Toshiba et d'autres fabricants ont annoncé l'expansion de la capacité Flash NAND, le marché en 2019 peur de l'offre excédentaire

Set micro-maille nouvelles, Toshiba et Western Digital en 2017 après une longue procédure judiciaire et les différends de coentreprise, a atteint un règlement le 13 Décembre 2017, les deux parties à étendre la joint-venture à 2029 et de s'assurer que le nombre de West dans le Fab6 de participer à l'investissement , Poursuivant le billet concurrentiel pour Flash 3D-NAND après la couche 96. Toshiba a ensuite annoncé les plans Fab 7 le 21 Décembre, DRAMeXchange a souligné que, avec Toshiba, Samsung, Intel, le Yangtze River Storage et ainsi de suite L'expansion de la capacité de production de NAND Flash aura un impact significatif sur l'industrie du Flash NAND en 2019 et rendra l'industrie globalement sur-approvisionnée.

DRAMeXchange a souligné que Toshiba Fab 7 plante différent du passé concentré à Yokkaichi, pour mettre en place le site dans la préfecture d'Iwate Kitakami, la production de volume de l'usine lorsque le processus tombera sur la seconde moitié de 2019, principalement mis en service plus de 96 couches de NAND 3D flash, l'impact réel sur le point de temps de production globale automne 2020.

Vous cherchez à 2018 en 2020 tendance d'expansion NAND Flash, DRAMeXchange a souligné que chaque Jieke du camp dit rodomontades, Toshiba vient d'annoncer un nouvel ajout à la déjà en construction et le Fab Fab 7 6, le stockage beaucoup de préoccupation du fleuve Yangtsé à Wuhan future base de production de la ville devrait également commencer ses activités au second semestre 2018, la production initiale des produits 3D flash NAND 32 couches, 64 couches et est engagée aux produits en développement afin de réduire l'écart avec d'autres fournisseurs.

En plus du stockage du Yangtsé, l'investissement dans d'autres fabricants ne sont pas intelligents sur, y compris Intel Dalian usine d'expansion de phase II, en réponse à la forte demande du serveur SSD, l'objectif de doubler la production 3D Flash NAND d'ici la fin de 2018. En outre, Samsung l'agrandissement de l'usine de Xi'an phase II, a continué d'agrandir la production 3D NAND flash d'énergie en Chine. SK Hynix construira une autre usine dans l'état Han Guoqing une nouvelle usine M15, est également à mettre en oeuvre plus de 96 couches 3D flash NAND comme l'objectif, devrait 2019 entrée officielle annuelle en service.

Les analystes DRAMeXchange ont fait remarquer que les différents fournisseurs sont basés sur la capacité nouvelle spécifique 3D Flash NAND, après 2019 3D Flash NAND devrait réintégrer le marché modèle offre excédentaire, et les fournisseurs 2D-Flash NAND successivement en raison de produits changeants, continuer à maintenir qu'une faible proportion de la production en mettant l'accent sur la conformité a besoin de travail, de sorte que la tendance du marché 2D-NAND flash sera découplée de la 3D flash NAND, peu à peu transformé en un marché de niche.