DIGITIMES报道指出, 英特尔在2012年开始陆续退出新加坡厂的股份, 并降低对IM Flash合资厂的持股, 英特尔更开始扩张大陆市场, 将大连厂改装成3D NAND工厂, 埋下英特尔与美光在3D NAND布局各奔前程的伏笔. 观察近些年英特尔在NAND Flash的策略, 早已步步疏离美光, 双方正式宣告离异, 业界并不惊讶. DIGITIMES称, 紫光集团与英特尔一直有意扩大合作, 传出有延伸至存储器产业的迹象, 业界推测英特尔与美光 '分手' 的原因之一, 可看作英特尔大连3D NAND厂与紫光集团展开合作所做的前期布局.
至于两家公司分道扬镳的理由, 此前有业界人士分析, 在NAND堆叠层数破百后, 需要调整String Stacking的堆叠方式, 因为双方对此看法不同, 因而分手. 另外一种可能是, 目前3D NAND的生产主流是电荷储存式 (Charge trap) , 三星电子等厂商均采用这一方式, 英特尔/美光是唯一采用浮闸 (floating gate) 架构的厂商. 也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构, 但这相当于承认失败, 表明从2D NAND转换成3D NAND后, 选用浮闸是一个错误决定, 因而闹翻.
据DIGITIMES援引NAND Flash产业人士分析, 若英特尔与紫光集团合体进攻3D NAND市场, 这将会是三星, 东芝(Toshiba)等大厂最怕见到的情况, 因为一旦大陆势力介入现在六强鼎立的3D NAND市场生态, 恐让市场供需更快速失衡, 陷入供过于求. 站在英特尔角度, 若英特尔引入紫光势力, 不但可以给三星, 东芝等阵营下马威, 更可以有条件换取大陆更好的发展空间, 这一招联陆抗日韩来说是非常不错的战术.
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)也发表文章认为, 美光与英特尔未来在独立开发NAND Flash技术后, 也不排除寻求如中国厂商等其他厂商合作的可能性, 以增加其市场影响力.
据集微网掌握的消息分析, 这一事件应该与紫光集团的关系不大.
据悉, 在3D NAND制程方面, 英特尔和美光已进入第二代产品可堆叠64层, 目前正在研发第三代产品, 预料将可实现96层的堆叠技术, 有望在2018年底, 2019年初问世. 未来, 两家公司还会继续共同研发 3D XPoint 存储器, 此一技术被誉为打破摩尔定律的革命技术.
英特尔强调, 双方都认为, 独立之后, 将能抽出更多精力优化自身产品, 服务客户, 且不会对路线图和技术节点造成影响. DRAMeXchange也表示, 由于96层3D NAND直到2019年才逐渐成为主流, 分析美光与英特尔拆分结盟的决议要到2020年后才会影响双方产品的规划与结构.