Un mapa para ver la diferencia entre el proceso de fabricación avanzado de Taiwán

Establecer micro noticias de la red, los datos de DigiTimes la estrategia tecnológica de SMIC para el proceso avanzado de I + D y la producción en masa tan pronto como sea posible por el diseño técnico para la observación, proceso de 14 nanómetros FinFET está prevista para la segunda mitad de 2019 en la producción de volumen.

proceso de 28 nm SMIC en producción temprana de volumen en el tercer trimestre de 2015 y generó contribución de los ingresos, que representa la proporción de los ingresos también subió desde el tercer trimestre de 2015, 0,1% en 2017 al 8,8% en el tercer trimestre, principalmente de la PolySiON proceso todavía, Los clientes también están limitados a Qualcomm.

Debido al bajo rendimiento, el proceso de HKMG contribuyó muy poco a los ingresos de SMIC.

SMIC planea lanzar la plataforma HKC + de 28nm en la segunda mitad de 2018.

planificación de la producción media de TSMC recogido proceso FinFET proceso de 5 nm ultravioleta extrema (EUV) 2020, TSMC y el arte SMIC se ensancharán la brecha a tres generaciones.

A fines de 2017, aunque Huali Microelectronics aún se concentra en el proceso de 55nm, su participación en los ingresos del proceso de 40nm aumentó del 7% en 2015 al 25% en 2017.

Se espera que la próxima generación del proceso PolySiON de 28 nanómetros se introduzca en la producción en la segunda mitad de 2018.

Cuando se espera que el cuarto trimestre de 2019 núcleo de 22 nanómetros FD-SOI proceso en la producción en masa SMIC y Huali micro-28 nanómetros proceso de fabricación OEM precios tienen un impacto negativo.

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