Phys.org की रिपोर्ट है कि फूडन यूनिवर्सिटी और इंस्टीट्यूट ऑफ माइक्रोइलेक्ट्रोनिक्स, चीनी एकेडमी ऑफ साइंसेज में लांग-फी हे और संबंधित शोधकर्ताओं ने हाल ही में नए एआईपी जर्नल में नए प्रकार की मेमोरी पर एक पेपर प्रकाशित किया है।
क्योंकि मौजूदा स्मृति प्रौद्योगिकियों में से अधिकांश डिस्प्ले पैनल में एकीकृत करने के लिए बहुत भारी हैं, इसलिए शोधकर्ता लगातार भंडारण उपकरणों को बनाने के प्रयास में लगातार नए डिजाइन और सामग्रियों को देख रहे हैं, जो अभी तक अल्ट्रा-पतली रूप से अच्छी तरह व्यवहार करते हैं।
इस नए अध्ययन में, शोधकर्ता एक परमाणु पैमाने पर अर्धचालक बनाने के लिए दो-आयामी (एमओएस 2) ओवर-मेटालिक सामग्री का उपयोग करते हैं जिनकी चालकता परिष्कृत किया जा सकता है समायोजित करें, और फिर बुनियादी घटकों के उच्च स्विचन चालू अनुपात के साथ एक स्मृति बनाते हैं।
इसके अलावा, टीम ने परीक्षणों में भी पुष्टि की कि इस प्रकार की स्मृति में तेज, बड़ी स्मृति स्थान और उत्कृष्ट भंडारण है, और शोधकर्ताओं का अनुमान है कि 85 डिग्री सेल्सियस (185 डिग्री फ़ारेनहाइट) वर्ष, भंडारण स्थान अभी भी लगभग 60% मूल बचा सकता है, जो अब भी व्यावहारिक अनुप्रयोग के लिए पर्याप्त है।
विगत पढ़ाई की पुष्टि की है मॉलिब्डेनम डाइसल्फ़ाइड-संश्लेषण (photoresponsive), जिसका अर्थ है कि कुछ गुण प्रकाश का उपयोग कर नियंत्रित किया जा सकता आदेश वास्तविक आवेदन, यह भी प्रयोग किए वास्तविक टीम को समझने के लिए, है, और उन्होंने पाया कि प्रकाश के लिए प्रोग्राम में चमकता है जब भंडारण उपकरण में, संग्रहीत डेटा पूरी तरह मिट चुका है, लेकिन वही वोल्टेज मिट जानकारी का उपयोग करते हुए अभी भी उपयोग किया जा सकता है।
सह-लेखक हाओ झू ने कहा कि टीम वर्तमान में क्रमादेशित अध्ययन कर रही है तरंग दैर्ध्य और समय के माध्यम से चलाया प्रकाश दालों इस तरह के एक बड़े पैमाने पर भंडारण घटक एकीकृत करने के लिए। शोधकर्ताओं का मानना है कि इस भंडारण युक्ति के भविष्य, आवेदन प्रणाली पैनल में एकीकृत किया जाएगा एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाएं