Phys.org informa que Long-Fei He e pesquisadores relacionados da Universidade Fudan e do Instituto de Microeletrônica, Academia Chinesa de Ciências, publicaram recentemente um artigo sobre o novo tipo de memória no novo AIP Journal.
Como a maioria das tecnologias de memória existentes são muito volumosas para integrar no painel de exibição, os pesquisadores estão constantemente a olhar para novos projetos e materiais em um esforço para criar dispositivos de armazenamento que são igualmente bem comportados, porém ultrafinos.
Neste novo estudo, os pesquisadores usam um material tridimensional (MoS2) sobre-metálico para criar um semicondutor de escala atômica cuja condutividade pode ser refinada Ajustar e, em seguida, formar uma memória com a alta relação de corrente de comutação dos componentes básicos.
Além disso, a equipe também confirmou em testes que esse tipo de memória possui espaço de memória rápido e grande e excelente armazenamento, e os pesquisadores estimam que mesmo em altas temperaturas de 85 ° C (185 ° F) Ano, o espaço de armazenamento ainda pode economizar cerca de 60% do original, o que ainda é suficiente para aplicação prática.
No passado, os estudos confirmaram que o dissulfeto de molibdênio tem um efeito fotorresistente, o que significa que algumas propriedades podem ser controladas pela luz. Para entender a aplicação real, a equipe realmente realizou experimentos relevantes. Como resultado, eles descobriram que quando a luz brilha no programado Do dispositivo de armazenamento, os dados armazenados são completamente apagados, mas, ao mesmo tempo, o uso de informações de apagamento de tensão ainda pode ser usado.
O co-proprietário Hao Zhu disse que o time está atualmente investigando a integração em larga escala de tais componentes de armazenamento com comprimentos de onda de pulso ópticos programáveis e programáveis, e os pesquisadores acreditam que o futuro de tais dispositivos de armazenamento será na aplicação de painéis integrados no sistema Jogue um papel importante.