Corea del Instituto de Ciencia y Tecnología anunció que la Universidad Estados Yonsei hospital de mezcla-dimensional espacio utilizando el bidimensional de tungsteno diseleniuro nanómetros solo chip y nanocables de óxido de zinc estructura de capa de óxido semiconductor unidimensional desarrollado puede ser percibido desde la ultravioleta a la cerca dispositivo de luz fotodiodo de infrarrojos.
Los resultados se publican en la revista académica internacional "Advanced Functional Materials" (Materiales Avanzados Funcionales).
dispositivos semiconductores-Low dimensional espacio nanómetros tienen aplicaciones potenciales en una amplia gama de semiconductores de próxima generación, áreas de enfoque de R & D. Two dimensional-grupo de investigación célula utiliza tiene un fuerte rendimiento en respuesta a la luz, las características de alta movilidad de los agujeros, los elementos semiconductores de tipo P.
Los nanocables de óxido de zinc unidimensionales son uno de los mejores nano-semiconductores unidimensionales con alta movilidad de electrones y se espera que se utilicen en dispositivos semiconductores de alto rendimiento tipo N. Después de una mezcla unidimensional bidimensional, un espacio de dimensiones mixtas Estructura de doble capa (tipo PN), desarrolló componentes de fotodiodo.
El equipo de investigación dijo que el estudio logró una imagen bidimensional, se espera que el futuro sea ampliamente utilizado en una nueva generación de componentes de sensores de imagen.
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