इंद्रधनुष अर्धचालक एम्बेडेड फ़्लैश 90nm (90nm G1 eflash), 90nm G2 eflash मंच कई तकनीकी उन्नयन। सेलुलर फ्लैश के 90nm G2 लघु आकार, के और अधिक करने की प्रक्रिया में आधार प्रौद्योगिकी पर संचित की पहली पीढ़ी में पीढ़ी मौजूदा वैश्विक फाउंड्री 90nm प्रक्रिया नोड एम्बेडेड फ़्लैश प्रौद्योगिकी के लिए, के बारे में 25% की कमी हुई न्यूनतम आकार।
इसके अलावा, 90nm G2 एक नए डिजाइन फ्लैश आईपी वास्तुकला, (यानी, 10 लाख बार रीराइटेबल और 25 साल का डेटा प्रतिधारण) उच्च विश्वसनीयता सुनिश्चित करने, जबकि कम बिजली फ्लैश आईपी के एक बहुत छोटे क्षेत्र प्रदान करते हैं। इसलिए, 90nm G2 eflash बहुत जो एक एकल वेफर पर चिप्स का एक और अधिक नंगे संख्या है समग्र चिप क्षेत्र, कम कर सकते हैं, विशेष रूप से एक उच्च क्षमता eflash चिप उत्पादों के लिए, 90nm G2 eflash क्षेत्र के फायदे और अधिक महत्वपूर्ण है।
यह उल्लेखनीय है कि, पहली पीढ़ी में 90 एनएम जी 2 ई-फ्लैश, मुखौटा की परत की कमी के आधार पर विनिर्माण लागत कम हो रही है।
वर्तमान में, 90nm G2 eflash चिप और चिप विनिर्माण प्रौद्योगिकी की सफलता स्मार्ट कार्ड चिप, सुरक्षा चिप एमसीयू उत्पादों, और अन्य विविध उत्पादों के लिए अधिक लागत प्रभावी समाधान प्रदान करने के लिए उच्च उपज, बड़े पैमाने पर दूरसंचार कार्ड के उत्पादन का एक स्थिर उत्पादन हासिल किया है ।
डॉ काँग दौड़ा, हुआ हाँग सेमीकंडक्टर के कार्यकारी उपाध्यक्ष ने कहा, '90nm G2 eflash प्रक्रिया के सफल बड़े पैमाने पर उत्पादन की दूसरी पीढ़ी, एम्बेडेड फ़्लैश प्रौद्योगिकी एम्बेडेड गैर वाष्पशील स्मृति के हुआ हाँग सेमीकंडक्टर विशेषताओं में एक और सफलता अंकन। प्रौद्योगिकी अपनी सामरिक प्राथमिकताओं में से एक, उच्च सुरक्षा, उच्च स्थिरता, उच्च लागत और उन्नत प्रौद्योगिकी उद्योग में व्यापक रूप से दुनिया की अग्रणी स्मार्ट कार्ड आईसी ढलाई के रूप में मान्यता के आधार पर एक लंबे समय, हुआ हाँग अर्धचालक जड़ों का पालन करना होगा, लगातार है प्रक्रिया अनुकूलन, पायलट स्मार्ट कार्ड आईसी फाउंड्री क्षेत्र के लिए मंच का उन्नयन, और दृढ़ता से बातें, नई ऊर्जा वाहनों, उच्च वृद्धि उभरते बाजारों के लिए मजबूर। '