'Reward' Spreadtrum ganhou o prêmio anual da empresa 5G Innovative

1. O Spreadtrum da Violet ganhou o prêmio anual da Empresa inovadora 5G, 2. Combinação poderosa, o Xinhua III em conjunto Ziguang Zhaoyui lançou o novo módulo IM2210-NB 3. O semicondutor de semicondutor semicondutor magnético progredindo no progresso da pesquisa

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1. Ziguang Spreadtrum ganhou o prêmio anual 5G Innovative Enterprise Award;

Definir notícias de micro-malhas, todas as coisas mais próximas da maré da Internet e a indústria de comunicações da China passou por 2G a seguir, inovação 3G, sincronização 4G, determinamos na próxima era 5G, nos tornamos líderes da indústria, não só Em busca de indústrias e mercados, também devemos ter nossa opinião em padrões e tecnologias e melhorar seu status internacional.

Como líder no design de chips da China Mobile, o Spreadtrum da Zhanxun sempre seguiu a estratégia nacional e o cronograma internacional de pesquisa e desenvolvimento 5G. Desde o início de 2015, a Spreadtrum já possui uma equipe profissional de P & D e vem inovando em tecnologia de chips móveis 5G todo o caminho Liderando, pelo país e pela indústria, afirmou na Conferência da Indústria das Comunicações da China de 19 de dezembro de 2017 e na 12ª Conferência Anual de Tecnologia de Comunicações da China, a Spreadtrum, com sua contribuição para a inovação tecnológica 5G, ganhou o setor de comunicações de 2017 Jinzhu Prêmio - Prêmio 5G Innovative Enterprise.

Spreadtrum Beijing Wang Peng, gerente geral (terceiro da direita) veio a aceitar o prêmio

A Conferência da Indústria de Comunicações da China é patrocinada pelo Instituto de Pesquisa e Desenvolvimento da Indústria da Informação da China e no Jornal da Indústria das Comunicações. Este ano, com o tema "Inovação e Desafios da Conexão Dalian e Inteligência Pan-Inteligente", a conferência deste ano convida especialistas do setor a negociar o futuro e receber a era da Dalian Connect. Em reconhecimento aos produtos, pessoas e empresas que contribuíram para o desenvolvimento do setor de TIC em 2017, a conferência criou o Prêmio Jinzizhu da Indústria da Comunicação. Com resultados 5G, o Spreadtrum destacou-se entre as empresas destacadas e ganhou o 5G Innovative Enterprise Award.

5G quando

O Spreadtrum está atualmente na posição de liderança na pesquisa e no desenvolvimento de 5G. Durante a segunda fase da pesquisa de tecnologia 5G de China e validação de desenvolvimento organizada pela China IMT-2020 (5G) em setembro, a Spreadtrum concluiu com sucesso a interoperação com a base de protótipo da plataforma Huawei 5G Teste de Docking (IODT). O encaixe bem-sucedido demonstra a realização histórica do Spreadtrum na aceleração da padronização 5G e comercialização.

Plataforma de protótipo terminal Spreadtrum 5G Piliot V2

Além disso, a Spreadtrum implementou o Pilot V2, a última plataforma de protótipo terminal 5G que suporta características de design de interface de ar flexível 5G, uma nova arquitetura de baseband / RF de terminal, processadores multi-core integrados, processamento de sinal de alta velocidade FPGA para suportar a banda Sub-6GHz, 8 * 8MIMO e Agregação de portadora e recursos reconfiguraveis flexíveis múltiplos para atender aos requisitos de verificação de alto rendimento, baixa latência e flexibilidade em cenários de vários cenários 5G NR e fornecer soluções de protótipo de terminal para testes 5G e verificação.

Futuro 5G

Spreadtrum continuará a investir em pesquisa e desenvolvimento de tecnologia inovadora 5G, será o primeiro a apoiar o chip móvel padrão 3GPP R15 5G em 2018. Ao mesmo tempo, a Spreadtrum também fortalecerá a cooperação com parceiros para promover o desenvolvimento de tecnologia 5G da China e os padrões de desenvolvimento simultâneo, promoção O status internacional do nosso país no campo das comunicações globais.

A era 5G chegou, o avanço contínuo impulsionado pela inovação da Spreadtrum, a fim de artesanato básico por causa do arrepiante. Uma era "central" chegou, Spreadtrum Ready.

2. Aliança poderosa, Xinhua três mão Ziguang Zhaoyi lançar novo módulo IM2210-NB;

O recente Xinhua Group III lançou oficialmente o novo módulo IM2210-NB. Informou que este módulo da Zhaopin Rui fornece chips, a Xinhua três para fornecer pesquisa de tecnologia e recursos de pesquisa de produtos nos diferentes do tradicional Com base em recursos como o poder de sono ultra-baixo, baixa largura de banda, longa duração da bateria e ampla cobertura, o novo IM2210-NB também possui duas vantagens extremas: uma é de tamanho pequeno e a outra é China Chip.

Em primeiro lugar, de tamanho pequeno, o novo módulo NB usa muito pequenas dimensões, do pacote de LCC 16 * 18 * 2,1 milímetros. IM2210 módulo NB-IdC utiliza avançado design altamente integrado, RF, de banda de base integrada numa Na placa de circuito impresso, o receptor sem fio, o transmissor, o processamento de sinal de banda base, o processamento de sinal de áudio e outras funções estão completos. A interface LCC PAD é adotada para a interface de aplicação externa e o comando AT é estendido para realizar a solução personalizada para usuários.

Ao mesmo tempo, o pequeno tamanho tem duas vantagens muito óbvias: primeiro, pode ser incorporado aos pequenos produtos de terminais inteligentes para leitura de medidores inteligentes, estacionamento inteligente, edifícios inteligentes, aplicativos domésticos inteligentes, eo segundo economiza muito o pano Área, melhor aplicada a toda a indústria.

Em segundo lugar, os aspectos centrais da China, o novo módulo IM2210-NB pelo show roxo afiada e forte joint Hua Sanjiang novo, leve transportando sistema operacional H3C Oasis OS de coisas, e se esforçam para criar um sistema de defesa de segurança completa tridimensional, com foco em segurança de chips, segurança das comunicações, a segurança dos dados, a segurança do sistema e segurança do aplicativo. o programa de construção de auto-estudo, de modo que o módulo de comunicação para realizar a produção nacional, a partir do fundo do chip para começar a proteger a segurança da informação, promover o rápido desenvolvimento da Internet da indústria coisas para acelerar as coisas Terminal inteligente.

Vale a pena notar que os novos módulos de liberação IM2210-NB, não só está de acordo com o Ministério da Indústria emitiu "a Secretaria-Geral do Ministério da Indústria e Tecnologia da Informação em promover de forma abrangente Internet móvel das coisas (NB-IoT) construção e desenvolvimento da comunicação" chamada, também reagiu à construção da nação Política de rede IPv6, a prioridade será no governo, educação, finanças, Internet, rádio e televisão, clientes da indústria de serviços de operadores, para atender a "tudo em conjunto", trabalhar juntos.

3. Semicondutor de duplicação de doping magnético semicondutor progresso da pesquisa

Nos últimos anos, os materiais van der Waals bidimensionais, como o grafeno, o dissulfureto de molibdênio e similares, foram amplamente estudados devido à sua estrutura única, propriedades físicas e propriedades fotoelétricas. No campo dos materiais bidimensionais, os materiais magnéticos bidimensionais possuem imagens físicas mais ricas E tem importantes aplicações potenciais no futuro spintronics, cada vez mais pessoas estão preocupadas. O dano é um meio importante para realizar uma banda bidimensional de energia de semicondutores, se materiais semicondutores bidimensionais dopados com átomos magnéticos, Esses materiais podem ter propriedades magnéticas, mantendo as propriedades optoeletrônicas de semicondutores originais. Recentemente, a equipe de pesquisa liderada por Wei Zhongming e Li Jingbo, supervisores do Instituto de Semicondutores para Semicondutores da Academia Chinesa de Ciências, -SnS2) cristais fizeram novos progressos na pesquisa de luz, eletricidade e magnetismo.

O sulfeto de lata (SnS2) é um material bidimensional de van der Waals com excelentes propriedades fotoelétricas e é um dos materiais semicondutores bidimensionais com o tempo de resposta fotoelétrico mais rápido relatado até agora. Este material é não tóxico, amigo do ambiente, rico em conteúdo e fácil de preparar. O time de pesquisa obteve monocristais de Fe-SnS2 de alta qualidade com diferentes concentrações de dopagem acumulando as condições de crescimento pelo método convencional de transporte de vapor químico e, em seguida, obteve nanosheets Fe-SnS2 bidimensionais por meio de método de remoção mecânica. Microscopia eletrônica de transmissão de pesquisa STEM) mostram que os átomos de Fe estão doping na posição dos átomos de Sn e distribuídos uniformemente. De acordo com a regulação das condições de crescimento, combinado com a análise de espectroscopia de fotoelétrons de raio X (XPS), uma série de diferentes cristais de ferro dopados As concentrações diversas foram de 2,1%, 1,5% e 1,1%, respectivamente. O teste de transistor de efeito de campo da monocamada Fe0.021Sn0.979S2 mostrou que o material era de n-tipo, a relação de comutação era superior a 106 e a mobilidade era de 8,15cm2V-1s-1. Grau de 206mAW-1, mostra boas propriedades optoeletrônicas.

O teste magnético de um único chip mostrou que o SnS2 é diamagnetismo, Fe0.021Sn0.979S2 e Fe0.015Sn0.985S2 possuem ferromagnetismo, enquanto o Fe0.011Sn0.989S2 mostra o paramagnetismo. O experimento mediu Fe0.021Sn0.979S2 Curie A temperatura é de 31 K. Quando a temperatura é de 2K, o campo magnético pode obter propriedades magnéticas diferentes ao longo do eixo c vertical e do eixo paralelo c, ou seja, anisotropia magnética forte. Os cálculos teóricos mostram que as propriedades magnéticas de Fe-SnS2 são derivadas de átomos de Fe e O acoplamento antiferromagnético de átomos de S adjacentes e os átomos de Fe vizinhos são acoplados ferromagneticamente, formando assim um ferromagnetismo de longo alcance em um material de doping de átomos magnéticos. Este estudo mostra que SnS dopado de ferro no futuro nano Existem aplicações potenciais em eletrônicos, magnetismo e optoeletrônicos.

Os resultados de pesquisa relevantes publicados no trabalho de pesquisa da Nature Communications pelo Programa de Cem Talentos da Academia Chinesa de Ciências e da Fundação Nacional de Ciências Naturais do destacado fundo de ciência juvenil da China, a superfície do financiamento do projeto.

Avanços no doping magnético de semicondutores bidimensionais por semicondutores Institute of Chinese Academy of Sciences

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