DRAMeXchange apontou que o Toshiba Fab 7 é diferente da planta anterior concentrada em Yokkaichi, o site mudou para Iwate Prefecture North City, a planta no horário de produção de volume cairá no segundo semestre de 2019, a principal produção de mais de 96 camadas de 3D-NAND Flash, o impacto real na produção global do ponto de tempo cairá em 2020.
Olhando para a tendência da expansão do flash NAND de 2018 a 2020, a DRAMeXchange apontou que todos os campos podem ser ditos para serem mais afiados. Além do recém-anunciado Fab 7 e Fab 6 da Toshiba já em construção, muita atenção foi dada ao armazenamento do rio Yangtze em Wuhan A base de produção da Future City também deverá começar a operar no segundo semestre de 2018 com a produção inicial de produtos 3D-NAND Flash de 32 camadas e o desenvolvimento de um produto de 64 camadas para fechar a lacuna com outros fornecedores.
Além do armazenamento Yangtze, o investimento em outros fabricantes não é inteligente sobre, incluindo a expansão Intel Dalian Fábrica de Fase II, em resposta à forte SSD demanda Server, o objectivo de duplicar a produção 3D-NAND Flash até o final de 2018. Além disso, Samsung a expansão da planta Xi'an Fase II, continuou a ampliar a produção 3D-NAND flash de energia na China. Hynix vai construir outra fábrica no estado de Han Guoqing uma nova fábrica M15, é também para colocar em operação mais de 96 camadas 3D-NAND flash, como o objetivo, é esperado para 2019 entrada formal anual em operação.
A análise da DRAMeXchange apontou que, com base nos vários fornecedores, estão em 3D-NAND Flash, uma nova capacidade específica, após 2019 o mercado 3D-NAND Flash deverá voltar a inserir o padrão de oferta excessiva e 2D-NANDFlash devido aos fornecedores gradualmente transferidos, Somente para manter uma menor proporção de produção contínua e foco em requisitos industriais, então a tendência do mercado Flash 2D-NAND será desacoplada do 3D-NAND Flash e gradualmente transformada em um nicho de mercado.