近日, 东芝在CES 2018上展示了RC100 NVMe固态硬盘, 最大的亮点在于RC100采用无DRAM (缓存) 设计.
早在此前就有部分厂商处于成本考虑推出了一些无缓存固态硬盘, 但基本都是采用SATA接口且读写速度一般在500MB/s左右.
同样作为无缓存设计的RC100固态硬盘走的却是PCIe 3.0 x2通道, 连续读写速度可达1620 MB/s (读取) , 1130 MB/s (写入) .
据官方介绍, RC100固态硬盘采用的是主控内集成缓存 (HBM) 设计, 随机读写IOPS分别高达160/120k.
目前RC100固态硬盘拥有120/240/480GB三种容量可选, 提供3年保修服务, 价格及具体发售日期暂未公布.
