La Universidad de Fudan diseñó un nuevo tipo de memoria semiconductora sensible a la luz

1. diez avances científicos y tecnológicos en las universidades seleccionadas; 2. Universidad de Fudan para diseñar un nuevo tipo de memoria de semiconductor sensible a la luz; 3. China ha hecho progresos significativos en el estudio de ultrarrápidos dinámica atómicas y moleculares; 4. Alta Energía y otras dinámicas en la cromodinámica cuántica avances en el estudio es elegible; preparación de nano-escala 5. Centro nacional hoja cuántica intrínseca progreso

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progreso 1.'5 nanómetros dispositivos de nanotubos de carbono CMOS se seleccionó los diez mejores universidades de Ciencia y Tecnología;

Recientemente, se dio a conocer en Pekín el "Top Ten progreso científico y tecnológico de universidades y colegios chinos" organizado por la Comisión de Ciencia y Tecnología del Ministerio de Educación después de la revisión y publicidad, el examen formal, la evaluación inicial del departamento y el proceso final de revisión del proyecto en Beijing.

La Universidad de Pekín declaró seleccionados '5 nanómetros CMOS de dispositivos nanotubos.

Chip es el fundamento y la fuerza motriz de la era de la información, la tecnología CMOS existentes tocará sus límites. La tecnología de nanotubos se considera una época Hou Moer opción importante.

Los estudios teóricos indican que se espera que los transistores de nanotubos de carbono para proporcionar un mayor rendimiento y menor consumo de energía, y más fácil de conseguir una imagen tridimensional, ventajas integrados a nivel de sistema completos será de hasta mil veces, esto puede saltar la tecnología a un nivel completamente nuevo.

Electrónica, profesor de la Universidad de Pekín equipo Peng Lianmao alcanzado en las técnicas de la física de dispositivos CMOS y de preparación, el límite de rendimiento de los nanotubos de carbono explorar un gran avance, abandonando el proceso de dopaje tradicional, la polaridad del transistor es controlado mediante el control del material del electrodo, para suprimir el canal corto canalización, la primera puerta de tiempo 5 nanómetros de largo rendimiento del transistor tubos de carbono de alto rendimiento más allá de la mejor transistor de silicio, acercándose al límite físico de la mecánica cuántica determinados, se espera que la tecnología CMOS para avanzar al nodo de la tecnología de 3 nm.

20 de enero de 2017, marca el logro de Escala de nanotubos de carbono transistores complementarios a longitudes de puerta 5 nm en el título, publicados en línea en "Ciencia" (Science, 2017, 355: 271-276); incluido investigadores de IBM, incluyendo contrapartes en "Ciencia", "Naturaleza • La nanotecnología" y otras publicaciones periódicas 24 referencias positivas abiertos, y ESI los artículos más citados seleccionados. trabajo relacionado es el índice de la naturaleza, IEEE Spectrum, nano Hoy en día, "La ciencia y la tecnología de cada día" y otros medios de comunicación nacionales y extranjeros académicos Y la agencia de noticias Xinhua informó;

"Diario del Pueblo" (Edición de Ultramar) evaluar nanotubos de transistores de carbono velocidad de funcionamiento es el más avanzado transistores triples de silicio comercial 14 nanómetros de Intel, mientras que su consumo de energía es sólo una cuarta parte', que significa que los científicos chinos que se espera chip La tecnología se pone al nivel de las contrapartes extranjeras ',' es un nuevo hito en el desarrollo de la tecnología de la información de China '.

2. La Universidad de Fudan diseñó un nuevo tipo de memoria semiconductora sensible a la luz;

Recientemente, un equipo de investigación para diseñar una memoria basada en semiconductores atómicamente grados delgadas, además de un buen rendimiento, el caso puede ser completamente sin ayuda de la energía, la luz se puede eliminar mediante el almacenamiento de datos, el equipo que esta nueva memoria System on Panel (System on Panel) tiene grandes aplicaciones potenciales.

Phys.org informó, Long-Fei Él y los investigadores de la Universidad de Fudan pertinentes y el Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias ha publicado recientemente un documento sobre un nuevo tipo de memoria en la nueva revista Applied Physics Letters (AIP).

Debido a que la mayoría de las tecnologías de memoria existentes son demasiado voluminosas para integrarse en el panel de visualización, los investigadores buscan constantemente nuevos diseños y materiales en un esfuerzo por crear dispositivos de almacenamiento que se comporten igual de bien y que sean ultrafinos.

En este nuevo estudio, los investigadores utilizaron "disulfuro de molibdeno" (de MoS2) a través de un material de metal de transición de dos dimensiones, un nivel atómico para crear una delgadez semiconductor, su conductividad (conductividad) puede estar bien Ajuste, y luego forme una memoria con la alta relación de corriente de conmutación de los componentes básicos.

Además, la prueba también confirmar el equipo, este tipo de memoria tiene una velocidad rápida operativo, la memoria de gran capacidad y una excelente estabilidad de almacenamiento, los investigadores estiman, aunque a 85 ° C (185 ° F) 10 temperaturas en el espacio de almacenamiento todavía se puede ahorrar alrededor de 60% del original, todavía es suficiente para aplicaciones prácticas.

Estudios anteriores han confirmado disulfuro de molibdeno tiene fotosensibilidad (fotosensible), lo que significa que algunas propiedades se pueden controlar utilizando la luz, a fin de comprender la aplicación real, el equipo real también llevado a cabo experimentos, y se encontró que cuando la luz incide en el programado cuando el dispositivo de almacenamiento para almacenar los datos se elimina completamente, pero al mismo tiempo el borrado de información usando el modo de tensión todavía puede ser utilizado.

Co-autor Hao Zhu dijo que el equipo está estudiando actualmente programado pulsos de luz controlables a través de la longitud de onda y la hora de integrar un componente de almacenamiento a gran escala. Los investigadores creen que el futuro de este dispositivo de almacenamiento, la aplicación se integrará en el panel del sistema Juega un papel importante en las noticias técnicas

3. China hizo progresos importantes en el estudio de la cinética ultrarrápida de las moléculas atómicas;

Agencia de Noticias Xinhua, Wuhan, 25 de diciembre (Reporter Li Wei) - láser de femtosegundo para proporcionar un medio importante en la estructura y la dinámica de escalas espaciales y temporales atómicos ultrarrápidos (tiempo attosegundo con escalas espaciales sub-angstrom) detección microscópica de electrones de sustancias Recientemente,. , nuestros expertos logrado importantes avances en el uso de láseres de femtosegundos y la dinámica de electrones ultrarrápidas de detección de la estructura atómica y molecular.

ionización o de electrones paquete de ondas inducida por láser de femtosegundo puede volver a la ion primario y luego dispersión verdadera se produce con el mismo, un espectro armónico o el espectro re dispersión optoelectrónico para detectar estructuras y estados electrónicos atómica y molecular proporcionan Evolución ultrarrápida de manera efectiva. en la actualidad, la estructura y la dinámica de método de detección atómica y molecular de alta resolución espacial y desarrollo temporal de atención de la investigación.

Liu Xiaojun investigador Wuhan Instituto de Física y Matemáticas, los investigadores Roly y otros con el Beijing Institute of Applied Physics e investigador Matemática Computacional Chen Jing, Profesor Asociado Wu Yong y otras formas de cooperación, a los nuevos programas de difracción de electrones inelástica inducidas por láser, y el uso de Este esquema determinó experimentalmente la sección transversal de dispersión inelástica diferencial causada por las colisiones de iones de gas inerte de electrones.

Se ha informado de que, en esta realización, el experto usando el láser de femtosegundo conducción de re-dispersado electrones paquete de ondas generado átomos reemplazan por haz de electrones convencional, gas inerte para la detección del ión matriz de la estructura por medio de impacto de electrones. Unión Wuhan fue el número de pre-construido de electrones de alta resolución - espectrómetro de aparato de impulso de iones y un método para medir el cumplimiento, que corresponden a la electrónica experimental - ion de ionización por impacto espectro impulso dimensional optoelectrónico, y la extracción de la sección transversal diferencial de los electrones de dispersión inelástica y el papel del ión padre, los resultados experimentales con los resultados calculados coinciden Nacido distorsionada de onda aproximación.

Este programa heredó resolución ultra alta espacial del método convencional de ventajas de difracción de electrones, y la resolución temporal ultra alta, proporcionar un medio importante para la escala de tiempo de femtosegundos y la segunda dinámica molecular inducidas por láser A ultrarrápidos estudio de los átomos. Relacionados Los resultados de la investigación publicados recientemente en la revista académica "Physical Review Letters" en.

4. Alta energía y otros avances en la cromodinámica cuántica;

Fellow del Instituto de Física de Altas Energías Jia Yu, profesor asociado de la Universidad China de Minería, energía académico visitante Feng Feng, profesor de la Universidad Southwestern y Sang Wen-largo, por primera vez en el mundo para calcular los tiempos Nlo fuerte ancho de descomposición de pseudoescalar pesada quarkonium (NNLO) corrección radiativa, combinado con las últimas medidas experimentales realizadas en profundidad discusión fenomenológico. 20 de diciembre de documentos relacionados publicados en "Physical Review Letters", el estudio representa un estudio teórico de pesada Quarkonia progreso importante .

Explicación de positronium aniquilación quark pesado decae, la historia de la naturaleza progresiva del establecimiento de la libertad de la cromodinámica cuántica jugó un papel clave. Hace unos 40 años, los tiempos de decaimiento Quarkonia seudo-escalar el ancho de un fuerte movimiento en el límite no relativista para que conduce (NLO) correcciones radiativas han sido Italia y Japón, dos teóricos de forma independiente. NLO contribución de corrección es muy importante, por lo que la gente naturalmente curiosos acerca de la próxima etapa de la magnitud de las correcciones radiativas debido al enorme desafío técnico, en casi 40 años dentro de mucho tiempo, la gente siempre sabían nada acerca de la corrección NNLO ηc fuertes anchos de decaimiento. con el rápido desarrollo en los últimos años, la teoría de las perturbaciones de orden superior en el campo cuántico de la tecnología, el verano de 2017 de cálculo, la gente finalmente marcó el comienzo de la largamente esperado avance. después de varios años de esfuerzos continuos, Jia Yu, superar muchas dificultades técnicas, con el tiempo, mediante el Centro de Supercomputación nacional en la plataforma de computación completa de Tianhe de Guangzhou. en este trabajo, Jia Yu, por primera vez, demuestran claramente los primeros principios de la QCD La teoría de salida del campo efectivo - la factorización QCD no relativista (NRQCD) se mantiene para el plomo en el segundo orden, sin embargo, correlaciona la radiación NNLO con la conocida corrección relativista combinado, encontraron ηc la anchura total de las predicciones NRQCD más completos con las mediciones experimentales, en particular con la decadencia medido ramificación relación de ηc a de dos fotones, están profundamente dividido. Esto significa que a pesar del método bien conocido de NRQCD fundamento teórico muy fuerte, pero para charmonium, ya que el quark encanto masa lo suficientemente grande, lo que lleva a la convergencia de expansión de la perturbación es muy pobre, por lo que la eficacia de enfrentarse a serios desafíos. por otro lado, el método NRQCD puede explicar satisfactoriamente las mediciones experimentales , La predicción exacta de la desintegración de ηb a la relación de ramificación de dos fotones, Br'ηb → γγ '= (4.8 ± 0.7) × 10-5, aún no se ha superado Prueba de fábrica B

Vale la pena señalar que el estudio concluye con Jia Yu, 2015, publicado en la conclusión. "Physical Review Letters" que confirman entre sí, se aplica ese método NRQCD involucrar a los desafíos del proceso charmonium. Papeles por primera vez charmonium de corrección calculado proceso de generación de radiación NNLO inclusive. los γ variación * factor de forma de transición γηc con transferencia de momento, que comprende NNLO encontró cuando la corrección, las predicciones más precisas NRQCD BaBar lejos experimentalmente los valores medidos.

Jia Yu, la primera implica charmonium acto sola inclusive y proceso de descomposición produce un NNLO calculado correcciones radiativas, se encontraron en su contribución es muy importante, después de tener en cuenta su efecto de corrección, las predicciones teóricas y mediciones experimentales discrepancias graves. Esto significa que charmonium, la perturbación NRQCD coeficiente de corto alcance de la expansión de la convergencia de los pobres. creen que la causa raíz del problema de la masa de quark encanto no es grande, por lo que el estándar de energía constante encanto fuerte acoplamiento no está definido pequeña, lo que perjudica seriamente la convergencia de la expansión de perturbación. método de factorización NRQCD utiliza ampliamente, aunque una sólida base teórica, pero para charmonium, su eficacia parece enfrentarse a serios desafíos, sigue siendo necesario el seguimiento de una investigación en profundidad para encontrar sus soluciones.

La investigación fue financiada por la Fundación Nacional de Ciencias Naturales.

Documentos de enlace: 12

teoría ηc predice anchura total como una función de la reforma de la μR escala de energía, donde LO, NLO, NNLO correspondiente que conduce orden expansión perturbative, orden principal, y unos secundarios predicciones teóricas NLO. diagrama de la cinta azul de la figura. ηc se valores de la anchura total medido experimentalmente.

factor de NRQCD para predicciones basadas en ηc de dos fotones como la relación de ramificación de la escala de energía μR reforma de función. Figura azul diagrama de cintas ηc es a valores de relación de derivación de dos fotones medidos experimentalmente.

El factor de forma de transición (normalizado) γ * γηc predicho por la teoría NRQCD cambia con la transferencia de momento Q2. Los puntos negros con errores en la figura representan las mediciones experimentales de BaBar. Bajo la dirección de la perturbación en el orden, segundo líder, segundo pronóstico principal. Sitio web de la Academia China de Ciencias

5. El progreso de la investigación sobre la preparación de puntos cuánticos nativos en los nanocentros nacionales

Como un producto y el desarrollo del sistema de material de cross-dimensional y sistemas cuánticos, la hoja cuántica ha atraído la atención debido a su dimensión transversal es generalmente menor de 20 nanómetros, y por lo tanto no sólo hojas que tienen una propiedades cuánticas intrínsecas de material de dos dimensiones, que tiene además un límite cuántico Dominio y efectos de borde prominentes.

El compuesto disulfuro de metal de transición (con TMDS) son una clase con un rendimiento excepcional y un gran potencial de material de dos dimensiones. Como los TMDS más representativos, disulfuro de molibdeno (MoS2) y de disulfuro de tungsteno (WS2) se ha estudiado ampliamente. ¿Qué La preparación del chip cuántico se divide en dos formas ascendentes y descendentes: los métodos de preparación ascendente a menudo requieren condiciones de reacción duras y una preparación complicada posterior al procesamiento, de arriba hacia abajo del rendimiento cuántico del rendimiento normal. Además, ambos métodos de preparación se enfrentan al desafío de cómo evitar defectos y obtener hojas cuánticas intrínsecas.

Centro Nacional de grupo de investigación Nanociencia Liu Yong en cooperación con el viento y Gao TF TF Peking, inventó una nueva técnica puede ser la preparación libre de defectos a gran escala de la MoS2 cuántica intrínseca y la hoja de WS2 por secuencialmente material de sales cuerpo fresado adyuvante, las medidas de la tira de disolvente asistida por ultrasonido, un rendimiento muy alto de 25.5wt% y 20.1wt% se preparó una intrínseca MoS2 hoja cuántica libre de defectos y polvo cuántica hoja de recogida de WS2. redispersado a modo de hoja cuántica alta se consigue además en una variedad de concentración de disolvente de dispersión (20 mg / ml). 0,1% en peso de la carga en la lámina de película cuántica PMMA, lo que puede mejorar en gran medida las propiedades ópticas, la mejora de la carga de la película casi nanosheet un orden de magnitud. esta técnica de preparación tiene una muy buena universalidad, una hoja cuántica de dos dimensiones proporciona una guía para explorar la producción en masa.

investigaciones relacionadas con la producción de alto rendimiento de hojas cuántica MoS2 y WS2 de sus materiales a granel fue publicado en la revista Nano Letters, la preparación ha solicitado patentes chinas. La investigación fue apoyada por la Fundación Nacional de Ciencias Naturales de China, Academia China de Ciencias Cien Talentos Programa, Centro Nacional de Nanociencia Fondos de puesta en marcha y otros fondos.

Enlace de documentos

Mecanismo de preparación de chips cuánticos MoS2 y WS2 Diagrama del sitio web de la Academia China de Ciencias

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