Сульфид олова (SnS2) представляет собой двумерный материал Ван-дер-Ваальса с превосходными фотоэлектрическими свойствами и является одним из двухмерных полупроводниковых материалов с самым быстрым временем фотоэлектрического отклика, о котором сообщалось до сих пор. Этот материал нетоксичен, экологически чист, имеет богатый по содержанию и легко поддается подготовке. Исследовательская группа получала высококачественные монокристаллы Fe-SnS2 с различными концентрациями легирования путем обхода условий роста обычным методом переноса химического пара, а затем получала двумерные наложения на основе Fe-SnS2 методом механической десорбции. Поисковая просвечивающая электронная микроскопия STEM) показывают, что атомы Fe легируются в положении атомов Sn и равномерно распределены. Согласно регулированию условий роста, в сочетании с анализом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS), ряд различных кристаллов, легированных железом Разнообразные концентрации составляли 2,1%, 1,5% и 1,1% соответственно. Полевой транзисторный тест монослоя Fe0.021Sn0.979S2 показал, что материал был n-типом, коэффициент переключения был более 106, а подвижность составляла 8,15 см2В-1 с-1. Степень 206mAW-1, показывает хорошие оптоэлектронные свойства.
Одночиповое магнитное испытание показало, что SnS2 является диамагнетизмом, Fe0.021Sn0.979S2 и Fe0.015Sn0.985S2 имеют ферромагнетизм, а Fe0.011Sn0.989S2 - парамагнетизм. Эксперимент измеряется Fe0.021Sn0.979S2 Curie Температура равна 31 К. Когда температура составляет 2 К, магнитное поле может иметь разные магнитные свойства вдоль вертикальной оси с и параллельной оси с, т. Е. Сильной магнитной анизотропией. Теоретические расчеты показывают, что магнитные свойства Fe-SnS2 получены из атомов Fe и Антиферромагнитная связь соседних атомов S и соседних атомов Fe ферромагнетически связана, тем самым формируя дальний ферромагнетизм в таком легирующем магнитном атоме материале. Это исследование показывает, что SnS в сплаве железа в будущем нано Существуют потенциальные приложения в электронике, магнетизм и оптоэлектронике.
Соответствующие результаты исследований, опубликованные в исследовательской работе Nature Communications в рамках «Программы сотен талантов» Академии наук Китая и Национального фонда естественных наук Китая, выдающегося фонда молодежных исследований, являются основой финансирования проекта.
Прогресс в магнитном легировании двумерного полупроводника в полупроводнике