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1.Xcerra para CFIUS mencionar foi 4 bilhões de aquisição da China Core;
Defina notícias do micro-fio, o grupo de semicondutores dos EUA Xcerra mais uma vez para a Comissão de Investimento Estrangeiro dos Estados Unidos (CFIUS) para enviar um pedido, na esperança de obter aprovação para completar a aquisição de compradores chineses na proposta.
Xcerra concordou em abril para aceitar uma oferta de aquisição de US $ 580 milhões da Unic Capital Management, uma empresa oficial de gerenciamento de investimento apoiada pela China, que está sujeita à aprovação da CFIUS, embora o último não aprovou o acordo da Xcerra nos 75 dias O reaplicado ao CFIUS dará a Xcerra mais 75 dias para aguardar a aprovação.
Dave Tacelli, presidente-executivo da Xcerra, disse que houve uma comunicação construtiva com o CFIUS para garantir que a Comissão entenda a natureza da indústria para aprovar a transação, mas o comitê indicou que pode demorar mais tempo para tomar uma decisão.
Em 17 de agosto, foi relatado que a aquisição chinesa da Xcerra, uma usina de teste de semicondutores nos Estados Unidos, pode ter mudado a meio caminho devido a preocupações com a segurança nacional. De acordo com o Wall Street Journal, outro rival dos Estados Unidos, Cohu, tentou impedir que Xcerra cruzasse a porta.
De acordo com o relatório, Cohu fez um pequeno relatório diretamente à Comissão de Investimento Estrangeiro dos EUA (CFIUS), apontando diretamente para as preocupações da segurança nacional chinesa sobre a aquisição chinesa da Xcerra.
Em resposta às alegações, Xcerra disse em resposta a uma pergunta da Reuters de que o caso de Cohu é inexistente, pois Xcerra não possui nenhum dos IPs principais de seus clientes e que as empresas de semicondutores não compartilham informações importantes com plantas de teste ou agências.
2. Armazenamento doméstico de matérias-chave principais debut "Ciência";
O acadêmico Wang Xi concedeu prêmios e bônus da equipe Song Zhitang
Instituto de Microsistemas de Xangai, Nacional 02 Wang Xi, vice-chefe de discurso especial
Song Zhitang pesquisador para o relatório de pesquisa relacionado
Web of Science 22 de dezembro Shanghai notícias (repórter Huang Xin) para incentivar pessoal científico e tecnológico para o principal campo de batalha da inovação científica e tecnológica, promover a prosperidade acadêmica e incentivar o crescimento da ciência e tecnologia talento, Shanghai Institute of Microsystem esta tarde realizada uma relatórios artigo da Science alto nível publicados, em reconhecimento canção Zhitang grupo de pesquisa pesquisador em alta velocidade, material novo Sc-Sb-Te memória de mudança de fase de baixa potência em importantes resultados de pesquisas científicas. é relatado que Shanghai Institute of Microsystem e Tecnologia da informação em conjunto Semiconductor manufacturing Co. internacional, optar por incorporar memória de mudança de fase (PCRAM) como o ponto de partida do programa de pesquisa e desenvolvimento científico e tecnológico nacional-chave focada em nano especial, ciência e tecnologia nacional grande 'equipamentos de fabricação de circuitos escala integrado grande e conjuntos completos de' projetos especiais (02 projectos), a Fundação nacional de ciência Natural da China, Academia chinesa de Ciências um financiamento estratégico classe a partir de projetos de ciência e tecnologia de ponta, o talento de liderança em Xangai, o Xangai ciência e tecnologia da Comissão e outros projetos, depois de mais de dez anos de pesquisa, ciência e tecnologia tornou importante série de material de triagem no armazenamento, design de chips de memória, tecnologia de fabricação básica de PCRAM Progresso.
É relatado que os resultados de pesquisa com direitos de propriedade intelectual (PCT Internacional de Patentes / CN2016 / 096334, patente chinesa 201.510.697.470,2). 09 de novembro deste ano, revista "Science", com intitulada 'Reduzir o stochasticity de nucleação de cristal para permitir a gravação de memória subnanosecond' on-line este importante resultados da investigação publicada, e publicado no Journal de 15 de Dezembro, que é uma importante papéis Ciência Xangai sistema de micro está localizado no Journal publicou, mas também os primeiros trabalhos acadêmicos no campo da tecnologia de armazenamento avançado material de chave principal .
O relatório foi presidido por Qi Ming, secretário do comitê do partido do Xangai Instituto do Micro-sistema, Xie Xiaoming, vice-diretor, leu a decisão do Xangai Microsystems em equipe do projeto PCRAM. Acadêmico da Academia Chinesa de Ciências, Diretor do Xangai Microsystems Institute e Wang Xi, Os prêmios e bônus da equipe.
Wang Xi disse em seu discurso que sob a liderança do Professor Song Zhitang, a equipe de PCRAM merece parabéns pelas conquistas realizadas após quase 15 anos de trabalho árduo desde 2002. Ele espera que os cientistas possam continuar Com base na conquista de maiores conquistas. Pode enfrentar a fronteira científica e tecnológica do mundo, enfrentando as principais necessidades nacionais, enfrentando o principal campo de batalha da economia nacional, ajudando a impulsionar a inovação e se esforçando para praticar na nova era da Academia das Ciências da China, no Centro de Ciência e Inovação de Xangai para fazer novas Contribuições.
A indústria de circuitos integrados é uma indústria emergencial estratégica nacional no período de 13 anos do Plano Quinquenal. A memória é uma das tecnologias mais importantes nos circuitos integrados e uma manifestação importante da competitividade do núcleo do país. Como uma base global de fabricação de eletrônicos, a auto-suficiência da memória da China também é relativamente Fraqueza: o monopólio das tecnologias e produtos de memória por grandes empresas estrangeiras de semicondutores, como a Samsung e a Intel no exterior, representa uma ameaça significativa para o desenvolvimento do setor de informação e segurança da informação em nosso país. É iminente desenvolver um novo tipo de tecnologia de memória de semicondutores com nossos próprios direitos de propriedade intelectual.
Atualmente, o material de memória de mudança de fase de uso comum no mundo é Ge-Sb-Te. Nos últimos anos, o desenvolvimento de tecnologia de circuitos integrados possui vários índices de desempenho, como consumo de energia, expectativa de vida, tamanho e resistência do chip de memória Apresentaram requisitos mais elevados, cientistas de todo o mundo estão intensificando a pesquisa eo desenvolvimento de materiais de armazenamento.
Song Zhitang, uma equipe de pesquisa do Instituto de Microsistemas e Tecnologia da Informação de Xangai, CAS, fez um grande avanço na pesquisa de novos materiais de memória de mudança de fase. Sob a orientação das primitivas octaédicas transformadas em autofase e a teoria de metaestabilidade cúbica centrada no rosto, Estrutura octaédrica e estrutura eletrônica para combinar as idéias de pesquisa e desenvolvimento para projetar um novo tipo de material de mudança de fase para estabilizar o octaedro como um centro de nucleação para reduzir a aleatoriedade do material de transição de fase de nucleação amorfa para alcançar a cristalização de alta velocidade através do primeiro Os cálculos teóricos e a simulação de dinâmica molecular mostram que o scandium e o irídio (Sc, Y) são preferidos como elementos de doping entre muitos elementos de transição e são testados pelo teste de desempenho de armazenamento de células de memória, especialmente para células de memória flash de alta velocidade. O material de mudança de fase Sc-Sb-Te com alta velocidade, baixo consumo de energia, longa vida e alta estabilidade foi realizado pelo dispositivo de memória de mudança de fase Sc-Sb-Te preparado pelo processo CMOS 0.13um Operação de erro de gravação reversível de alta velocidade em Picosecond com uma vida útil de ciclo superior a 107. Em comparação com o dispositivo de memória de mudança de fase convencional Ge-Sb-Te, o consumo de energia operacional é reduzido em 90% e a retenção de dados de dez anos é comparável. Materiais e dispositivo em miniatura O desempenho da síntese de PCRAM baseada em Sc-Sb-Te será ainda melhorado. A pesquisa mostra que o octaedro estável Sc-Te como núcleo da nucleação e crescimento é o principal motivo para o consumo de alta velocidade e baixo consumo de energia; A vida das principais razões, a restrição octaédrica estável A conversão FCCHEX também é uma das razões para o consumo de alta velocidade e baixo consumo de energia.
Entende-se que a principal descoberta dos materiais de memória de mudança de fase Sc-Sb-Te do trabalho de pesquisa de longo prazo do Instituto de Microsistema de Xangai na acumulação de memória de mudança de fase. A equipe de pesquisa também descobriu que a produção internacional de Ge-Sb- O desempenho dos melhores materiais de memória de mudança de fase auto-Ti-Sb-Te, pesquisas e desenvolvimento independentes com o nível avançado internacional de tecnologia de diodo de alta densidade de isolamento duplo duplo 4F2; desenvolveu o primeiro chip de teste PCRAM de 8Mb da China; desenvolveu Da impressora baseada em processo 0.13umCMOS com produtos de PCRAM incorporados, receberam as primeiras 7,5 milhões de pedidos, desenvolvidos com base em tecnologia de diodo de alta densidade de 40nm, o menor tamanho de unidade da memória de leitura automática começou a amostragem: nó desenvolvido de 40nm A unidade de chips de teste PCRAM custa até 99,999% ou mais, e mesmo sem correção de 4Mb, chip de PCRM de 64Mb, está agora disponível para clientes no teste avançado do sistema de informações.
Na reunião, Song Zhitang, uma equipe de colegas pesquisadores, compartilhou as tendências de pesquisa e desenvolvimento do armazenamento de mudanças de fase e a exploração inabalável da equipe de inovação tecnológica e industrialização.
Ele disse que esta nova fase de mudança no desempenho do material, a solução física para a memória de baixa potência e problemas de apagamento de alta velocidade, juntamente com chip auto-desenvolvido, foi usado na leitura de chips de alta velocidade (US8947924), em Pode formar uma nova geração da memória mais avançada. Se o chip de memória tridimensional de alta densidade para verificar ainda mais o material para o nosso avanço em barreiras de tecnologia estrangeiras, o desenvolvimento de direitos de propriedade intelectual independentes de chips de memória de grande valor, para alcançar nossa tecnologia de memória O desenvolvimento avançado, a promoção da prosperidade da indústria de informação da China e a salvaguarda da segurança da informação em nosso país são de importância estratégica.
Diretor NSFC da Divisão de Informação, quatro Pan Qing, diretor de ciência e tecnologia de ponta no Departamento de Ciências da Educação Kong Minghui, Peking University professor Zhang, 02 ciência e tecnologia nacional grande especialista escritório de gerenciamento de projetos Ma Zhenyu, Xangai Ciência e Tecnologia da Comissão da alta tecnologia Academia Chinesa de Ciências Vice-diretor Song Yang, diretor Chen Ming Zhao, presidente de centros de Shanghai IC P & D na indústria aeroespacial, Min, diretor do Shanghai Centro de Nanociência reino, vice-presidente executivo, Semiconductor manufacturing International Co. Zhoumei Sheng, Walker Road e Shanghai Microsystem meio Mais quadros, espinha dorsal de pesquisa científica, estudantes de pós-graduação participaram do relatório.
Os peritos disseram que para o Zhitang Song e dedicação da equipe, aderir movido. Anos de espada, eles esperam que a equipe não pode esquecer o coração cedo, tem feito grandes avanços na pesquisa básica original, enquanto na industrialização de realizações e serviços científicos e tecnológicos a O principal campo de batalha para a construção econômica nacional fez conquistas ainda maiores.
3. Autorização de campo nano-laser da Universidade de Pequim "Natureza" Comunicações "e" Ciência · Progresso ";
Recentemente, pesquisadores Maren Min Peking University e colegas de trabalho demonstrada pela análise teórica e similares a laser sistemas experimentais plasmon nanômetros pode ser menor que os lasers convencionais, mais rápido e com menor consumo de energia e um valor limite; e reveladora a presença de outras diferenças essenciais em comparação com o campo de radiação de laser convencional nanômetros de plasmon de laser, que uma superfície de metal oscilações de electrões livres formados formas plasmon. trabalhos relacionados são "comunicação natural" e "Avanços na ciência, podem ser todos "foram relatados revista com o título de 'leis de escala incomuns para nanolasers plasmonic além do limite de difração' e 'imagem latente a emissão escuro da spasers'.
O desenvolvimento de lasers aprofundou a compreensão das pessoas sobre a interação entre a luz e a matéria e promoveu o desenvolvimento da ciência e da tecnologia modernas. Foi uma das principais direções de pesquisa no campo de lasers desde a invenção de lasers. Seu objetivo é obter Maior tamanho, maior velocidade de modulação e laser de baixa potência. Por exemplo, a aplicação do laser na interconexão óptica no chip diretamente exige que a escala característica do laser seja próxima do dispositivo eletrônico e seu consumo de energia deve ser menor do que a interconexão elétrica madura. O consumo de energia do laser está em uma correlação positiva com suas dimensões, e o consumo de energia por década do fly-thru 10 exige diretamente que o volume de modo do laser seja inferior a 0,02 cubos de comprimento de onda.
Figura 1 Esquema do princípio básico de um laser convencional (esquerdo) e um nano-laser (direito)
A miniaturização de lasers nos últimos 40 anos teve um tremendo sucesso com o desenvolvimento de lasers miniaturizados, incluindo laseres emissores de superfície de cavidade vertical (VCSELs), lasers microdisk, lasers de cristal fotônico e lasers de nanowire. No entanto, nestes laser convencionais No meio de ganho, os fótons são amplificados por radiação estimulada. Portanto, o tamanho do laser é limitado pelo limite de difracção óptica e a menor dimensão em cada dimensão é maior que a metade do comprimento de onda, dificultando a miniaturização (Figura 1, esquerda).
O nanolaser plasmático é um novo tipo de laser com uma escala física tridimensional que pode ser muito menor do que o comprimento de onda de saída ao mesmo tempo (Figura 1, à direita). O nano-laser é diferente dos láseres ópticos tradicionais pelo aumento da superfície formada por oscilação de elétrons livre em metal Plasmons, em vez de fótons, permitindo a limitação do campo óptico na ordem de magnitude de 10 nanômetros de profundidade de sub-comprimento de onda. No entanto, a localização espacial de campos eletromagnéticos causada pelo uso de efeitos plasmônicos em lasers de nanômetro inevitavelmente acompanha a absorção de metal Portanto, a questão de saber se os nanolasers têm as vantagens de desempenho em relação às lasers convencionais tem sido debatida.
Os pesquisadores e seus colaboradores otimizaram sistematicamente o ganho de materiais, materiais metálicos e ressonadores para reduzir o limiar laser de nanolasers para 10 quilowatts por centímetro quadrado, o que é duas ordens de grandeza inferior ao limiar nanolaser relatado mais baixo , Pela primeira vez reduziu o limiar de nanolasers para limiares de laser para lasers comercialmente disponíveis. Além disso, analisaram sistematicamente mais de 100 conjuntos de nanolas plasmônicos e mais de 100 grupos de amostras de controle sem metal, A performance-chave de lasers de meta-nano com leis de escala prova que os nano-lasers podem ter tamanho físico menor, velocidade de modulação mais rápida, menor limite e consumo de energia na nanoescala do que os lasers tradicionais. (Figura 2) Este trabalho foi publicado em Nature and Communication (8, 1889, 2017).
Fig. 2 Os nanolásicos plasmáticos podem ser menores (a), menores no consumo de energia (b) e mais rápido (c) do que os laser ópticos tradicionais
Em outro trabalho, publicado este ano em Science Advances (3, e1601962, 2017), pesquisador e colaborador Ma Renmin usaram uma técnica de microscopia de vazamento de radiação para imitar a superfície de nanolasers por correspondência momentânea O acoplamento da radiação escura e escura ao campo distante realiza a imagem direta do espaço real, do espaço de momentum e do espaço do espectro, como mostrado na Figura 3. Os resultados mostram que há uma diferença essencial entre nanolasers e lasers convencionais e que seus campos de radiação podem ser todos gratuitos Polarização de plasmon de superfície formada por oscilação de elétrons. O trabalho pela primeira vez revelou que a energia radiante de um laser de nanômetro pode ser acoplada ao plasmão de superfície do modo de propagação em cem por cento, estabelecendo uma base para a posterior manipulação e aplicação do nanômetro laser.
Figura 3 Espaço real nano-laser (a), espaço de momentum (b) e espaço de frequência (c) imagem
Universidade de Pequim estudantes de doutorado e pós-doutorado Wang Xingyuan como co-autora de "comunicação natural"; Universidade de Pequim Ph.D. Chen Huazhou, estudantes de graduação 2011 Hu Jiaqi e estudante de doutorado Wang como co-autor do "progresso científico", principais colaboradores Incluindo o professor Dai Lun da Universidade de Pequim e o professor Rupert Oulton do Imperial College de Londres e o pesquisador Ma Renmin como correspondente das duas dissertações. Ambos os projetos receberam os títulos de "Young Thousands", NSFC, Ministério da Ciência e Tecnologia, Laboratório chave do Estado da Estrutura e da Física Mesosscópica e Centro de Inovação Colaborativa da Ciência dos Materiais Quânticos.
Anexado: página de laboratório do pesquisador Ma Renmin: http://www.phy.pku.edu.cn/~renminma/ Universidade de Pequim
4. A Academia Chinesa de Ciências construiu a maior plataforma de compartilhamento de equipamentos de laboratório
Agência de notícias da China, Pequim, 22 de dezembro (Reporter Zhang Su) O repórter aprendeu com a Academia Chinesa de Ciências no dia 22 que o hospital construiu o serviço on-line e o sistema de gerenciamento de operações do maior equipamento de laboratório na China e efetivamente promoveu o compartilhamento social de equipamentos e equipamentos de pesquisa científica.
O sistema é chamado de "sistema de V3.0 sistema de gerenciamento de equipamentos e equipamentos da Academia Chinesa de Ciências da Ciência", baseado em aplicativos móveis, a Internet de coisas, ambiente de nuvem e arquitetura de tecnologia aberta do final de 2016 foi na Academia Chinesa de Ciências 15 área de instrumentação grande Centro, Instituto 114 aplicado com sucesso.
De acordo com as estatísticas, os equipamentos e equipamentos em larga escala on-line atingiram mais de 8.000 conjuntos, avaliados em mais de 11 bilhões de yuans, o número de usuários do sistema chegou a 40.000 pessoas. No final de novembro de 2017, o uso anual da plataforma de compartilhamento ultrapassou 10 milhões de horas, processando ordens Quase 600.000 pedidos.
Os dados mostram que este sistema permite que o equipamento de pesquisa científica ocioso mude de "hospital para" ambulatorial "e realize compartilhamento social aberto. Como o sistema V3.0 foi on-line por 1 ano, levou mais de 1,5 milhão de horas para distribuir máquinas fora do hospital.
Avaliação de especialistas em aceitação, sistema V3.0 da reserva de equipamentos, auditoria de reserva, teste e análise, registro de amostras para o custo de liquidação, gerenciamento completo de ciclo de vida experimental, uma série de principais inovações científicas e tecnológicas resultantes disso. Por exemplo, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences Baseando-se na tecnologia de materiais de Pequim e na nanotecnologia em grande escala da plataforma regional de tecnologia supercondutora de sistemas regionais, no estudo de registros de temperatura crítica supercondutores supercondutivos baseados em ferro.
Além do Instituto de Serviços Sociais com serviços do sistema V3.0. O Instituto de Nanotecnologia e Nanotecnologia da CIEM confia na plataforma, dentro de um ano para 120 institutos de pesquisa, 220 equipes de pesquisa universitária e cerca de 120 empresas de P & D para prestar serviços, inclusive para Suzhou Minxin Microelectronics Technology Co., Ltd. e Wei Qi Biotechnology Co., Ltd. para resolver os problemas do processo de corte invisível do laser, de modo que um aumento substancial no rendimento da empresa.