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1. Lila autonome DDR4-Speicher-Belichtung: eine einzige 4 GB;
Obwohl China in verschiedenen Bereichen der Wissenschaft und Technik sind sprunghaft, erreicht oder überschritten die internationale Top-Level, aber das Gebiet der Halbleiter hat eine große kurze Bord, natürlich sind wir auch einen Durchbruch, um aufzuholen, CPU-Prozessor Supercomputer oder ob der Consumer-Bereich haben versucht, Speicher wird auch Fortschritte zu machen, um aufzuholen.
Vor allem in den letzten zwei Jahren weiter nachhaltig Speicherpreise steigen, Samsung, SK Hynix, Micron wenige Oligarchen fest das Recht halten zu sprechen, sondern heben auch die Notwendigkeit der Autonomie.
Jetzt hat Ziguang schließlich Chinas erste unabhängige PC-DDR4-Speicherchips geschaffen, DRAM-Partikel besitzen vollständig eigene Forschung und Entwicklung.
Online Belichtung des Bild sieht, gibt es eine klare Erinnerung an diesem lila Guoxin (UnilC) Logo ist ein einfacher kahlen Streifen, einzelne Kapazität von 4 GB, spezifischere Spezifikationen sehr deutlich sehen.
Xi'an Lila Guoxin Semiconductor Co., Ltd., wird auf der Grundlage der Mai 2009 entwickelten Restrukturierungs Rekonstruktion des ursprünglich deutschen Qimonda Technologies (Xi'an) Co., Ltd., Infineon Technologies von Deutschland im Jahr 2003 als die Speicheraufteilung in Xi'an im Jahr 2006 gegründet wurde, Infineons Speicheraufteilung aufgeteilt wird Auflistung von Qimonda Technologies, Qimonda Technologies (Xi'an) Co., Ltd wird auch festgelegt werden und der Betrieb als eigenständiges Unternehmen beginnen.
Im Jahr 2009 Inspur Konzernanschaffungs- der ehemaligen Deutschen Qimonda Technologies (Xi'an) Co., Ltd für die Umstrukturierung umgebaut und umbenannt Xian Huaxin Semiconductor Co., Ltd im Jahr 2015, violett lila Guoxin Group Co., Ltd Xi'an China Kern Semiconductor Co. zu erwerben Unternehmen und änderte ihren Namen in Xi'an lila Guoxin Halbleiter Limited.
Xi'an lila Kerngeschäft Guoxin ist ein Speicher, Design und Entwicklung, Massenproduktion der eigenen Marke von Speicherprodukten Vertrieb, sowie anwendungsspezifische integrierte Schaltung Design und Entwicklung. Darüber hinaus verpflichtet sich große Projekte der nationalen Wissenschaft und Technologie ‚nukleare hohen Sockel‘ und der nationalen High-Tech-Entwicklungsplan ‚863 ‚und andere wichtige Sonderprojekte und Forschungsthemen im Bereich der Speicher.
Im Januar dieses Jahres kündigte Pläne Unisplendour Gruppe 200 Milliarden Yuan in den Bau der Halbleiterindustrie Basis in Nanjing zu investieren, nach einem Abschluss größte Chip-Fertigung in China Pflanze, 100.000 Wafern herzustellen.
Im Juli letztes Jahr, lila auch in Investitionen in dem Jangtse-Speicher beteiligt ist, die eine Gesamtinvestition von 16 Milliarden Yuan plant heimischen 3D-NAND-Flash-Speicher zu bauen, auch eine 500 Person R & D Team, Forschung DRAM-Speicherfertigungstechnik. Express-Technologie einrichten
2. Pizhou große Verbindungshalbleiter-Industrie trat auf die Überholspur;
22. Dezember 'ging in die große Verbindungshalbleiter-Industrie Basis Pizhou cum Einweihung live' statt in Pizhou City, Jiangsu Province, Jiangsu Normal University, Provinz Jiangsu Industrial Technology Research Institute, Nanjing Universität für Informationswissenschaft, Fakultät für Mikroelektronik, Universität von Peking mehr als 200 Experten und Professoren aus Forschungszentren, Südost-Universität, Institut für Mikroelektronik und anderen großen Universitäten oder nationalen Forschungsstruktur des Treffens, der Parteisekretär Chen Jing Pizhou, an der Sitzung teil und hielt eine Rede.
Pizhou Parteisekretär Chen und Vizekanzler der Southeast University Wei Chao Wu Gang eröffnete das Foto ist große Verbindung (Pizhou) Technology Center Alliance-Übertragung
Es wird berichtet, dass in der letzten Jahren Pizhou Haupthalbleiterindustrie High-End, für die Industrie-Halbleiter-Anlagen und Materialien haften als die Hauptrichtung des Ausbruchs neuer Industrien Wachstum und Innovation als treibende Kraft zur Förderung der Entwicklung des ersten führen, Stick mit High-End-Industrie ‚Siphon‘ High-End-Talent, High-End Talent Boost High-End-Branchen.
Derzeit hat Pizhou schrittweise aufgebaut Rückkehrer europäischen Halbleiter Business-Park, fördern die Einführung von Experten 35 Menschen Menschen bei der Planung ", fördern die Einführung von‚Menschen-Plan‘3 Experten, die Einführung von Nobelpreisträgern 2 Personen, und die Einrichtung des ersten nördlichen Jiangsu Schnee bell Award Gewinner Studio gegründet China Lithographietechnologie Forschungszentrum, China Wissenschaft und Technologie-Innovation-Center in Halbleiter, Forschung Mikroelektronik von der chinesischen Akademie der Wissenschaften getan, Xuzhou Institut und andere Ausbildung ‚GuoZiHao‘ Forschungsplattform, Pok Hong Informationen, die Geschwindigkeit optischen Film, der Elektronik, Laser Huaxing und andere führendes Typ, Basistyp Unternehmen niedergelassen haben, Halbleitermaterialien und Elektronikgeräte-Industrie Basis der nationalen Fackel erfolgreicher Anwendungen industrielle Basis.
Die Experten besuchten die Gäste die europäische Halbleiter-Business-Park Rückkehrer Wei Chao Foto
Während der Veranstaltung, Transfer der Center Alliance Technologie große Verbindung (Pizhou), Chinesische Akademie der Wissenschaften, Institut für Mikroelektronik-Industrie Basis und industrielle Basis in Jiangsu Niederlassung Information Engineering der Universität, sind Großprojekte eröffnet. Pizhou Economic Development Zone mit ‚Tausenden von jungen nationalen Plan "Experten haben eine Reihe von Kooperationsabkommen unterzeichnet.
Chen bei der Eröffnungszeremonie eingeführt, die aktuelle Pizhou Halbleitermaterialien und Anlagen der Industrie hat sich auf die Überholspur von Pizhou zuversichtlich entwickelt, haben den Vorteil, eine sehr internationale Wettbewerbsfähigkeit und den Einfluss neuer Industrien Heights zu schaffen. Als zukünftige Talent der erste Träger Ressourcenentwicklung, qualitativ hochwertige und effiziente Entwicklungsumgebung zu schaffen und Kooperationsprojekte beschleunigen die große Verbindung zur Förderung der frühen Wurzel, blühen und Früchte tragen zu nehmen, so dass mehr Unternehmer in Pizhou kreativen, ihr Talent zu zeigen, Erfolg im Leben. (Yang Yao Chi ) Xinhua
3. Super Zhejiang University neue Batteriematerialien an die Batterie zu entwickeln, ist vollständig 1,1 Sekunden geladen
Wissenschaftler der Zhejiang Universität verwendeten eine Graphenmembran als Kathodenmaterial und entwickelten eine neue Art von Aluminium-Graphen-Batterie, die extrem lange ist und in einem sehr kurzen Zeitraum, im Temperaturbereich von minus 40 ° C bis 120 ° C, vollständig aufgeladen werden kann Kann richtig funktionieren. Diese Innovation wies auf eine wichtige Richtung für den praktischen Einsatz von Aluminium-Ionen-Batterien hin.
Al-Ionen-Akku ist eine ausgezeichnete neue Batterie, der Schlüssel zur praktischen Verwendung ist es, ein geeignetes Kathodenmaterial zu finden.Zhejiang University Department of Polymer hervorragende Professor der ausgewählten Gruppe von Graphen erstaunliches Material, mit innovativer Technologie, um einen einzigartigen Graphen-Film als vorzubereiten Kathodenmaterial, stark verbessern die Gesamtleistung von Aluminium-Ionen-Batterien, und jetzt Mainstream-Lithium-Batterien und Super-Kondensatoren, um mit der Aussicht auf sehr gut zu kämpfen.Related Papiere kürzlich in der internationalen bekannten Zeitschrift "wissenschaftlichen Fortschritt."
"Die Kapazität der Batterie, gezeigt wird, ist ihre Akkulaufzeit. Allgemeine Batterie mit wiederholtem Laden und Entladen, wird die Kapazität weiter sinken, was wir" nicht haltbar "sagen." Super sagte, "Aluminium - Graphen-Batterie an dieser Stelle Dann ist die Leistung ausgezeichnet.Die Batterie hat 250.000 Lade-Entlade-Zyklen unterzogen, Lade-und Entlade-Effizienz ist immer noch so hoch wie 91%, Kapazitätsverlust ist sehr klein. "Das heißt, wenn das Smartphone mit dieser Batterie, auch wenn 10-mal täglich aufladen, Kann fast 70 Jahre lang benutzt werden.
Diese Aluminium-Graphen-Batterie bietet auch eine hervorragende Ratenleistung mit schnellem Laden bei hohen Strömen, während die hohe spezifische Kapazität beibehalten wird. "Einige Smartphones haben auch Schnellladefähigkeiten, und es scheint, dass die Batterie schnell gefüllt wird , Die tatsächliche Akkulaufzeit ist nicht lange. "Hervorragend gesagt, dass die neue Batterie jetzt Labordaten 1,1 Sekunden ist voll aufgeladen, der Verlust der Kapazität als geringfügig." "Wenn Sie das Telefon in der Zukunft verwenden, laden 5 Sekunden Anruf 2 Stunde ist durchaus möglich.
'Aluminium-Graphen-Batterien in der Rate der Leistung, Zyklus Lebensdauer nicht Superkondensator verlieren, weit über die Lithium-Batterie. Obwohl die Energiedichte und Lithium-Batterie ist immer noch eine Lücke, aber deutlich mehr als der Superkondensator.' Super sagte, dass angesichts Lithium-Batterien und Superkondensatoren Diese beiden Konkurrenten, Aluminium-Graphen-Batterien, haben besondere Vorteile gezeigt, die man als "Superbatterien" bezeichnen kann.
Aluminium - Graphen-Batterie und eine andere Batteriestrom nicht angepasste Kennlinie niedrig zu minus 40 ℃, Aluminium -. Graphenbatterieladung und Entladungsstabilität sogar 1000, 100 °] C auf eine hohe Temperatur, eine stabile Entladung 45.000 mal, selbst wenn die Batterien ist nicht auf eine Flamme des Feuers oder einer Explosion. diese weiten Temperaturbereich für die zukünftige Verwendung Aluminium-Ionen-Batterien unter extremen Temperaturbedingungen. einer solchen Batterie sowie eine gute Flexibilität die Grundlage gelegt ausgesetzt, Kapazität nach 10.000 Biege voll erhalten, Potential in tragbaren elektronischen Vorrichtungen flexible zeigt.
Die überlegene Leistung von "Superbatterien" beruht auf der hervorragenden Mikrostruktur des Graphenfilms als Kathodenmaterial und der damit verbundenen makroskopischen Effizienz Viele der wichtigen Eigenschaften einer Batterie sind hervorragend, je nachdem, wie gut Elektronen und Ionen zwischen positiv und negativ fließen können Sehr starke Strömung zwischen den Elektroden Im Vergleich zu anderen Kathodenmaterialien hat die fortgeschrittene Forschergruppe einen Graphenfilm, qualitativ hochwertige Kristallgitterdefekte, hochorientiert mit durchgehenden Tunneln, wie eine in alle Richtungen verlaufende Autobahn, vorbereitet, die Elektronen und Ionen ungehindert passieren lässt. Online