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1.Xcerra wieder CFIUS Anwendung zu erwähnen ist der Kern von China 4 Milliarden-Akquisition;
Stellen Sie Mikro-Netzwerk Nachrichten, die US Semiconductor Group Xcerra wieder unter dem US Foreign Investment Committee (CFIUS) einen Antrag an das Finanzministerium einzureichen, in der Hoffnung die Genehmigung zu erhalten, runden das Angebot ab chinesischen Käufer erhoben.
Xcerra vereinbart im April zu akzeptieren, mit einem offiziellen chinesischen Hintergrund von Chinas Kern Investment-Management-Unternehmen Unic Capital Management erhöhte Angebot $ 580 Millionen. Transaktion soll bis CFIUS Genehmigung. Doch dieser hat die Transaktion angegeben innerhalb von 75 Tagen nicht genehmigen Xcerra . auf die CFIUS Anwendung erneut eingereicht, die Xcerra haben weitere 75 Tage, bis zur Genehmigung kann.
Dave Tacelli Xcerra Chief Executive Officer wies darauf hin, haben mit CFIUS konstruktive Kommunikation gewesen, sicherzustellen, dass der Ausschuss die Natur der Industrie zu verstehen, um die Transaktion zu genehmigen, hat die Kommission darauf hingewiesen, zusätzliche Zeit benötigen eine Entscheidung zu treffen.
17. August gibt es Nachrichten gewesen, chinesische Akquisitionen von US-Halbleiterwerk Xcerra eines Testfalls, weil die nationalen Sicherheitsbedenken könnten geändert auf halben Weg. Nach dem Wall Street Journal berichtete, dass ein anderer US-Konkurrenten Cohu heimlich Hindernisse versuchen, versuchte Xcerra verheiratet zu stoppen bekommen.
Es wird berichtet, dass Cohu an den US-Ausschuß für Auslandsinvestitionen (CFIUS) direkt Snitch, bei chinesischer Übernahme gerichtet Zweifel an der Platzierung des Landes hat Xcerra.
Angesichts dieser Vorwürfe, wenn sie von Reuters Xcerra Antwort gefragt wurde, sagte er, dass Chen Cohu Dinge nicht existent, weil Xcerra noch keine Kunden kritische IP hatte. Semiconductor Unternehmen werden keine wichtigen Informationen und Testfabrik oder Händler teilen.
2. Inländische Lagerung der wichtigsten Kernmaterialien Debüt "Science";
Das Akademiemitglied Wang Xi verlieh Song Zhitang Team Awards und Boni
Shanghai Institut für Mikrosysteme, National 02 Wang Xi, stellvertretender Leiter der Sonderrede
Song Zhitang Forscher für den verwandten Forschungsbericht
Web of Science 22. Dezember Shanghai Nachrichten (Reporter Huang Xin) wissenschaftliche und technische Personal in den wichtigsten Schlachtfeld von wissenschaftlichen und technologischen Innovation zu fördern, akademischen Wohlstand zu fördern und das Wachstum von Wissenschaft und Technologie Talent, Shanghai Institute of Microsystem heute Nachmittag fördern statt einem hohen Niveau Science-Artikel veröffentlichten Berichte, in Anerkennung Song Zhitang Forscher Forschungsgruppe mit hohen Geschwindigkeit, geringer Strom neuen Sc-Sb-Te Phasenwechselspeichermaterial in wichtigen wissenschaftlichen Forschungsergebnissen. Es wird berichtet, dass Shanghai Institute of Microsystem und Informationstechnologie gemeinsam Semiconductor Manufacturing international Co., wählt zu einbetten Speicher (PCRAM) Phasenänderung als Ausgangspunkt in der nationalen wichtigsten wissenschaftlichen und technologischen Forschung und Entwicklung Programm konzentrierte sich auf spezielle nano, der nationalen Wissenschaft und Technologie Großprojekte "großen Maßstab Herstellung integrierter Schaltungen und komplette Sätze von Sonder (02 Projekte), die national Natural Science Foundation of China, chinesische Akademie der Wissenschaften eine Klasse strategische Finanzierung von führenden Wissenschafts- und Technologieprojekten, führendes Talent in Shanghai, dem Shanghai Science and Technology Kommission und anderen Projekten, nach mehr als zehn Jahren der Forschung, Wissenschaft und Technologie hat wichtige Reihe von Screening-Material im Speicher, Speicher-Chip-Design, PCRAM Grundfertigungstechnologie hergestellt Fortschritt.
Es wird berichtet, dass die Forschungsergebnisse mit unabhängigen Rechte an geistigem Eigentum (International Patent PCT / CN2016 / 096.334, chinesische Patent 201510697470,2). 9. November dieses Jahres, „Science“ Zeitschrift mit dem Titel Online ‚Verringerung der stochasticity der Kristallkeimbildung Subnanosekunden Speicher Schreiben ermöglichen‘ Diese wichtigen Forschungsergebnisse veröffentlicht, und im Journal vom 15. Dezember, die eine wichtigen Papier Wissenschaft Shanghai Mikrosystem auf dem Journal befindet veröffentlicht ist veröffentlicht, sondern auch die ersten wissenschaftlichen Arbeiten auf dem Gebiet fortschrittliche Speichertechnologie Schlüsselkernmaterial .
Bericht wird von dem Parteisekretär von Shanghai Institute of Microsystem und Gong Vorsitz; Xie Xiaoming, las stellvertretender Direktor die Entscheidung in Anerkennung des Shanghai Institute of Microsystem PCRAM Projektteam der chinesischen Akademie der Wissenschaften aus, Shanghai Institute of Microsystem Institute, die national 02 spezielle Abteilung Vice President Wang Xi war. Team vergeben Zertifikate und Preise.
Wang Xi sagte in seiner Rede, PCRAM Forscherteam unter Leitung von Song-Zhitang, seit 2002, nach fast 15 Jahren emsig gratuliert werden erreichten Erfolge. Er hoffte, dass Wissenschaftler können viel Erfolg, weiter, in der aktuellen müssen größere Erfolge Basis machen., steht vor der Spitze der Welt der Wissenschaft und Technologie, die nationalen Bedürfnisse, die wichtigsten Schlachtfeld für die Volkswirtschaft, Hilfe Antriebs Innovation, und bemühen uns, die chinesische Akademie der Wissenschaften Büro von CAS in der neuen Politik, in das Innovationszentrum Shanghai Branch zu üben Neubau zu machen Beitrag.
IC-Industrie 'Dreizehn Fünf nationalen strategischen aufstrebenden Branchen ist. Speicher einer der wichtigsten Technologie von integrierten Schaltungen ist, ist eine wichtige Manifestation der Kern der Wettbewerbsfähigkeit des Landes. China ist eine globale Produktionsbasis für elektronische Produkte, die Selbstversorgung ist noch relativ Speicher schwach in Übersee Samsung, Intel und andere große Halbleiter-Unternehmen Speichertechnologien und Produkte für die industrielle Entwicklung der chinesischen Informationssicherheit und Informationen bilden die wesentliche Risiken. drohende Entwicklung neuer Halbleiterspeichertechnologie unseres eigenes geistiges Eigentum monopolisieren.
Derzeit ist das international anerkannte Phasenwechsel-Speichermaterial ist ein ‚GST‘ (Ge-Sb-Te). Die jüngsten Fortschritte in der Technologie integrierter Schaltkreise des Stromverbrauch des Speicherchips, Leben, Größe, Ausdauer und andere Performance-Indikatoren Forschung Speichermaterialien Forschung und Entwicklung vorbringen haben höhere Anforderungen, Wissenschaftler auf der ganzen Welt zu intensivieren.
Chinesische Akademie der Wissenschaften Shanghai Institute of Microsystem und Informationstechnik Lied Zhitang Forscherteam einen wichtigen Durchbruch in der Erforschung neuen Phasenwechselspeichermaterials, in dem autonomen Phasenübergang unter der Leitung einer kubisch-flächenzentrierten metastabilen Theorie der primitiven Oktaeder gemacht hat, vorgeschlagen Innovation zwei Forschung und Entwicklung Ideen Oktaeder Gitter mit elektronischen Strukturen angepasst, neues Phasenwechselmaterial zu entwerfen, um die Nukleationszentren zu stabilisieren als Oktaeder die Zufälligkeit der Keimbildung des amorphen Phasenwechselmaterials zu reduzieren, indem man zuerst eine Hochgeschwindigkeits-Kristallisation zu erreichen Theorie und Berechnung von Moleküldynamiksimulationen, die Anzahl der Nebengruppenelemente, bevorzugt Scandium, Iridium (Sc, Y) als Dotierungselement, Leistungsprüfung von Speichereinheit, insbesondere für Hochgeschwindigkeits-wiederbeschreibbare Speicherzellentest Erfindung Sc-Sb-Te-Basis mit hohen Geschwindigkeit und niedriger Stromverbrauch, lange Lebensdauer, hohe Stabilität ‚des Scandiums Antimon Tellur‘ (Sc-Sb-Te) Phasenwechselmaterial, vorbereiten 0,13 um-CMOS-Prozess der Phasenänderungs-Speichervorrichtung 700 unter Verwendung eines zu erreichen Reversibilität Pikosekunden Geschwindigkeit Löschoperationen, die Zyklus-Lebensdauer von mehr als 107-mal im Vergleich zu herkömmlicher Ge-Sb-Te-Basis Phasenwechselspeichereinrichtung, die den Betrieb des Stromverbrauches um 90% reduziert, und ganz 10 Jahre Datenerhalt durch eine weitere Optimierung Materialien und Miniaturvorrichtung Elementgröße, Sc-Sb-Te basierter PCRAM wird die Gesamtleistung weitere Forschung zeigt, verbessert werden, Sc-Te stabil oktaedrischen Kern als die Hauptursache für die Keimbildung und das Wachstum von hohen Geschwindigkeit und niedrigen Stromverbrauch, die eine Gitteranpassung mit der elektronischen Struktur ist lang der Hauptgrund für das Leben, stabile flächenzentrierte kubische oktaedrische Hemmung hexagonal Richtung (FCC-HEX) Konvertierung mit hoher Geschwindigkeit und niedriger Leistung einer der Gründe.
Es versteht sich, Sc-Sb-Te Phasenwechselspeichermaterial eine wichtige Entdeckung von Shanghai Institute of Microsystem Forschungsteam auch, dass die Ge-Sb- gefunden langfristige Forschungsarbeiten in Phase-Change-Speicher. Das Forschungsteam angesammelt ist als der internationale Massenproduktion Te ein bessere Leistung unabhängig Ti-Sb-Te neuen Phasenwechsel-Speichermaterial; 4F2 entwickelte unabhängig eine hochdichte Diodentechnologie hat Zweikanalisolationsstufe fortgeschritten; ein erster entwickelte Test-Chip 8 MB PCRAM; entwickelt basierend auf dem Drucker 0.13umCMOS Prozess durch die ersten PCRAM Produktaufträge eingebettet 7.500.000; 40 nm auf der Grundlage hohe Dichte Diodentechnologie, von der Speicherzelle gelesen, die kleinste Größe aufweist, ist Sampling entwickelt wurde, die entwickelten 40nm Knoten PCRAM-Testchip-Einheit Ausbeute bis zu 99,999% oder mehr, und auch ohne Korrektur 4 MB, 64 MB PCRAM-Chip, ist jetzt für Kunden in der erweiterten Informationssystem-Testversion verfügbar.
Bei dem Treffen teilte Song Zhitang, ein Team von Forscherkollegen, die Forschungs- und Entwicklungstendenzen des Phasenwechselspeichers und die unermüdliche Erforschung technologischer Innovationen und der Industrialisierung des Teams mit.
Er sagte, dass diese neue Phasenwechsel-Material-Performance, die physikalische Lösung für die Speicher Low-Power-und High-Speed-Löschen Probleme, gekoppelt mit selbst entwickelten Chip wurde in High-Speed-Chip-Auslesen verwendet (US8947924), auf Chinas neue Generation der fortschrittlichsten Form von Speichern, wie das Material weiter in einem hochdichten, dreidimensionalem Speicherchip validiert werden, was wertvoll ist für unser Land ausländische technische Barrieren und Entwicklung von proprietären Speicherchips zu brechen, für die Realisierung unserer Speichertechnologie Die Entwicklung der Zukunft, die Förderung des Wohlstands der chinesischen Informationsindustrie und die Sicherung der Informationssicherheit in unserem Land sind von strategischer Bedeutung.
NSFC Direktor der Informationsabteilung, vier Pan Qing, Direktor der innovativen Wissenschaft und Technologie am Institut für Erziehungswissenschaften Kong Minghui, die Peking-Universität Professor Zhang, 02 nationale Wissenschaft und Technologie Großprojekte Management Office Experte Ma Zhenyu, Shanghai Science and Technology Kommission der High-Tech-Chinesischen Akademie der Wissenschaften stellvertretender Direktor Song Yang, Direktor Chen Ming Zhao, Vorsitzender der Shanghai IC F & E-Zentren in der Luft- und Raumfahrt, Min, Direktor des Shanghai Center for Nanoscience Reich, Mitte Executive Vice President, Semiconductor Manufacturing international Co. Zhoumei Sheng, Walker Road und Shanghai Mikrosystem Kader oben, besuchen das Rückgrat der wissenschaftlichen Forschung, Studenten die Vorlesung.
Die Experten haben gesagt, dass für den Song Zhitang und Team Engagement, bewegt halten. Jahre Schwert, sie erwarten, dass das Team nicht die frühe Herz vergessen, wichtige Durchbrüche in der ursprünglichen Grundlagenforschung gemacht hat, während in der Industrialisierung der wissenschaftlichen und technologischen Errungenschaften und Service das wichtigste Schlachtfeld der Volkswirtschaft bessere Ergebnisse zu erzielen.
3. Nord nm Laserpapier Landeplatz „Nature Communications“ und „wissenschaftlich-progress“;
Vor kurze Forschern Maren Min Peking-Universität und Mitarbeiter durch theoretische Analyse und dergleichen experimentelle Systeme Plasmonnanometer Laser demonstriert können kleiner sein als herkömmlicher Laser, schneller und mit geringerem Stromverbrauch und einem Schwellenwert, und aufschluss das Vorhandensein von anderen wesentlichen Unterschieden im Vergleich mit dem herkömmlichen Nanometer Laserstrahlungsfeld Laserplasmon, die eine Metalloberfläche Schwingungen freier Elektronen Plasmon Formen gebildet. verwandte Arbeiten sind „natürliche Kommunikation“ und „Advances in Wissenschaft, können alle sein, „-Magazin mit dem Titel‚Ungewöhnlicher Skalierungsgesetze für Plasmonen nanolasers jenseits der Beugungsgrenze‘und‚Imaging die dunkele Emission von spasers‘berichtet.
Entwicklung des Lasers mit der Materie Menschen des Verständnis der Wechselwirkung von Licht vertiefen, und hat stark die Entwicklung der modernen Wissenschaft und Technologie. Da die Laser Erfindung gefördert, ihre Miniaturisierung einer der Kernbereiche der Laserforschung gewesen ist. Sein Ziel zu erreichen ist geringere Größe, einen geringeren Stromverbrauch und eine höhere Geschwindigkeit Modulation eines Lasers, wie beispielsweise auf dem Chip-Verbindungs Anspruch Laserpolieren wobei der Laser unmittelbarer Nähe Waagenelektronik und der Stromverbrauch kleiner als anspruchsvolle elektrische Zwischenverbindung sollte Der Leistungsverbrauch des Lasers steht in einer positiven Korrelation mit seinen Abmessungen, und der Leistungsverbrauch pro Dekade des Fly-Thru 10 erfordert direkt, dass das Modenvolumen des Lasers weniger als etwa 0,02 Wellenlängenwürfel beträgt.
Abbildung 1 Schema des Grundprinzips eines konventionellen Lasers (links) und eines Nano-Lasers (rechts)
In den letzten 40 Jahren in der Miniaturisierung von Lasern ist in großen Leistungen geführt, entwickelte einen Laser (der VCSEL), Mikroscheibenlasern, photonischen Kristall-Laser und ein Nanodraht Laser und andere miniaturisierte Laser umfaßt eine VCSEL, jedoch in einem solchen herkömmlichen optischen Laser das Verstärkungsmedium durch stimulierte Emission von Photonen, und damit die Größe des Lasers durch die optische Beugungsgrenze Beschränkung, eine Mindestabmessung größer als die Hälfte der durchschnittliche Abmessung jeder Wellenlänge verstärkt wird, ist schwierig, eine Miniaturisierung zu erreichen (von links in Fig. 1).
Wie eine dreidimensionale Laser ist viel kleiner als die physikalischen Abmessungen gleichzeitig neue Laseremissionswellenlänge (die rechte in Fig. 1). Dieser herkömmliche optische Nanometer-Laser mit verschiedenen Lasern, deren Oberfläche durch die Schwingung der freien Elektronen im Metall vergrößert bildet Plasmon nano Plasmonen anstelle von Photonen, optischen Confinement-Modus 10 Nanometer tiefer subwellenlängen-Funktionen Maßstab ermöglicht wird. um jedoch eine Laser nano-Plasmon-Effekts unter Verwendung von räumlich lokalisierten elektromagnetischem Feld verursacht werden muss durch die Absorption von Metall begleitet Daher wurde die Frage diskutiert, ob Nanolaser die Leistungsvorteile gegenüber herkömmlichen Lasern haben.
Forscher und ihre Mitarbeiter haben systematisch Verstärkungsmaterialien, Metallmaterialien und Resonatoren optimiert, um die Laserschwelle von Nanolasern auf 10 Kilowatt pro Quadratzentimeter zu reduzieren, was zwei Größenordnungen niedriger ist als die niedrigste berichtete Nanolaserschwelle , Reduzierte erstmals die Schwelle von Nanolasern auf Laserschwellen für kommerziell erhältliche Laser.Sie untersuchten weiterhin mehr als 100 Sätze plasmonischer Nanolaser und mehr als 100 Gruppen von metallfreien Kontrollproben, Die Schlüsselleistung von Meta-Nano-Lasern mit Scaling Laws beweist, dass Nano-Laser eine kleinere physikalische Größe, eine schnellere Modulationsgeschwindigkeit, eine niedrigere Schwelle und einen geringeren Energieverbrauch als Nano-Laser im Vergleich zu herkömmlichen Lasern aufweisen können. (Abbildung 2) Diese Arbeit wurde in Nature and Communication (8, 1889, 2017) veröffentlicht.
Abb. 2 Plasmonische Nanolaser können kleiner (a), niedriger im Stromverbrauch (b) und schneller (c) als herkömmliche optische Laser sein
In einer anderen Arbeit, die dieses Jahr in Science Advances (3, e1601962, 2017) veröffentlicht wurde, nutzte der Forscher und Mitarbeiter Ma Renmin eine Methode zur mikroskopischen Durchleuchtung, um die Oberfläche von Nanolasern durch Impulsanpassung nachzuahmen Die Kopplung von dunkler und dunkler Strahlung an das Fernfeld realisiert die direkte Abbildung des realen Raums, des Impulsraums und des Spektrumsraums, wie in Abbildung 3 gezeigt. Die Ergebnisse zeigen, dass Nanolaser und konventionelle Laser einen wesentlichen Unterschied aufweisen und ihre Strahlungsfelder frei sein können Oberflächenplasmon-Polaritonen, die durch Elektronenschwingungen erzeugt wurden. Die Arbeit zeigte erstmals, dass die Strahlungsenergie eines Nanometer-Lasers mit dem Oberflächenplasmonen des Ausbreitungsmodus um einhundert Prozent gekoppelt werden kann, wodurch eine Grundlage für die weitere Manipulation und Anwendung des Nanometer-Lasers gelegt wird.
Abbildung 3 Realraum im Nano-Laser (a), Impulsraum (b) und Frequenzraum (c)
Peking University Doktoranden und Post Wang Wang so weit wie „Nature Communications“ Papier Co-Erstautor, Peking University Doktorand Chen Huazhou 2011 Studenten und Doktor Hu Jia Qi Wang ist Co-Autor des Buches „Wissenschaft, Fortschritt“, das Papier, die wichtigsten Mitarbeiter einschließlich der Peking-Universität Professor Darren und britischen Imperial College Professor Rupert Oulton ;. beide Ma Renmin Forscher Arbeit war 'tausende von Jugendlichen' Projekt Autor beider Papiere entspricht, der national Natural Science Foundation of China, Ministerium für Wissenschaft, künstliche Mikrostruktur mesoskopischen Strukturen und Unterstützung State Key Laboratory der Physik, die Quantenmaterialien Innovationszentrum der kollaborativen Wissenschaft.
Anhang: Maren Min Labor Forscher Home: http://www.phy.pku.edu.cn/~renminma/ Peking University
4. Chinesische Akademie der Wissenschaften baute die größte gemeinsame Plattform für die gemeinsame Nutzung von Laborausrüstung
China Nachrichtenagentur, Beijing, 22. Dezember (Reporter Zhang Su) - Reporter erfuhr 22 von der Chinesischen Akademie der Wissenschaften, gebaut, um die größte Krankenhauslaborgeräte Online-Dienste und Betriebsmanagementsystem und effektiv den sozialen Austausch von Forschungsgeräten fördern.
Das System ‚gemeinsame Geräte-Management-Plattform V3.0 Chinese Academy of Sciences‘ basierte mobile Anwendungen, Netzwerke, Cloud und offene Technologie-Architektur aus dem Gebäude. Seit Ende 2016 auf der Linie genannt, verfügt über 15 große Instrumente im Bereich der Chinesischen Akademie der Wissenschaften Zentrum, 114 Institut erfolgreich angewendet.
Nach den Statistiken, Online-Großgeräte erreichten 8.000 Sets im Wert von mehr als 11 Milliarden Yuan, um das System der Anzahl der Benutzer ab Ende November 2017 mehr als 40.000 Menschen erreicht, wenn die gemeinsamen Plattform jährliche Bedienen von Maschinen 10.000.000 Stunden überschritten haben, behandeln die im Auftrag Singular Fast 600.000 Bestellungen.
Die Daten zeigen, dass das System im Leerlauf ist so Forschungsausrüstung aus der ‚Krankenhaus‘ go ‚Lobby‘, öffnen Sie die soziale Teilen. Da das Online-System V3.0 Jahr, das Krankenhaus erreichte mehr als 1.510.000 Stunden geteilt Maschine.
Die Annahme von Gutachten, V3.0-System von der Ausrüstung Reservierung realisiert, Buchungs Prüfung, Erkennung und Analyse, Probe Anmeldegebühr Abrechnung Lifecycle Management zu experimentieren, eine Reihe von wichtigen wissenschaftlichen und technologischen Innovationen so ausgegeben. Zum Beispiel des Institut für Physik unter Berufung auf Peking Materialwissenschaft und Nanotechnologie regionalen Zentren für große Instrumente öffentliche Technologieplattform supraleitenden, weiterhin die auf Eisen basierenden supraleitenden Studien, welche die supraleitende kritische Temperaturaufzeichnungen zu aktualisieren.
Mit V3.0 sowie Institute der sozioökonomischen Systemdienste. Suzhou Institute of Nano-Tech-und Nano setzt auf Simulationsplattform innerhalb eines Jahres 120 Forschungsinstitute, Hochschulforschungsteams und etwa 220 120 Forschung und Entwicklung Unternehmen, die Dienstleistungen zur Verfügung zu stellen. Dazu gehören Suzhou empfindlichen Kern Mikroelektronik Technology Co., Ltd., und Wei Qi Biotechnology Co., Prozess unsichtbares Laserschneiden, das Problem zu lösen, so dass Unternehmen dramatisch ergeben.