Um mapa para ver a diferença entre o processo de fabricação avançado de Taiwan

Com foco nos dados dos digitais, a estratégia de tecnologia da SMIC é investir em P & D de processos de fabricação avançados e introduzir a produção em massa o mais cedo possível. De um plano técnico, o processo FinFET de 14 nanômetros está programado para ser produzido em massa no segundo semestre de 2019.

O processo de 28nm da SMIC iniciou a produção em massa já no terceiro trimestre de 2015 e contribuiu com a receita. Sua participação na receita também subiu de 0,1% no terceiro trimestre de 2015 para 8,8% no terceiro trimestre de 2017, principalmente devido ao processo PolySiON, Os clientes também estão limitados à Qualcomm.

Devido ao baixo rendimento, o processo HKMG contribuiu muito pouco para a receita da SMIC.

A SMIC planeja lançar a plataforma HNK de 28nm no segundo semestre de 2018.

No primeiro semestre de 2020, a TSMC planejou um processo FinFET de 5 nanômetros para produção em massa de processo ultravioleta (EUV). Até então, a diferença entre TSMC e SMIC se ampliará para 3 gerações.

No final de 2017, embora a Huali Microelectronics ainda se concentre no processo de 55nm, sua participação na receita do processo de 40nm subiu de 7% em 2015 para 25% em 2017.

A próxima geração do processo PolySiON de 28 nanômetros deverá ser introduzida na produção no segundo semestre de 2018.

Quando o processo de fabricação em massa de 22 nanômetros FD-SOI no quarto trimestre de 2019 é esperado, o processo de fabricação SMIC e Huali de micro-28 nanômetros os preços OEM têm um impacto negativo.

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