에 대한 보수적 인 DRAM 제조업체로, 올해 상반기에 찾고. 예상보다 더 스타킹, 전반적인 증가를 자극하기 위해 케이스와 공급 부족을 구축했다 시간이 상반기에 공급이 제한의 결과로, 하반기로 연기되며, 전체 시장 공급은 올해 상반기가 서버 DRAM 가격 패턴이 계속 예상된다 적어도에, 여전히 꽉입니다.
뷰의 현재 제공에서 서버 DRAM은 DDR4 32 기가 바이트 RDIMM 가격 외부 장기 (장기 계약) 계약을 협상하고있다 제공하는 고객뿐만 아니라, 두 번째 계층 파운드리 서버가 $ 31마르크에 잠 깁니다, $ (300) 수준에서 계약을 전환 한 지난해 4 분기에 비해 평균 증가는 시즌 3-5 %로 유지합니다.
크게 앞서 1X 나노 미터 제조 공정, 삼성의 생산성에 서버 DRAM 턴
SK 하이닉스와 마이크론 캠프도 18 및 17 나노 미터 제조 공정에 요금을 인용, 따라서 자신의 고용량 서버를 강화하는 동안 공장 서버 DRAM 출력 과정을 관찰, 삼성의 초점은 올해 18 나노 미터 테이프 아웃의 증가를 가속화 모듈의 비율.
경쟁 우위에서 제조 공정의 선두 주자 인 삼성 전자는 올해 1/4 분기에 18 나노 급으로 급격히 바뀔 것이며, 18 나노 공정은 다른 DRAM 공급 업체보다 훨씬 앞선 생산 능력의 절반 이상을 차지할 전망이다. 그러나 SK 하이닉스와 마이크론은 생산량이 늘어남에 따라 용량을 효율적으로 할당 할 수있을 것으로 예상되며 올 연말까지 나노 기술의 1 배가 양사의 총 생산 능력의 30 %를 차지할 것으로 예상된다.
또한, 대부분의 서버 제조 업체는 점차적으로 원래의 DRAM 고급 프로세스의 샘플을 확인하기 시작했습니다, DRAMeXchange는 17과 18 nm의 과정으로 생산의 규모보다 더 될 것입니다 2 분기를 예상하고 17/18 전에 4 분기를 기대하고 있습니다 나노 공정 제품 보급률은 거의 4 % 수준에 이르렀다. 32GB DDR4 2666Mhz RDIMM 투자율과 같은 서버에 사용되는 대용량 모듈이 증가 할 것으로 예상된다.