Huahong Semiconductor de segunda generación de plataforma de tecnología de memoria flash incrustada de 90 nanómetros

Establecer noticias micro red, los principales fundiciones pure-play del mundo 200mm - Hua Hong Semiconductor Limited ha anunciado hoy su segunda generación de 90 nanómetros de flash incorporado (G2 eFlash 90nm) plataforma tecnológica ha sido la producción en masa éxito, la fuerza técnica y la competitividad una vez más fortalecido.

En la primera generación de 90nm arco iris semiconductor incrustado flash (de 90 nm G1 eFlash) acumulado en la tecnología de base, en el proceso de 90 nm G2 plataforma eFlash muchos 90nm G2 tamaño tecnológica actualización. Miniatura de la flash celular, más de generación disminuyó en aproximadamente un 25%, el tamaño mínimo para la corriente de la tecnología flash incrustado nodo de proceso de fundición de 90 nm global.

Además, el 90nm G2 incorpora una nueva arquitectura de diseño de Flash IP que proporciona un área muy pequeña de IP de Flash de baja potencia a la vez que garantiza alta confiabilidad (es decir, 100.000 ciclos de escritura y retención de datos de 25 años). Como resultado, 90nm G2 eFlash puede reducir significativamente el área total de los chips, lo que resulta en una única oblea con más chips desnudos, especialmente para los productos con chip eFlash de alta capacidad, la ventaja del área eFlash de 90nm G2 es más significativa.

Vale la pena mencionar que, 90nm G2 eFlash en la primera generación basada en la reducción de una capa de máscara, lo que hace que el costo de fabricación sea menor.

Actualmente, G2 eFlash de 90 nm ha logrado un alto rendimiento y rendimiento estable, y se utiliza con éxito para la producción a gran escala de chips de tarjetas de telecomunicaciones. También proporcionará soluciones de tecnología de fabricación de chips rentables para productos diversificados como chips de tarjetas inteligentes, productos de chip de seguridad y MCU .

Ran Dr. Kong, vicepresidente ejecutivo de Hong Hua Semiconductor, dijo: 'La segunda generación de la producción en serie exitosa de proceso de 90 nm eFlash G2, que marca un nuevo éxito en las características Hua Hong semiconductores de tecnología Flash incrustado memoria no volátil incorporado. la tecnología es una de nuestras prioridades estratégicas, desde hace mucho tiempo, en virtud de la alta seguridad, alta estabilidad, el alto costo y la tecnología avanzada de la industria ampliamente reconocido como líder de tarjetas inteligentes fundiciones IC del mundo, Hua Hong semiconductores se adhiere a las raíces, constantemente la optimización de procesos, actualización de plataforma para el piloto de tarjeta inteligente IC campo de la fundición, y la fuerza de las cosas, fuertemente vehículos de nueva energía, los mercados emergentes de alto crecimiento '.

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