در اولین نسل از 90nm نیمه هادی رنگین کمان های جاسازی شده فلش (90nm G1 eFlash) انباشته شده بر روی فن آوری پایه، در روند 90nm G2 پلت فرم eFlash بسیاری از فن آوری ارتقا دهید. 90nm G2 اندازه کوچک فلش سلولی، بیشتر از نسل حدود 25 درصد برای ریخته گری 90nm روند گره تکنولوژی فعلی جهانی جاسازی شده فلش کاهش یافته است، حداقل اندازه.
علاوه بر این، G2 90nm ویژگی های یک طراحی جدید معماری فلش IP، حصول اطمینان از قابلیت اطمینان بالا (به عنوان مثال، 10 میلیون بار قابلیت دوباره نویسی و حفظ اطلاعات 25 سال)، در حالی که ارائه یک منطقه بسیار کوچک از کم قدرت فلش IP. بنابراین، 90nm G2 eFlash تا حد زیادی می تواند به کاهش سطح تراشه به طور کلی، که دارای تعداد لخت تر از تراشه های روی ویفر تنها، به ویژه برای یک ظرفیت بالا محصولات تراشه eFlash، مزایای استفاده از منطقه eFlash 90nm G2 قابل توجه تر است.
لازم به ذکر است که 90nm G2 eFlash در نسل اول بر اساس کاهش یک لایه ماسک، ساخت هزینه تولید پایین تر است.
در حال حاضر، eFlash 90nm G2 تولید پایدار از عملکرد بالا، تولید در مقیاس بزرگ از کارت های مخابراتی برای موفقیت تراشه و تکنولوژی ساخت تراشه به ارائه راه حل مقرون به صرفه تر برای تراشه هوشمند کارت، تراشه امنیت محصولات MCU، و دیگر محصولات متنوع به دست آورده است .
دکتر کنگ ران، معاون اجرایی رئيس جمهور از هوآ هنگ نیمه هادی، گفت: "نسل دوم از تولید انبوه موفقانه برنامه eFlash 90nm G2، مارک موفقیت دیگری در ویژگی های هوآ هنگ نیمه هادی از تکنولوژی فلش تعبیه شده جاسازی شده حافظه غیر فرار. فن آوری یکی از اولویت های استراتژیک ما، مدت زمان طولانی به موجب امنیت بالا، پایداری بالا، هزینه بالا و تکنولوژی پیشرفته در صنعت به طور گسترده ای به عنوان پیشرو کارت هوشمند ریخته گری IC جهان به رسمیت شناخته، هوآ هنگ نیمه هادی به ریشه رعایت خواهد شد، به طور مداوم است بهینه سازی فرآیند، ارتقاء پلت فرم برای خلبان کارت هوشمند درست ریخته گری IC، و به شدت زور چیز، وسایل نقلیه جدید انرژی، با رشد بالا بازارهای در حال ظهور.