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1.Xcerra mención a CFIUS fue de 4 mil millones adquisición de China Core;
Establecer noticias micro red, el Xcerra estadounidense Grupo de Semiconductores de nuevo bajo el Comité de Inversiones Extranjeras de Estados Unidos (CFIUS) para presentar una solicitud al Ministerio de Finanzas, con la esperanza de obtener la aprobación, realice los compradores chinos ofrecen planteadas.
Xcerra acordó en abril de aceptar, con un fondo funcionario chino de la compañía de gestión de inversiones núcleo Unic la gestión del capital de China recaudado $ 580 millones de oferta. Transacción estará sujeta a la aprobación del CFIUS. Sin embargo, este último no aprobó la transacción dentro de los 75 días especificados Xcerra Volver a solicitar a CFIUS le dará a Xcerra otros 75 días para esperar la aprobación.
David Tacelli Xcerra director general señaló, han sido la comunicación constructiva con CFIUS, asegúrese de que el Comité de entender la naturaleza de la industria, con el fin de aprobar la transacción, la Comisión ha indicado pueden necesitar más tiempo para tomar una decisión.
17 de agosto ha habido noticias, adquisiciones chinas de Xcerra un caso de prueba planta de semiconductores de Estados Unidos, debido a preocupaciones de seguridad nacional podrían Midway cambiaron. De acuerdo con el Wall Street Journal informó que otro competidor estadounidense Cohu tratando de secreto obstrucciones, trataron de detener Xcerra casarse.
Según el informe, Cohu hizo un pequeño informe directamente a la Comisión de Inversión Extranjera de EE. UU. (CFIUS), señalando directamente las preocupaciones de seguridad nacional de China sobre la adquisición de Xcerra por parte de China.
Frente a estas acusaciones al ser consultado por Reuters respuesta Xcerra, dijo que Chen Cohu cosas inexistentes, ya que no tenía Xcerra IP crítico de cualquier cliente. Compañías de semiconductores no compartirán información importante y prueba de fábrica o el distribuidor.
2. El almacenamiento doméstico del material clave del núcleo debut "Ciencia";
El académico Wang Xi presentó los premios y los premios para el equipo de canción Zhitang
Shanghai Microsystems, director de la división especial 02 Estado vicepresidente del habla Wang Xi
Investigador de Song Zhitang para el informe de investigación relacionado
Web of Science de diciembre de 22 de Shanghai de noticias (reportero Huang Xin) para animar a personal científico y tecnológico en el campo de batalla principal de la innovación científica y tecnológica, promover la prosperidad académica y favorecer el desarrollo de la ciencia y la tecnología talento, Shanghai Institute of Microsystem esta tarde llevó a cabo según informa un artículo de Science alto nivel publicados, en reconocimiento grupo de investigación investigador canción Zhitang a alta velocidad, bajo consumo de material nuevo Sc-Sb-Te memoria de cambio de fase en importantes resultados de la investigación científica. se ha informado de que Shanghai Instituto de Tecnología de Microsistemas y la información en forma conjunta Semiconductor Manufacturing Co. internacional, optar por incrustar la memoria de cambio de fase (pcram) como punto de partida en el programa de investigación y desarrollo científico y tecnológico nacional clave se centró en nano especial, la ciencia y la tecnología nacional importante 'gran equipo de fabricación de circuitos escala integrada y juegos completos de' proyectos especiales (02 proyectos), la Fundación de Ciencias Naturales nacional de china, la Academia china de Ciencias una financiación estratégica clase de los principales proyectos de ciencia y tecnología, el talento de liderazgo en Shanghai, el Shanghai ciencia y tecnología de la Comisión y otros proyectos, después de más de diez años de investigación, la ciencia y la tecnología ha hecho importante serie de material de protección en el almacenamiento, el diseño de chips de memoria, tecnología de fabricación básica de pcram Progreso.
Se ha informado de que los resultados de investigación con los derechos de propiedad intelectual independientes (/ / 096334, patente china 201510697470,2 patente internacional PCT CN2016) 9. De noviembre de este año, la revista "Science" con titulada 'La reducción de la estocasticidad de la nucleación de cristales para permitir la escritura de memoria subnanosecond' en línea estos importantes resultados de investigación publicados, y se publicaron en el Diario de 15 de diciembre, que es un importante sistema de micro papeles Ciencia Shanghai está situado en el Diario publicadas, sino también los primeros trabajos académicos en el campo de la tecnología avanzada de almacenamiento de material clave núcleo .
Informe será presidida por el secretario del partido de Shanghai Institute of Microsystem y gongs; Xie Xiaoming, subdirector lectura a la decisión en el reconocimiento del Instituto de Shanghai de Microsystem pcram equipo de proyecto de la Academia China de Ciencias, Instituto de Shanghai de Microsystem Instituto, el vicepresidente nacional 02 división especial Wang Xi era. Los premios y bonificaciones del equipo.
Wang Xi dijo en su discurso, el equipo pcram de investigadores dirigido por Song Zhitang, desde 2002, después de casi 15 años de logros asiduamente para ser felicitados. Se espera que los científicos pueden mucho éxito, aún más, en el actual tiene que hacer una mayor base de logros., se enfrenta a la vanguardia de la ciencia mundial y la tecnología, las necesidades nacionales, el principal campo de batalla para la economía nacional, la innovación ayudan a impulsar, y se esfuerzan por practicar la Academia china de la Oficina de Ciencias de la CAS en la nueva política, en el Centro de innovación en Shanghai rama para hacer nuevas construcciones Contribuciones
industria del IC es 'Trece Cinco' industrias nacionales estratégicas emergentes. La memoria es una de las tecnologías más importantes de los circuitos integrados, es una manifestación importante de la competitividad de la base del país. China es una base de fabricación mundial de productos electrónicos, la autosuficiencia es todavía relativamente memoria Samsung débil en el extranjero, Intel y otras empresas de semiconductores grandes monopolizar las tecnologías y productos de memoria para el desarrollo industrial de seguridad de la información de china y la información forman los principales riesgos. inminente desarrollo de la nueva tecnología de memoria de semiconductor nuestra propia propiedad intelectual.
En la actualidad, el material con memoria de cambio de fase aceptada internacionalmente es un 'GST' (Ge-Sb-Te). Los recientes avances en tecnología de circuitos integrados consumo de energía del chip de memoria, la vida, tamaño, resistencia y otros indicadores de desempeño Han presentado requisitos más altos, científicos de todo el mundo están intensificando la investigación y el desarrollo de materiales de almacenamiento.
Academia China de Ciencias Instituto de Shanghai de Microsystem y equipo de investigación de tecnología de la información de canción Zhitang ha hecho un gran avance en el estudio de nuevos materiales de memoria de cambio de fase, en la fase de transición autónoma bajo la guía de una teoría metaestable cúbica centrada en las caras del octaedro primitivo, la innovación propuesto dos ideas de investigación y desarrollo de celosía octaédrica emparejado con estructuras electrónicas, para diseñar el nuevo material de cambio de fase para estabilizar los centros de nucleación como octaédrica para reducir la aleatoriedad de nucleación del material de cambio de fase amorfa para lograr una cristalización de alta velocidad por primera teoría y el cálculo de simulaciones de dinámica molecular, el número de los elementos del grupo de transición, preferiblemente escandio, iridio (Sc, y) como un elemento dopante, pruebas de rendimiento por unidad almacena almacenamiento, especialmente para la alta velocidad de memoria regrabable ensayo de células, invención de alta velocidad-basados Sc Sb Te-, bajo consumo de energía, larga vida, alta estabilidad 'de teluro escandio antimonio' (Sc-Sb-Te) material de cambio de fase, proceso CMOS 0.13um preparó usando el dispositivo de memoria de cambio de fase 700 para lograr una reversibilidad velocidad de picosegundos operaciones de borrado, el ciclo de vida de más de 107 veces en comparación con el dispositivo de memoria de cambio de fase basado convencional Ge-Sb-Te, el funcionamiento del consumo de energía reducido en un 90%, y bastante diez años de retención de datos por una mayor optimización materiales y dispositivo en miniatura tamaño del elemento, Sc-Sb-Te pcram basado en el rendimiento global se mejora aún más investigación muestra, Sc-Te núcleo octaédrico estable como es la principal causa de nucleación y crecimiento de alta velocidad, bajo consumo de energía; El ajuste de red con la estructura electrónica es largo la principal razón vida; conversión estable inhibición octaédrica cúbica centrada en las caras dirección hexagonal (FCC-HEX) es de alta velocidad, bajo consumo de energía una de las razones.
Se entiende, Sc-Sb-Te material de memoria de cambio de fase es un descubrimiento importante de Instituto de Shanghai de equipo de investigación Microsystem acumulado trabajo de investigación a largo plazo en la memoria de cambio de fase. El equipo de investigación también encontró que el Ge-Sb que la producción en masa internacional Te mejor rendimiento material con memoria de nuevo cambio de fase independiente Ti-Sb-Te; 4F2 desarrollado independientemente una tecnología de diodo de alta densidad ha avanzado aislamiento de doble canal nivel; un primer chip de prueba desarrollada de 8 Mb pcram; desarrollado basado en el proceso de 0.13umCMOS impresora ha sido incorporado por los primeros pedidos de productos pcram 7.500.000; 40nm basado en tecnología de diodos de alta densidad, lee de la celda de memoria que tiene el tamaño más pequeño se ha desarrollado de muestreo; el nodo de 40nm desarrollado La unidad de chip de prueba PCRAM rinde hasta 99.999% o más, e incluso sin corrección, el chip PCRAM de 4Mb y 64Mb ahora está disponible para los clientes en la prueba de sistema de información avanzada.
En la reunión, Song Zhitang, un equipo de colegas investigadores, compartió las tendencias de investigación y desarrollo del almacenamiento de cambio de fase y la exploración inquebrantable del equipo de innovación tecnológica e industrialización.
Dijo que el rendimiento de estos nuevos materiales de cambio de fase, la solución de la memoria física y el problema de flash de baja potencia de alta velocidad, junto con circuito de lectura de alta velocidad se ha utilizado en la producción de chips desarrollado (US8947924), se nueva generación de la forma más avanzada de la memoria de China, tales como el material será más validado en una alta densidad, chip de memoria en tres dimensiones, lo que es valioso para nuestro país para romper las barreras técnicas extranjeras y el desarrollo de chips de memoria de propiedad; para la realización de nuestra tecnología de memoria El desarrollo de avance, la promoción de la prosperidad de la industria de la información de China y la protección de la seguridad de la información en nuestro país son de importancia estratégica.
Directora SNCF de la Dirección de Información, cuatro Pan Qing, Director de la ciencia y la tecnología de vanguardia en el Departamento de Ciencias de la Educación Kong Minghui, la Universidad de Pekín profesor Zhang, 02 nacional de ciencia y tecnología de los principales expertos oficina de gestión de proyectos Ma Zhenyu, Comisión Técnica de la alta tecnología de la Academia de Ciencias de China Shanghai Ciencia y director Adjunto Yang Song, director Chen Ming Zhao, presidente de los centros de Shanghai IC I + D en la industria aeroespacial, Min, director de Shanghai Centro de Nanociencia reino, vicepresidente ejecutivo de Semiconductor Manufacturing International Co. Zhoumei Sheng, Walker Road y Shanghai Microsystem media cuadros más arriba, la columna vertebral de la investigación científica, los estudiantes graduados asistieron a la conferencia.
Los expertos han dicho que para el Zhitang canción y la dedicación del equipo, se adhieren movió. Años de espada, que esperan que el equipo no puede olvidar el corazón a temprana edad, ha hecho importantes avances en la investigación básica original, mientras que en la industrialización de los logros y de servicios científicos y tecnológicos que el campo de batalla principal de la economía nacional para lograr mayores resultados.
3. Norte nm campo de aterrizaje de papel láser "Nature Communications" y "científico-progreso";
Recientemente, los investigadores Maren Min Universidad de Pekín y colaboradores demostraron por análisis teórico y similares láser sistemas experimentales de plasmones nanómetros puede ser menor que las impresoras láser convencionales, más rápido y con menor consumo de energía y un valor umbral; y revelador la presencia de otras diferencias esenciales en comparación con el campo de radiación láser nanómetro plasmón láser convencional que unas oscilaciones de la superficie de metal de los electrones libres formados formas de plasmones. trabajo relacionadas son "comunicación natural" y "los avances en la ciencia, puede ser todo lo "se informó la revista con el título de 'leyes de escala inusuales para nanoláseres plasmónicas más allá del límite de difracción' y 'la proyección de imagen de la emisión oscura spasers'.
Desarrollo de láser de profundizar en la comprensión de la gente de la interacción de la luz con la materia, y se ha promovido en gran medida el desarrollo de la ciencia y la tecnología moderna. Desde la invención del láser, la miniaturización ha sido una de las principales áreas de investigación con láser. Su propósito es obtener menor tamaño, menor consumo de energía y más alto de modulación de velocidad de un láser, tales como pulido con láser en la afirmación de chip de interconexión en el que los láser electrónica directos escala de proximidad y el consumo de energía menor que interconexión eléctrica sofisticada debería sobre 10 volar energía por bit de la orden. a la misma escala de la potencia del láser fue correlación positiva, 10 bits de cada orden de volar requisitos de consumo de energía directamente al volumen modo láser de menos de aproximadamente 0,02 longitudes de onda cúbicos.
El principio básico de un láser convencional de la Fig. 1 (izquierda) y nano-láseres (derecha) Esquema
Durante los últimos 40 años en la miniaturización de los láseres se ha traducido en grandes logros, desarrollado un láser (el VCSEL), los láseres de micro-disco, láser de cristal fotónico y un láser de nanocables y otro láser miniaturizado comprende una superficie de cavidad vertical y emisión Sin embargo, en tales láser óptico convencional , el medio de ganancia es amplificada por emisión estimulada de fotones, y por lo tanto el tamaño del láser por la restricción límite de difracción óptica, una dimensión mínima mayor que la mitad de la dimensión media de cada longitud de onda es difícil de lograr la miniaturización (a la izquierda en la Fig. 1).
Como un láser tridimensional es mucho más pequeña que las dimensiones físicas simultáneamente nueva longitud de onda de emisión láser (la derecha en la Fig. 1). Este láser nanómetro óptico convencional con diferentes rayos láser, la superficie del cual está agrandada por la oscilación de los electrones libres en el metal que forma nano plasmón plasmón, en lugar de fotones, lo que permite-modo óptico de confinamiento 10 nanómetros de profundidad de escala características de sub-longitud de onda. Sin embargo, usando un efecto láser nano plasmón causada por campo electromagnético espacialmente localizada debe ir acompañada de la absorción de metales pérdida. Por lo tanto, la posibilidad de láser nanómetros en comparación con los láseres convencionales tienen ventajas de rendimiento de este tema ha sido motivo de controversia.
investigador Maren Min con sus socios a través del sistema para optimizar el material de ganancia, un material metálico, y una cavidad resonante, el umbral de acción láser de la nano láser rebajado al nivel de 10 kilovatios por centímetro cuadrado, es más bajo que han sido reportados en más de dos órdenes de magnitud las nanopartículas de umbral láser mínimos la primera vez el valor de umbral se reduce a los láseres nanómetros nivel de umbral de acción láser láser comercialmente viable. que estudio más sistemático de más de 100 grupos como la muestra de control de láser de plasmón nanómetros sin los más de 100 grupos de limitación de metal, los experimentos dieron plasmón nano elemento láser de la ley rendimiento clave sobre diferentes tamaños de escala (leyes), demostrado en comparación con los láseres convencionales nanoescala nanómetros del láser puede tener un menor tamaño físico, mientras que velocidades de modulación más rápida, menor umbral de potencia (Figura 2) Este trabajo fue publicado en Nature and Communication (8, 1889, 2017).
La Fig. 2 Nano láser plasmón puede ser menor que los láseres ópticos convencionales (A), menor consumo de energía (b), más rápido (c)
En este año, publicado en "Ciencia · Progreso" (3, e1601962, 2017) Otro trabajo, los investigadores Ma Renmin y colaboradores utilizando imágenes de microscopía de radiación de fuga, el método por el que coincida con el impulso de los plasmones de superficie nano-láseres elemento oscuro acoplado a la radiación de campo lejano, para lograr un espacio real, y el espacio espacio espectro impulso imagen directa, que se muestra en la Figura 3. los resultados indican la presencia de la diferencia esencial en comparación con el láser nanómetro láser convencional, que campo de radiación puede ser completamente libre de metal oscilaciones de plasmón de superficie electrónica forma formaron. el primer trabajo revelar el modo de propagación de la energía de radiación láser nanómetro puede estar acoplado a un plasmón de superficie cien por cien, la base para su posterior manipulación láser nanómetro y aplicación.
La figura 3 nm láser espacio real (a), el espacio de impulso (b) y la frecuencia espacial (c) formar imágenes FIG.
La Universidad de Pekín de doctorado y post-doctorado Wang Wang en cuanto a "Nature Communications" de papel co-primer autor; Universidad de Pekín estudiante de doctorado Chen Huazhou, 2,011 de licenciatura y de doctorado, Hu Jia Qi Wang es el co-autor de "ciencia, el progreso," el papel; los principales colaboradores incluyendo profesor de la Universidad de Pekín Darren y profesor británico Imperial College de Rupert Oulton ;. tanto investigadores Ma Renmin trabajo fue 'miles de jóvenes' proyecto es correspondiente autor de ambos documentos, la Fundación de Ciencias Naturales nacional de China, Ministerio de Ciencia, microestructura artificial mesoscopic estructuras y el apoyo del Estado clave de laboratorio de la física cuántica, centro de innovación de los materiales de la ciencia colaborativa.
Datos adjuntos: Maren Min laboratorio investigador principal: http://www.phy.pku.edu.cn/~renminma/ la Universidad de Pekín
4. Academia China de Ciencias construyó el más grande equipo de laboratorio plataforma de intercambio
La agencia de noticias China, Beijing 22 de diciembre (Reporter Zhang Sb) - Reporteros aprendido 22 de la Academia China de Ciencias, construyó los más grandes equipos de laboratorio del hospital servicios en línea y sistema de gestión de la operación, y promover efectivamente la distribución social del equipo de investigación.
El sistema denominado 'compartida plataforma de gestión de equipos V3.0 Academia de Ciencias de China' basado en aplicaciones móviles, redes, la nube y la arquitectura de tecnología abierta del edificio. Desde finales de 2016 en la línea, tiene 15 grandes instrumentos en el área de la Academia China de Ciencias Center, 114 Instituto aplicado con éxito.
Según las estadísticas, en línea grandes equipos alcanzaron 8.000 conjuntos, por un valor de más de 11 mil millones de yuanes, el sistema el número de usuarios llegó a más de 40.000 personas a partir de finales de 2017 de noviembre, cuando las máquinas de uso anuales plataforma compartida ha superado los 10 millones de horas, manejar el encargado singular Cerca de 600,000 pedidos.
Los datos muestran que el sistema esté inactivo y el equipo de investigación de la 'hospital' Go 'lobby', el intercambio social abierta. Desde el año V3.0 sistema en línea, el hospital llegó a más de 1,51 millones de horas máquina compartida.
Evaluación de expertos de aceptación, sistema V3.0 desde la reserva de equipos, auditoría de reserva, análisis de prueba, registro de muestras al costo de liquidación de la gestión del ciclo de vida experimental, una serie de importantes innovaciones científicas y tecnológicas resultantes de esto. Por ejemplo, Instituto de Física, Academia China de Ciencias Confiando en la ciencia material y la nanotecnología de Beijing, la plataforma de tecnología pública superconductora del centro regional de instrumentos a gran escala, en el estudio de los registros superconductores superconductores de temperatura superconductores basados en hierro.
Así como el Instituto de servicios sociales con servicios de sistema V3.0. El Instituto de Nanotecnología y Nanotecnología de Shanghái confía en la plataforma, en un año para 120 institutos de investigación, 220 equipos de investigación universitaria y alrededor de 120 empresas de I + D para proporcionar servicios, incluso para Suzhou Minxin Microelectronics Technology Co., Ltd. y Wei Qi Biotechnology Co., Ltd. para resolver los problemas del proceso de corte invisible del láser, por lo que un aumento sustancial en el rendimiento empresarial.