В последнее время команда Центра квантовых информационных технологий Чунцинского института зеленых и интеллектуальных технологий Китайской академии наук добилась последних успехов в подготовке материала многослойного монослоя IVAVIB, представленного GeSe, определения зонной структуры и тестирования и анализа устройства.
Было обнаружено около 100 типов 2D-материалов, в том числе четвертая основная группа простых элементов, третья и пятая основная группа, состоящая из бинарных соединений, халькогенидов металлов, сложных оксидов и т. Д. Эти данные не только нарушали долгое время Двумерные кристаллы не могут быть устойчивыми по своей природе, говоря, что их собственные характеристики показывают много новых физических явлений и электронных свойств, таких как полуцелый, фракционный и фрактальный квантовый эффект Холла, высокая подвижность, трансформация зонной структуры Монокристалл IVAVIB MX (M = Ge, Sn; X = S, Se) характеризуется высокой стабильностью, экологичностью, богатыми запасами и сходствами свойств материалов с черным фосфолином Было высказано большое беспокойство. Основываясь на первом принципиальном методе расчета энергетической зонной структуры MX, толщина критического слоя от косвенной запрещенной зоны до прямой запрещенной зоны и теоретические предсказания пьезоэлектрических свойств на основе его структуры симметрии C2v Однако из-за своей хрупкости трудно изготовить материалы одноатомного слоя непосредственно с помощью физических методов раздирания из-за его хрупкости, а также с помощью химического синтеза также трудно получить крупномасштабные монослои (более 1 мкм). IV Монохромные исследования двумерных материалов AVIB до сих пор остаются на этапе теоретического прогнозирования.
В MX GeSe теоретически считается единственным материалом с прямой запрещенной зоной, а спектральный охват материала охватывает почти весь спектр солнечного света, что делает его огромной областью для квантовой оптики, фотодетектирования, фотоэлектричества и электричества Из потенциала приложения. Соответственно, Чунцинский институт квантовой информационной технологической группы обнаружил, что использование кремниевой изоляции на основе диоксида кремния и метод лазерного разбавления, плотность мощности лазера может непрерывно разбавлять слой GeSe Толщина до единственного атомного слоя. Утончающийся механизм - это лазерное тепло, генерируемое в поверхностном слое GeSe, из-за слоистой природы самого материала GeSe, трудно нагреть своевременную передачу, в результате чего толщина слоя непрерывно истончается. Когда толщина GeSe уменьшается Как тонкий, как одноатомный слой, весь SiO2 / Si можно рассматривать как теплоотвод и не может быть дополнительно разбавлен. Используя этот метод, команда сначала экспериментально подготовила монослойный материал GeSe толщиной 100 микрон или более, основанный на спектре флуоресценции, Raman Спектр и другие методы изучения атомной и энергетической зонной структуры одиночного атомного слоя GeSe и проверки достоверности экспериментальных результатов на основе теории первого принципа. Эксперименты и теоретические расчеты показывают, что GeSe Спектр атомной флуоресценции атомного слоя очень широк: от видимой до ближней инфракрасной области обнаружено восемь пиков флуоресценции, косвенная запрещенная зона для прямого перехода запрещенной зоны произошла в третьем слое. Кроме того, команда была экспериментально подготовлена на основе тела GeSe Материалы и двумерные материалы, свойства IV и фотореакции показывают, что фоточувствительность двумерного материала в 3,3 раза больше, чем у соответствующего материала, а фотореактивность устройства двумерного материала также намного превосходит фоточувствительность соответствующего устройства для массового материала.
Соответствующие результаты исследований были опубликованы в передовых функциональных материалах, которые поддерживаются крупными пограничными проектами муниципалитета Чунцин, типа молодых ученых в западной части Китайской академии наук и гранта Национального фонда естественных наук Китая.
