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'हॉट' कै ली लाइन: मीडियाटेक 7 एनएम उपयोगकर्ताओं की पहली लहर नहीं है

1. साई: पीछे से 2.AI क्रांति फिर से लिखने इमेज प्रोसेसिंग चिप लेआउट दृश्य प्रोसेसर; मीडियाटेक उपयोगकर्ताओं की पहली लहर 7nm नहीं 4. शोधकर्ताओं आणविक विरूपण बनाने के लिए; 3.IDM और ढलाई उन्नत पैकेजिंग प्रौद्योगिकी के विकास के क्षेत्र में अग्रणी हो जाएगा स्मृति

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1. साई: मीडियाटेक उपयोगकर्ताओं की पहली लहर 7nm नहीं;

सूक्ष्म नेटवर्क समाचार सेट, 2017 में समाप्त होने वाली, मीडियाटेक साल के अंत में पत्रकार सम्मेलन का सामना करने के लिए पहली बार चेहरे के लिए मीडिया के अलावा कल आयोजित की, और साई, नए महाप्रबंधक चेन गुआन, मुख्य वित्तीय अधिकारी गु दावेई, उपाध्यक्ष होम एंटरटेनमेंट डिवीजन के राज्य में पदभार संभाल लिया कुल पर्यटक जि, जू जिंग, मोटर वाहन उत्पादों और अन्य प्रमुख अधिकारियों के प्रभारी उपाध्यक्ष व्यक्तिगत रूप से उपस्थित हैं।

हालांकि मीडियाटेक ग्राहक सूचियों की पहली लहर में नहीं है TSMC 7nm प्रक्रिया अगले साल, बड़े पैमाने पर उत्पादन किया जाएगा, हालांकि, मीडिया टेक सह सीईओ रिक साई ने कहा, मीडियाटेक अब महत्वपूर्ण उत्पादों 12nm प्रक्रिया का उपयोग कर रहे हैं, मेरा मानना ​​है कि 7nm बहुत मूल्यवान होगा, उन्नत प्रक्रिया में मीडियाटेक उपयोग अनुपस्थित नहीं है, किया गया है तीन 7 एनएम चिप उत्पाद डिज़ाइन हैं, लेकिन उत्पादन के बारे में टिप्पणी नहीं कर सकते हैं।

इसके लिए कि मीडियाटेक को "सेब खाए जाने का मौका" है, त्सई ने जोर देकर कहा कि "इसके बारे में कोई जानकारी नहीं है।" हालांकि, उन्होंने जोर देकर कहा कि जब तक अच्छे अवसर होंगे, सभी जीतने का प्रयास करेंगे और उत्तरी अमेरिकी बाजार अपने निवेश का विस्तार जारी रखेगा।

ब्रॉडकॉम एम एंड ए क्वालकॉम के लिए इरादा रखता है, त्साई ने कहा कि अर्धचालक उद्योग स्थिर हो गया है, उद्योग एकीकरण की घटना घटित होने वाली है, तटस्थ दृष्टिकोण, बहुत डर या खुश नहीं है

स्मार्ट फोन बाजार की घटना "प्रमुख मशीन निर्माताओं नहीं रह गया है बिक्री योग्य हैं" हाल के उद्भव, मीडियाटेक हल्का घायल हो गए, करने के लिए गति के मध्य बाजार में रक्षा पर वापस फिर से समायोजित धन्यवाद। चेन गुआन कहा गया है कि इस साल की शुरूआत की हेलीओ पी उत्पादों बाजार प्रतिक्रिया अच्छा है, मुख्य रूप से के लिए RMB से 1500 $ 3000 कीमत बैंड, बाजार प्रतिक्रिया बहुत अच्छी, अगले साल दो पी श्रृंखला चिप्स आगे बढ़ा दिया जाएगा है।

ऐ प्रवृत्ति के लिए, चेन गुआन राज्यों से पता चला कि इस तरह के मीडियाटेक अगले दो से तीन साल के लिए मंच के रूप में ऐ समारोह मोबाइल फोन, टेलीविज़न और घर मनोरंजन उत्पादों आयात करेगा, ऐ उद्योग पर पड़ने वाले प्रभाव को देखने के लिए सक्षम हो जाएगा।

2.AI क्रांति के पीछे से प्रसंस्करण चिप लेआउट दृष्टि प्रोसेसर छवि को फिर से लिखने;

आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस (AI) क्षेत्र वितरित इमेज प्रोसेसिंग चिप बाजार के स्कूल इसलिए है कि वहाँ महत्वपूर्ण परिवर्तन हो जाते हैं।

अनुसंधान फर्म Yole Developpement विश्लेषण, ऐ अनुप्रयोगों के द्वारा संचालित के अनुसार, दृष्टि चिप के साथ जुड़े एम्बेडेड छवियों दो ब्लॉकों, पारंपरिक छवि सिग्नल प्रोसेसर (आईएसपी) बाजार है, जिनमें से एक में विभाजित किया जाएगा, बाजार एक यौगिक वार्षिक 6.3% से बढ़ेगा विकास दर स्थिर विकास की (सीएजीआर), 2017 $ 4.4 बिलियन के समग्र बाजार का आकार में;

दूसरा उभरते हुए दृश्य कंप्यूटिंग प्रोसेसर है, जो विभिन्न प्रकार के छवि विश्लेषण एल्गोरिदम के कार्यान्वयन के लिए जिम्मेदार है, इस प्रकार उच्च कम्प्यूटेशनल दक्षता और मेमोरी बैंडविड्थ की आवश्यकता होती है, बाजार परिसर वार्षिक वृद्धि दर 30.7% के बराबर होगी, और 2021 में आईएसपी परे आधिकारिक जाने, दृश्य छवि और नए इलेक्ट्रॉनिक की सबसे बड़ी ब्लॉक में एम्बेडेड चिप बाजार बन गया

3.IDM फाउंड्री और उन्नत पैकेजिंग प्रौद्योगिकी के विकास के क्षेत्र में अग्रणी हो जाएगा;

2016 में TSMC 16nm प्रक्रिया के लिए एप्पल OEM A10 प्रोसेसर की जानकारी पैकेजिंग और फाउंड्री सेवाओं का परीक्षण गठबंधन करने के लिए, 2017 में स्मार्ट फोन एप्पल A11 प्रोसेसर की एक नई पीढ़ी, TSMC 10nm प्रक्रिया की जानकारी फिर से सबसे बड़ा एकल फाउंड्री बना गठबंधन; 2018 में 7 9 एनएम प्रोसेसर्स के साथ संयुक्त फाउंड्री ए 12 प्रोसेसर होगा।

OEM पैकेजिंग और परीक्षण बाजार (AI) कृत्रिम बुद्धि का भारी प्रवर्धन से स्मार्ट फोन गठबंधन करने के लिए उम्मीद है, TSMC सक्रिय रूप से वाहक थाली और आईसी पैकेजिंग की ओर से इस एकीकृत सेवाओं, कानूनी दृश्य प्रदान करते हैं और परीक्षण कंपनियों के प्रभाव को कम करने के लिए अवसरों का परिणाम देगा।

IDM और फाउंड्री उन्नत पैकेजिंग प्रौद्योगिकी के विकास में अग्रणी बन जाएगा

बावजूद निर्माताओं को अब मूर की विधि का एक ही गति से जारी रख सकते हैं, लेकिन चिप, सिस्टम और सॉफ्टवेयर प्रौद्योगिकियों प्रगति के लिए, निर्माताओं धीरे-धीरे, मूर की विधि गति को जारी रखने के लिए उन्नत पैकेजिंग प्रौद्योगिकी का विकास TSMC से विकास की जानकारी एप्पल प्रौद्योगिकी को अपनाया है बीड़ा उठाया है, कोई जारी रहेगा बीटा ढलाई उन्नत अर्धचालक पैकेजिंग और परीक्षण, और फाउंड्री IDM ताकत के इस क्षेत्र के क्षेत्र में एक और अधिक सटीक मार्ग प्रक्रिया की ओर मुख्य रूप से उन्नत पैकेजिंग प्रौद्योगिकी की वजह से, अनुयायियों भूमिका बनी खोजने के लिए मुश्किल।

इसके अलावा, इन कंपनियों और अधिक उन्नत पैकेजिंग के मामले में पैकेजिंग और परीक्षण संयंत्र के सापेक्ष आवश्यक पूंजी अनुदान के सहन कर सकते हैं, सिद्धांत रूप में, विकास प्रगति पेशेवर पैकेजिंग और परीक्षण फाउंड्री की तुलना में तेजी है, इसलिए उन्नत पैकेजिंग प्रौद्योगिकी और IDM ढलाई के क्षेत्र में भविष्य विकास भूमिका में एक अग्रणी होगा

आईसी पैकेजिंग और टेस्टिंग कंपनियां एप्पल के टीएसएमसी इनोफ़ोई विज्ञापन प्रभाव से लाभान्वित होंगे

हालांकि TSMC शुरू की जानकारी पैकेजिंग बनाता है और परीक्षण फर्मों ऐसे प्राकृतिक जानकारी WLCSP और वेफर स्तरीय पैकेजिंग और परीक्षण प्रौद्योगिकी, आईसी पैकेजिंग और परीक्षण फाउंड्री के रूप में लाभ, की एक किस्म में मूल ग्राहक आदेश के तहत खो गया होता है, कार्रवाई और अधिक प्रकाश लोड आकार बनाने, और इस तरह के एक सीमित स्थान में अधिक मैं / हे संख्या और उत्कृष्ट गर्मी अपव्यय प्रभाव है, जो प्रोसेसर सक्षम बनाता है सबसे अच्छा प्रदर्शन खेलने के लिए।

बाजार अच्छी तरह से प्रतिक्रिया के बाद एप्पल अपनाया, ग्राहकों और बाजार विज्ञापन प्रभाव बनेगी, अन्य ग्राहकों, पैकेजिंग और परीक्षण कंपनियों की इच्छाओं के उपयोग को बढ़ाने के लिए व्यापार के अवसर बनने के लिए, TSMC आईसी पैकेजिंग और परीक्षण सेवा के साथ मिलकर वर्तमान में TSMC फाउंड्री में एकल सेवा के केवल एक छोटी संख्या है औद्योगिक ग्राहकों, पैकेजिंग और परीक्षण निर्माताओं अभी भी व्यवसाय विकास के अन्य ग्राहकों को लक्षित कर रहे हैं, क्वालकॉम और हैस जैसे 2016 2017, फैन-आउट करने के लिए Infineon और एएसई आदेश, कि विज्ञापन प्रभाव के लाभ का सबसे अच्छा उदाहरण है। उद्योग अनुसंधान विस्तार TRI अस्पताल

4. शोधकर्ताओं ने विरूपण के लिए आणविक स्मृति का निर्माण किया है

कैलिफोर्निया बर्कले राष्ट्रीय प्रयोगशाला और शोधकर्ताओं के विश्वविद्यालय विरूपण स्मृति प्रौद्योगिकी के एक आणविक आकार बनाने के लिए काम कर रहे हैं, यह केवल भविष्य के साथ कुछ परमाणुओं लेता है, यह भंडारण के लिए एक आकार के रूप में 0 और 1 हो सकता है, लेकिन यह भी परमाणु स्तर के प्रोसेसर ...

पूरक धातु-आक्साइड अर्धचालक (CMOS) परमाणु स्तर के पास के साथ, विरूपण की एक आणविक आकार (आकार बदलने) मेमोरी प्रौद्योगिकी और अधिक पूर्ण होता जा रहा है, जिससे reversibly ditelluride मोलिब्डेनम (MoTe2) जाली संरचना बदल जाती है।

यूएसी बर्कले के प्रोफेसर और लॉरेन्स बर्कले नेशनल लेबोरेटरी (एलबीएनएल) में सामग्री विज्ञान के निदेशक झांग जियांग के अनुसार, इस दृष्टिकोण के लिए केवल कुछ परमाणुओं की आवश्यकता होती है, जिनकी संख्या 0 और 1 हो मैकेनिकल सामग्री को भंडारण करने में सक्षम एक ठोस राज्य मेमोरी प्राप्त करने के लिए आकार स्मृति, और भविष्य के परमाणु स्तर प्रोसेसर के साथ प्रयोग किया जा सकता है।

इलेक्ट्रॉन इंजेक्शन तकनीक तरीका है - के बजाय प्रभारी, स्पिन, या अल्पकालिक स्मृति के किसी भी संख्या के अनुसार इनकोडिंग है, और जाली संरचना जियांग झांग के अनुसार समझाया एक प्रतिवर्ती MoTe2 के पाठ्यक्रम में बदला जा सकता है, बिजली की उत्तेजना के माध्यम से परमाणुओं उलटफेर। संरचना, सामग्री के गुणों को बदलने, इतना है कि यह कम ऊर्जा एक ही करने के लिए या चरण में बदलाव (चरण-परिवर्तन) स्मृति में उत्पादन ताप प्रेरित संक्रमण की तरह, रासायनिक गुणों हस्तांतरण सेंसर 0 और 1 के साथ का गठन किया जाना आवश्यक से उपयोग कर सकते हैं।

इस प्रक्रिया के लिए महत्वपूर्ण एक संक्रमण धातु dichalcogenide (TMD) का प्रयोग होता है - इस मामले में, अपने आंतरिक एकल परत फिल्म MoTe2 जाली संरचना के परमाणु स्तर के माध्यम से दो स्थिर राज्य संरचना के बीच इलेक्ट्रॉन हस्तांतरण नाड़ी है बदलना। झांग जियांग संयुक्त रूप से यूसी बर्कले और बर्कले नेशनल लेबोरेटरी शोधकर्ताओं ने संयुक्त रूप से अध्ययन किया, उनके एमईटीई 2 फिल्म उदाहरण में, दो स्थिर जाली संरचना एक सममित 2 एच व्यवस्था है, जैसा कि 1 टी संरचना का विरोध ।

भविष्य स्मृति एक इलेक्ट्रॉन इंजेक्शन मोड इस्तेमाल किया जा सकता, 2 डी reversibly दो इलेक्ट्रोड के बीच एकल परमाणु स्तर के अर्धचालक की क्रिस्टल संरचना बदल जाते हैं। MoTe2 interlayer फिल्म, और एक आयन दुकान प्रभारी बूंदों कवर किया जाता है। एक छोटा सा पर लागू किए जाने वोल्टेज, इलेक्ट्रॉन, इंजेक्ट किया जाता है ताकि यह विषम (2H) से संक्रमण एक परोक्ष संरचना (1T) व्यवस्थित कर रहे हैं (स्रोत: LBNL)।

बर्कले शोधकर्ताओं वर्तमान में अपने विरूपण जाली संरचना को प्राप्त करने के लक्ष्य सामग्री, इलेक्ट्रॉन इंजेक्शन पद्धति के रूप में TMD की एक किस्म का उपयोग करने की कोशिश कर रहे हैं, लेकिन MoTe2 कारण दोनों इलेक्ट्रॉनिक और फोटोनिक गुण बदला जा सकता है और अधिक आकर्षक। शोधकर्ताओं ने फिल्म डिजाइन 'पुस्तकालयों' लक्ष्य एक बनाने के लिए है ', ऑप्टिकल कंप्यूटर, और अनुप्रयोगों, सौर पैनलों सहित में इस्तेमाल किया जा सकता है।

2 डी में, एकल-परत TMD फिल्मों, इलेक्ट्रिकल और ऑप्टिकल गुणों को इलेक्ट्रॉनिक रूप से बदल दिया जा सकता है, जिसमें प्रतिरोध, स्पिन परिवहन और बर्कले के अनुसंधान विधियों द्वारा उपयोग किये जाने वाले चरण से संबंधित आकृति परिवर्तन शामिल हैं।

प्रोफेसर यूसी बर्कले और एलबीएनएल सामग्री विज्ञान निदेशक झांग जियांग

जियांग झांग ने कहा कि अवधारणा अध्ययन कर्मचारियों का सबूत, 'इलेक्ट्रोस्टैटिक डोपिंग' ई (बजाय परमाणु) का उपयोग कर dopant के लिए के रूप में कोटिंग MoTe2 monolayer के बाद ईओण तरल में, शोधकर्ताओं ने इंजेक्शन जबकि इलेक्ट्रॉनों का उपयोग कर डोपिंग एजेंट एक जाली का आकार बदलने के, दोष के बिना एक सामग्री बनाने के लिए कहा जा सकता है। 1T संरचना का वर्णन किया झुका और धातु, और बनाने है यह जाली व्यवस्था में आसान 2H अर्द्ध धातु परमाणुओं, की संरचना से अलग । एक कम वोल्टेज के माध्यम से 2H की मूल संरचना को बहाल करने के लिए doped इलेक्ट्रॉन दूर करने के लिए लागू किया जाता है।

डीईई अनुसंधान कार्यक्रम को प्रायोजित करता है डीओई ऑफिस ऑफ बेसिक एनर्जी साइंस ने ट्रांसमिशन रिसर्च और लाइट कनवर्ज़न मटेरियल रिसर्च सेंटर (ईएफआरसी) लाइट-मटेरियल इंटरेक्शन (एलएमआई) का प्रदर्शन किया है। ) डो ईएफआरसी और नेशनल साइंस फाउंडेशन (एनएसएफ़) डिवाइस डिजाइन और विनिर्माण के माध्यम से परियोजना का समर्थन करते हैं, और चीन में त्सिंगहुआ विश्वविद्यालय स्टैनफोर्ड यूनिवर्सिटी में अनुसंधान के लिए एक संसाधन प्रदान करता है स्टाफ ने योगदान दिया, साथ ही सेना अनुसंधान कार्यालय, नौसेना अनुसंधान कार्यालय, एनएसएफ और स्टैनफोर्ड यूनिवर्सिटी स्नातक छात्रवृत्ति से अनुदान भी दिया।

संकलित करें: सुसान हांग

(संदर्भ पाठ: बर्कले बिल्डर्स आकार-स्थानांतरण आणविक मेमोरी, आर। कॉलिन जॉनसन द्वारा) एलेक्स

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