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'एम' Xcerra फिर CFIUS आवेदन उल्लेख चीन में 4 अरब अधिग्रहण की मूल है

3. उत्तर एनएम लेजर कागज लैंडिंग क्षेत्र "प्रकृति संचार" और "वैज्ञानिक प्रगति";, 2. "विज्ञान" के महत्वपूर्ण कोर पदार्थ कागज पहली बार चढ़ाई की घरेलू भंडारण; 1.Xcerra फिर CFIUS आवेदन उल्लेख चीन में 4 अरब अधिग्रहण की मूल है 4 । चीनी अकादमी ऑफ साइंसेज के सबसे बड़ी प्रयोगशाला उपकरण बांटने के मंच का निर्माण किया

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1.Xcerra फिर CFIUS आवेदन उल्लेख चीन में 4 अरब अधिग्रहण की मूल है;

सेट सूक्ष्म नेटवर्क समाचार, फिर अमेरिका विदेशी निवेश समिति (CFIUS) के तहत अमेरिका सेमीकंडक्टर समूह Xcerra वित्त मंत्रालय को एक आवेदन प्रस्तुत करने के लिए, अनुमोदन प्राप्त करने की उम्मीद कर, प्रस्ताव चीनी उठाया खरीदारों को पूरा करें।

Xcerra अप्रैल में सहमति व्यक्त की चीन के मुख्य निवेश प्रबंधन कंपनी Unic पूंजी प्रबंधन के एक चीनी अधिकारी पृष्ठभूमि के साथ स्वीकार करने के लिए, उठाया $ 580 मिलियन की पेशकश। लेन-देन CFIUS अनुमोदन के अधीन किया जाएगा। हालांकि, बाद के 75 दिनों के निर्दिष्ट Xcerra भीतर लेन-देन स्वीकार नहीं किया था । Xcerra एक और 75 दिनों की है देता है कि, अनुमोदन के लिए लंबित CFIUS आवेदन करने के लिए पुन: प्रस्तुत।

डेव Tacelli Xcerra मुख्य कार्यकारी अधिकारी ने कहा, CFIUS के साथ रचनात्मक संचार किया गया है, यह सुनिश्चित करें कि समिति उद्योग की प्रकृति को समझने, ताकि सौदे को मंजूरी दे में, आयोग अतिरिक्त समय एक निर्णय करने के लिए आवश्यकता हो सकती है संकेत दिया है।

17 अगस्त, वहाँ खबर किया गया है, क्योंकि राष्ट्रीय सुरक्षा चिंताओं के अमेरिकी अर्धचालक संयंत्र Xcerra एक टेस्ट केस की चीनी अधिग्रहण बदल रास्ते के मध्य में हो सकता है। करने के लिए वाल स्ट्रीट जर्नल की रिपोर्ट है कि एक और अमेरिका प्रतियोगी Cohu को चुपके से अवरोधों की कोशिश कर रहा अनुसार, Xcerra शादी करने के रोकने की कोशिश की।

यह सूचना दी है कि, Cohu विदेशी निवेश पर अमेरिका समिति (CFIUS) सीधे नाक, चीनी अधिग्रहण के निर्देश पर करने के लिए Xcerra देश की नियुक्ति के बारे में संदेह है।

इन आरोपों जब रायटर Xcerra जबाब द्वारा पूछे जाने के मद्देनजर उन्होंने कहा कि क्योंकि Xcerra किसी भी ग्राहकों की महत्वपूर्ण आईपी नहीं था। सेमीकंडक्टर कंपनियों महत्वपूर्ण जानकारी और परीक्षण कारखाने या डीलर का हिस्सा नहीं होगा, कि चेन Cohu बातें न के बराबर।

2. महत्वपूर्ण मूल सामग्री की घरेलू भंडारण "विज्ञान" की शुरुआत;

शिक्षाविद् वैंग श्या ने गोंग झिटांग टीम पुरस्कार और बोनस से सम्मानित किया

शंघाई इंस्टीट्यूट ऑफ माइक्रोसिस्टम्स, नेशनल 02 वांग क्सी, विशेष भाषण के उप प्रमुख

संबंधित शोध रिपोर्ट के लिए गाने झिटांग शोधकर्ता

विज्ञान दिसंबर 22 शंघाई खबर (रिपोर्टर हुआंग ज़िन) की वेब, वैज्ञानिक और तकनीकी नवाचार के मुख्य युद्ध के मैदान में वैज्ञानिक और तकनीकी कर्मियों को प्रोत्साहित शैक्षिक समृद्धि को बढ़ावा देने और विज्ञान और प्रौद्योगिकी प्रतिभा के विकास को प्रोत्साहित करने के लिए, माइक्रोसिस्टम के शंघाई संस्थान आज दोपहर एक उच्च स्तरीय विज्ञान लेख प्रकाशित रिपोर्ट आयोजित की मान्यता में गाने के Zhitang उच्च गति, महत्वपूर्ण वैज्ञानिक अनुसंधान के निष्कर्षों में कम बिजली की नई SC-Sb-ते चरण परिवर्तन स्मृति सामग्री पर शोधकर्ता अनुसंधान समूह। ऐसा लगता है कि माइक्रोसिस्टम के शंघाई संस्थान और सूचना प्रौद्योगिकी संयुक्त रूप से अर्धचालक विनिर्माण अंतरराष्ट्रीय कं, एम्बेड करने के लिए चुन चरण परिवर्तन स्मृति (PCRAM) के राष्ट्रीय प्रमुख वैज्ञानिक और तकनीकी अनुसंधान और विकास कार्यक्रम में प्रारंभिक बिंदु के रूप में विशेष नैनो, राष्ट्रीय विज्ञान और प्रौद्योगिकी प्रमुख परियोजनाओं 'महान पैमाने एकीकृत परिपथ निर्माण उपकरणों और की पूरी सेट' विशेष (02 परियोजनाओं), चीन के राष्ट्रीय प्राकृतिक विज्ञान फाउंडेशन, चीनी अकादमी विज्ञान के पर ध्यान केंद्रित प्रमुख विज्ञान और प्रौद्योगिकी परियोजनाओं, शंघाई, शंघाई विज्ञान और प्रौद्योगिकी आयोग और अन्य परियोजनाओं, अनुसंधान, विज्ञान और प्रौद्योगिकी के दस साल से अधिक के बाद में अग्रणी प्रतिभा से एक वर्ग सामरिक वित्त पोषण के भंडारण में स्क्रीनिंग सामग्री की महत्वपूर्ण श्रृंखला बना दिया है, मेमोरी चिप डिजाइन, PCRAM की बुनियादी विनिर्माण प्रौद्योगिकी प्रगति।

ऐसा लगता है कि स्वतंत्र बौद्धिक संपदा अधिकारों के साथ शोध के परिणाम (अंतर्राष्ट्रीय पेटेंट पीसीटी / CN2016 / 096,334, चीनी पेटेंट 201510697470.2)। 9 नवंबर को इस साल, "विज्ञान" शीर्षक के साथ पत्रिका 'क्रिस्टल न्यूक्लिएशन की stochasticity को कम करना subnanosecond स्मृति लेखन सक्षम करने के लिए' ऑनलाइन इस महत्वपूर्ण शोध के परिणाम प्रकाशित किया, और 15 दिसंबर के जर्नल, जो एक महत्वपूर्ण कागजात विज्ञान शंघाई सूक्ष्म प्रणाली जर्नल पर स्थित है प्रकाशित में प्रकाशित, लेकिन उन्नत भंडारण प्रौद्योगिकी कुंजी कोर पदार्थ के क्षेत्र में भी पहली शैक्षिक पेपर ।

रिपोर्ट माइक्रोसिस्टम के शंघाई संस्थान और घड़ियाल की पार्टी सचिव की अध्यक्षता में किया जाएगा, झी ज़ियाओमिंग, उप निदेशक चीनी अकादमी ऑफ साइंसेज, माइक्रोसिस्टम संस्थान, राष्ट्रीय 02 विशेष प्रभाग उपाध्यक्ष वांग क्सी था की शंघाई संस्थान के माइक्रोसिस्टम PCRAM परियोजना टीम के शंघाई संस्थान की मान्यता में निर्णय पढ़ा। टीम पुरस्कार और बोनस

वांग क्सी अपने भाषण, गीत Zhitang के नेतृत्व में शोधकर्ताओं के PCRAM टीम में कहा, 2002 के बाद से, के बाद परिश्रम से बनाया उपलब्धियों में से लगभग 15 साल के लिए बधाई दी जाए। उन्होंने आशा व्यक्त की कि वैज्ञानिकों हर सफलता, आगे कर सकते हैं, वर्तमान में अधिक से अधिक उपलब्धियों आधार बनाने के लिए किया है।, दुनिया विज्ञान और प्रौद्योगिकी, राष्ट्रीय जरूरत है, राष्ट्रीय अर्थव्यवस्था के लिए मुख्य युद्ध के मैदान, मदद ड्राइव नवाचार के मामले में सबसे आगे का सामना करना पड़ता और नए निर्माण बनाने के लिए शंघाई शाखा में नई नीति में चीनी अकादमी कैस के विज्ञान कार्यालय के अभ्यास करने के लिए प्रयास करते हैं, नवाचार केंद्र में योगदान।

'तेरह पांच' राष्ट्रीय सामरिक उभरते उद्योगों।, आईसी उद्योग है मेमोरी एकीकृत सर्किट के सबसे महत्वपूर्ण प्रौद्योगिकी में से एक है देश के मुख्य प्रतिस्पर्धा का एक महत्वपूर्ण अभिव्यक्ति है। चीन इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों के लिए एक वैश्विक विनिर्माण आधार है, आत्मनिर्भरता अभी भी अपेक्षाकृत स्मृति है कमजोर विदेशी सैमसंग, इंटेल और अन्य बड़े अर्धचालक कंपनियों चीन के सूचना सुरक्षा और सूचना के औद्योगिक विकास के लिए स्मृति प्रौद्योगिकियों और उत्पादों एकाधिकार की प्रमुख जोखिम के रूप में। नई अर्धचालक स्मृति प्रौद्योगिकी हमारे अपने बौद्धिक संपदा के आसन्न विकास।

वर्तमान में, अंतरराष्ट्रीय स्तर पर स्वीकार किए जाते हैं चरण में बदलाव स्मृति सामग्री एक 'जीएसटी' (जीई-Sb-ते)। एकीकृत सर्किट प्रौद्योगिकी के क्षेत्र में हाल के अग्रिमों है मेमोरी चिप की बिजली की खपत, जीवन, आकार, धीरज और अन्य प्रदर्शन संकेतक उच्च आवश्यकताओं को आगे बढ़ाया है, दुनिया भर से वैज्ञानिकों ने भंडारण सामग्री के अनुसंधान और विकास को आगे बढ़ाया है।

विज्ञान के चीनी अकादमी शंघाई माइक्रोसिस्टम और सूचना प्रौद्योगिकी गाने के Zhitang अनुसंधान दल के संस्थान आदिम octahedron का एक चेहरा केंद्रित घन metastable सिद्धांत के मार्गदर्शन में स्वायत्त चरण संक्रमण में नए चरण-परिवर्तन स्मृति सामग्री के अध्ययन में एक बड़ी सफलता बना दिया है,, नवाचार दो प्रस्तावित अनुसंधान और विकास विचारों अष्टभुजाकार जाली इलेक्ट्रॉनिक संरचनाओं के साथ मिलान किया, नए चरण में परिवर्तन सामग्री डिजाइन करने के लिए केंद्रक केन्द्रों को स्थिर करने के रूप में अष्टभुजाकार पहले से एक उच्च गति को प्राप्त करने के क्रिस्टलीकरण अनाकार चरण में बदलाव सामग्री के केंद्रक की अनियमितता को कम करने सिद्धांत और आणविक गतिशीलता सिमुलेशन की गणना, संक्रमण समूह तत्वों, खासकर स्कैंडियम, इरिडियम (एससी, वाई) डोपिंग तत्व के रूप में, भंडारण इकाई भंडार द्वारा निष्पादन परीक्षण, विशेष रूप से उच्च गति रीराइटेबल स्मृति सेल परीक्षण, आविष्कार के लिए की संख्या SC-Sb-ते आधारित उच्च गति, कम बिजली की खपत, लंबे जीवन, 'स्कैंडियम सुरमा टेल्यूरियम की' उच्च स्थिरता (एससी-Sb-ते) चरण में बदलाव सामग्री, चरण परिवर्तन स्मृति डिवाइस 700 का उपयोग कर तैयार 0.13um CMOS प्रक्रिया एक प्राप्त करने के लिए उलटने पीकोसैकन्ड गति मिटा संचालन, के रूप में पारंपरिक जीई-Sb-ते आधारित चरण में बदलाव स्मृति डिवाइस की तुलना में एक से अधिक 107 बार का चक्र, बिजली की खपत 90% तक कम के संचालन, और आगे अनुकूलन द्वारा काफी दस साल डेटा प्रतिधारण सामग्री और लघु उपकरण तत्व आकार, एससी-Sb-ते आधारित PCRAM समग्र प्रदर्शन और अधिक शोध से पता चलता है, एससी-ते स्थिर अष्टभुजाकार कोर बढ़ाया जाएगा के रूप में मुख्य कारण केंद्रक और उच्च गति, कम बिजली की खपत की वृद्धि है, इलेक्ट्रॉनिक संरचना के साथ जाली मिलान लंबा है मुख्य कारण जीवन; स्थिर चेहरा केंद्रित घन अष्टभुजाकार निषेध हेक्सागोनल दिशा (एफसीसी-हेक्स) रूपांतरण उच्च गति, कम बिजली कारणों में से एक है।

यह समझा जाता है, एससी-Sb-ते चरण परिवर्तन स्मृति सामग्री माइक्रोसिस्टम अनुसंधान टीम के शंघाई संस्थान से एक प्रमुख खोज संचित चरण परिवर्तन स्मृति में लंबे समय तक शोध कार्य है। शोध टीम भी पाया गया कि अंतरराष्ट्रीय बड़े पैमाने पर उत्पादन की तुलना में जीई-Sb- ते बेहतर प्रदर्शन स्वतंत्र ती-Sb-ते नए चरण परिवर्तन स्मृति सामग्री; 4F2 स्वतंत्र रूप से एक उच्च घनत्व डायोड तकनीक विकसित की उन्नत स्तर दोहरी चैनल अलगाव; 8Mb PCRAM का पहला विकसित परीक्षण चिप; विकसित प्रिंटर 0.13umCMOS प्रक्रिया पर आधारित पहली PCRAM उत्पाद आदेश 7,500,000 से एम्बेडेड किया गया है, उच्च घनत्व डायोड प्रौद्योगिकी पर आधारित 40nm, स्मृति सेल वाली सबसे छोटी होने से पढ़ नमूने विकसित किया गया है है, विकसित 40nm नोड उच्चतम इकाई उपज से अधिक 99.999% की PCRAM परीक्षण चिप, यहां तक ​​कि संशोधन 4Mb बिना, 64Mb PCRAM चिप, उन्नत सूचना प्रणाली पर उपलब्ध ग्राहक परीक्षणों।

बैठक में, साथी शोधकर्ताओं की एक टीम, झोंग झिटांग ने चरण परिवर्तन के भंडारण के अनुसंधान और विकास के रुझान और तकनीकी नवाचार और औद्योगिकीकरण की टीम की अनदेखी खोजों को साझा किया।

उन्होंने कहा कि इन नए चरण में परिवर्तन सामग्री, भौतिक स्मृति और उच्च गति कम बिजली फ़्लैश समस्या से समाधान, उच्च गति रीडआउट सर्किट के साथ मिलकर के प्रदर्शन विकसित चिप्स के उत्पादन (US8947924) में इस्तेमाल किया गया है, यह स्मृति का सबसे उन्नत फार्म की चीन की नई पीढ़ी इस तरह के रूप में सामग्री आगे एक उच्च घनत्व, तीन आयामी मेमोरी चिप है, जो हमारे देश विदेशी तकनीकी बाधाओं और मालिकाना मेमोरी चिप के विकास को तोड़ने के लिए के लिए मूल्यवान है में मान्य किया जाएगा, हमारी स्मृति प्रौद्योगिकी की प्राप्ति के लिए चीन के सूचना उद्योग की समृद्धि को बढ़ावा देने और हमारे देश में सूचना सुरक्षा की सुरक्षा के लिए लीप-फॉरवर्ड विकास रणनीतिक महत्व का है।

सूचना डिवीजन के NSFC निदेशक, चार पान किंग, शिक्षा विज्ञान काँग Minghui, पीकिंग विश्वविद्यालय के प्रोफेसर झांग, 02 राष्ट्रीय विज्ञान और प्रौद्योगिकी प्रमुख परियोजनाओं प्रबंधन कार्यालय विशेषज्ञ मा Zhenyu, शंघाई विज्ञान और उच्च तकनीक चीनी अकादमी ऑफ साइंसेज की प्रौद्योगिकी आयोग विभाग में अत्याधुनिक विज्ञान और प्रौद्योगिकी के निदेशक उप निदेशक सांग यांग, निदेशक चेन मिंग झाओ, एयरोस्पेस में शंघाई आईसी अनुसंधान एवं विकास केंद्रों के अध्यक्ष, मिन, नेनौसाइंस राज्य, कार्यकारी उपाध्यक्ष, सेमीकंडक्टर अंतरराष्ट्रीय कं Zhoumei शेंग, वाकर रोड और शंघाई माइक्रोसिस्टम बीच निर्माण के लिए शंघाई केंद्र के निदेशक कार्यकर्ताओं से ऊपर, वैज्ञानिक अनुसंधान की रीढ़ की हड्डी, स्नातक छात्रों व्याख्यान में भाग लिया।

विशेषज्ञों ने कहा है कि गाने के Zhitang और टीम के समर्पण के लिए, ले जाया पालन करते हैं। तलवार के वर्षों में, वे उम्मीद करते हैं टीम जल्दी दिल नहीं भूल सकता, मूल बुनियादी अनुसंधान में प्रमुख सफलताओं बना दिया है, जबकि करने के लिए वैज्ञानिक और प्रौद्योगिकीय उपलब्धियों और सेवा के औद्योगीकरण में राष्ट्रीय अर्थव्यवस्था के मुख्य युद्ध के मैदान में अधिक से अधिक परिणाम प्राप्त करने के।

3. उत्तर एनएम लेजर कागज लैंडिंग क्षेत्र "प्रकृति संचार" और "वैज्ञानिक प्रगति";

हाल ही में, शोधकर्ताओं मारेन मिन पीकिंग विश्वविद्यालय और सहकर्मियों के सैद्धांतिक विश्लेषण और प्रायोगिक प्रणाली plasmon नैनोमीटर लेजर की तरह द्वारा प्रदर्शन पारंपरिक लेजर, तेजी से, और कम बिजली की खपत और एक सीमा मान के साथ से कम हो सकती है, और खुलासा पारंपरिक लेजर plasmon नैनोमीटर लेज़र विकिरण क्षेत्र है जो मुक्त इलेक्ट्रॉनों की एक धातु की सतह दोलनों plasmon रूपों का गठन के साथ तुलना में अन्य आवश्यक मतभेद की उपस्थिति। संबंधित काम "प्राकृतिक संचार" और "विज्ञान के क्षेत्र में अग्रिम कर रहे हैं, सब हो सकता है " 'विवर्तन सीमा से परे plasmonic nanolasers के लिए असामान्य स्केलिंग कानूनों' और 'spasers के अंधेरे उत्सर्जन इमेजिंग' की उपाधि के साथ पत्रिका सूचित किया गया।

लेजर का विकास पदार्थ के साथ प्रकाश की बातचीत के लोगों की समझ को गहरा, और बहुत आधुनिक विज्ञान और प्रौद्योगिकी के विकास को बढ़ावा दिया है। लेजर आविष्कार के बाद से इसके लघुरूपण लेजर अनुसंधान के मुख्य क्षेत्रों में से एक है। इसका उद्देश्य प्राप्त करने के लिए है इस तरह के चिप इंटरकनेक्ट दावे पर लेजर चमकाने के रूप में छोटे आकार, कम बिजली खपत और एक लेजर की उच्च गति मॉडुलन, जिसमें लेजर प्रत्यक्ष निकटता पैमाने इलेक्ट्रॉनिक्स और बिजली की खपत परिष्कृत बिजली के इंटरकनेक्ट की तुलना में छोटे चाहिए के बारे में 10 उड़ान आदेश के बिट प्रति शक्ति। पैमाने के सिवा लेजर शक्ति सकारात्मक संबंध, बिजली की खपत आवश्यकताओं घन तरंग दैर्ध्य के बारे में 0.02 से भी कम समय के लेजर मोड मात्रा के लिए सीधे उड़ान के प्रत्येक आदेश के लिए 10 बिट था।

अंजीर के एक पारंपरिक लेजर के बुनियादी सिद्धांत। 1 (बाएं) और नैनो-पराबैंगनीकिरण (दाएं) योजनाबद्ध

लेज़रों के लघुरूप में पिछले 40 वर्षों में महान उपलब्धियों में बदल गया है, एक लेजर (VCSEL), सूक्ष्म डिस्क लेजर, फोटोनिक क्रिस्टल लेजर और एक nanowire पराबैंगनीकिरण और अन्य छोटी लेजर एक ऊर्ध्वाधर गुहा सतह हालांकि उत्सर्जक, इस तरह के पारंपरिक ऑप्टिकल लेजर में शामिल विकसित लाभ माध्यम फोटॉनों की प्रेरित उत्सर्जन, और इस प्रकार ऑप्टिकल विवर्तन सीमा प्रतिबंध से लेजर के आकार से बढ़ जाता है, आधे से भी कम से कम आयाम अधिक से अधिक प्रत्येक तरंग दैर्ध्य की औसत आयाम लघुरूपण प्राप्त करना मुश्किल है (अंजीर में छोड़ दिया है। 1)।

जैसा एक तीन आयामी लेजर भौतिक आयाम एक साथ नई लेजर उत्सर्जन तरंगदैर्ध्य (छवि में सही। 1)। अलग लेज़रों के साथ इस ऑप्टिकल नैनोमीटर लेजर पारंपरिक, सतह जिनमें से धातु में मुफ्त इलेक्ट्रॉनों का दोलन बनाने plasmon नैनो द्वारा बढ़े हुए है तुलना में काफी छोटा है plasmon, बजाय फोटॉनों, ऑप्टिकल मोड कारावास 10 नैनोमीटर गहरे उप तरंगदैर्ध्य सुविधाओं पैमाने को सक्षम करने की। हालांकि, एक लेजर नैनो plasmon स्थानिक स्थानीय विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र की वजह से प्रभाव का उपयोग धातु के अवशोषण के साथ होना चाहिए नुकसान। इसलिए, पारंपरिक लेज़रों की तुलना में नैनोमीटर लेजर की संभावना इस मुद्दे का प्रदर्शन फायदे विवादास्पद रहा है है।

प्रणाली के माध्यम से उसके सहयोगियों लाभ सामग्री, एक धातु सामग्री, और एक गुंजयमान गुहा का अनुकूलन करने के साथ मारेन मिन शोधकर्ता, लेजर नैनो की lasing सीमा प्रति वर्ग सेंटीमीटर 10 किलोवाट के स्तर तक कम कर दिया, कम से कम लेजर सीमा नैनोकणों परिमाण के दो से अधिक आदेश में सूचित किया गया है की तुलना में कम है पहली बार सीमा मूल्य नैनोमीटर लेज़रों के लिए वाणिज्यिक रूप से व्यवहार्य लेजर lasing दहलीज स्तर कम हो जाता है। वे नियंत्रण नमूना plasmon नैनोमीटर लेजर धातु सीमा के 100 से अधिक समूहों के बिना की तरह 100 से अधिक समूहों के आगे व्यवस्थित अध्ययन, प्रयोगों plasmon दिया आकार (कानून स्केलिंग) अलग से अधिक प्रमुख कानून प्रदर्शन की नैनो लेजर तत्व, पारंपरिक लेज़रों नैनोमीटर लेजर नैनो पैमाने की तुलना में प्रदर्शन किया एक छोटे भौतिक आकार, जबकि तेजी से मॉडुलन गति, कम बिजली सीमा हो सकती है (चित्रा 2)। काम "प्रकृति संचार" (8, 1889, 2017) में प्रकाशित हुआ था।

अंजीर। 2 नैनो plasmon लेजर पारंपरिक ऑप्टिकल लेज़रों (क) से कम हो सकती, कम बिजली खपत (ख), तेजी से (ग)

इस साल "विज्ञान · प्रगति" में प्रकाशित (3, e1601962, 2017) एक और काम, मा रेनमिन शोधकर्ताओं और सहयोगियों रिसाव विकिरण इमेजिंग माइक्रोस्कोपी, सतह plasmon नैनो लेज़रों की गति मिलान करते हुए विधि का उपयोग अंधेरे तत्व दूर क्षेत्र विकिरण के लिए युग्मित, एक वास्तविक अंतरिक्ष प्राप्त करने के लिए, और प्रत्यक्ष इमेजिंग गति अंतरिक्ष स्पेक्ट्रम अंतरिक्ष, चित्रा 3. में दिखाए गए परिणामों आवश्यक अंतर की उपस्थिति का संकेत पारंपरिक लेजर नैनोमीटर लेजर, जो विकिरण क्षेत्र धातु की पूरी तरह से मुक्त हो सकता है की तुलना में इलेक्ट्रॉनिक सतह plasmon दोलनों का गठन प्रपत्र। पहला काम प्रकट नैनोमीटर लेज़र विकिरण ऊर्जा प्रचार मोड एक सतह plasmon के लिए सौ प्रतिशत, आगे नैनोमीटर लेजर हेरफेर और आवेदन के लिए आधार युग्मित किया जा सकता है।

चित्र 3 एनएम लेजर वास्तविक स्थान (क), गति अंतरिक्ष (ख) और स्थानिक आवृत्ति (ग) इमेजिंग अंजीर।

पीकिंग विश्वविद्यालय डॉक्टरेट और पोस्टडॉक्टरल वांग वांग जहाँ तक "प्रकृति संचार" कागज सह लेखक के रूप में पहले, पीकिंग विश्वविद्यालय डॉक्टरेट छात्र चेन Huazhou, 2011 स्नातक और डॉक्टरेट हू Jiaqi वांग "विज्ञान, प्रगति," कागज के सह लेखक है, मुख्य सहयोगियों सहित पीकिंग विश्वविद्यालय के प्रोफेसर डैरेन और ब्रिटिश इंपीरियल कॉलेज के प्रोफेसर रूपर्ट Oulton ;. दोनों मा रेनमिन शोधकर्ताओं काम था 'युवा के हजारों' परियोजना दोनों पत्रों के लेखक इसी है, चीन के राष्ट्रीय प्राकृतिक विज्ञान फाउंडेशन, विज्ञान मंत्रालय, कृत्रिम सूक्ष्म स्टेट की प्रमुख प्रयोगशाला संरचना और मेसोस्कोपिक भौतिकी, और सहयोगी नवाचार केंद्र क्वांटम सामग्री विज्ञान

अनुलग्नक: मारेन मिन प्रयोगशाला शोधकर्ता होम: http://www.phy.pku.edu.cn/~renminma/ पीकिंग विश्वविद्यालय

4. चीनी एकेडमी ऑफ साइंसेज ने सबसे बड़ा प्रयोगशाला उपकरण साझाकरण मंच बनाया

चीन समाचार एजेंसी, बीजिंग, 22 दिसंबर (रिपोर्टर झांग र) - रिपोर्टर चीनी अकादमी ऑफ साइंसेज से 22 सीखा है, सबसे बड़ा अस्पताल प्रयोगशाला उपकरणों ऑनलाइन सेवाओं और संचालन प्रबंधन प्रणाली का निर्माण किया है, और प्रभावी रूप से अनुसंधान उपकरण के सामाजिक बंटवारे को बढ़ावा देने के।

प्रणाली 'साझा उपकरण प्रबंधन मंच V3.0 चीनी अकादमी ऑफ साइंसेज' नामक आधारित मोबाइल अनुप्रयोगों, नेटवर्किंग, इमारत से बादल और खुले प्रौद्योगिकी संरचना लाइन पर 2016 के अंत के बाद से, चीनी अकादमी ऑफ साइंसेज के क्षेत्र में 15 बड़े उपकरणों है। केंद्र, 114 संस्थान ने सफलतापूर्वक आवेदन किया।

आंकड़ों के अनुसार, ऑनलाइन बड़े उपकरणों 8000 सेट, लायक, पहुंच गया 11 अरब युआन से अधिक प्रणाली उपयोगकर्ताओं की संख्या नवंबर 2017, जब साझा मंच वार्षिक उपयोग मशीनों 10 लाख घंटे पार कर गया है के अंत तक 40,000 से अधिक लोग पहुंचे तो संभाल विलक्षण कमीशन लगभग 600,000 आदेश

डाटा बताते हैं कि प्रणाली इतनी 'अस्पताल' गो 'लॉबी', खुले सामाजिक साझा करने से अनुसंधान उपकरण बेकार है। ऑन लाइन प्रणाली V3.0 साल के बाद से, अस्पताल से अधिक 1.51 लाख घंटे साझा मशीन पर पहुंच गया।

विशेषज्ञ मूल्यांकन, V3.0 प्रणाली उपकरण आरक्षण से महसूस किया, लेखा परीक्षा बुकिंग, का पता लगाने और विश्लेषण, नमूना पंजीकरण शुल्क निपटान की स्वीकृति जीवन चक्र प्रबंधन, प्रमुख वैज्ञानिक और प्रौद्योगिकीय नवाचारों के एक नंबर इस प्रकार उत्पादन। उदाहरण के लिए, भौतिकी संस्थान प्रयोग करने के लिए बड़े सार्वजनिक प्रौद्योगिकी मंच अतिचालक उपकरणों के लिए बीजिंग सामग्री विज्ञान और नैनो क्षेत्रीय केंद्रों पर भरोसा, लोहा आधारित अतिचालक पढ़ाई अतिचालक महत्वपूर्ण तापमान रिकॉर्ड ताज़ा करने के लिए जारी है।

V3.0 के साथ-साथ सामाजिक-आर्थिक प्रणाली सेवाओं के संस्थानों के साथ। नैनो तकनीक के सूज़ौ संस्थान और नैनो 120 अनुसंधान संस्थानों, विश्वविद्यालय अनुसंधान टीमों और के बारे में 220 120 अनुसंधान और विकास कंपनियों सेवाएं प्रदान करने के अनुकरण मंच पर निर्भर करता है, एक वर्ष के भीतर। ये सूज़ौ शामिल संवेदनशील कोर माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक प्रौद्योगिकी कंपनी लिमिटेड और वी क्यूई जैविक प्रौद्योगिकी कं, अदृश्य लेजर काटने की प्रक्रिया समस्या को हल करने, ताकि उद्यमों नाटकीय रूप से उपज।

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