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1. Ziguang Spreadtrum gewann den jährlichen 5G Innovative Enterprise Award;
Stellen Sie Mikro-Netzwerk Nachrichten, wird die Flut immer näher Verbindung aller Dinge, und Telekommunikationsindustrie Chinas erlebt hat, nach dem 2G, 3G Durchbruch, 4G nach der Synchronisierung, werden wir bis 5G in der kommenden Ära bestimmt, die Industrie ‚Führer‘, nicht nur zu Bei der Verfolgung von Industrien und Märkten müssen wir auch bei Standards und Technologien mitbestimmen und ihren internationalen Status verbessern.
Purples Spreadtrum wie China Mobile Chip-Design-Unternehmen, in 5G Forschung und Entwicklung zu halten, die nationale Strategie und internationalen Zeitplan auf. Ab Anfang 2015 Investitionen 5G Forschung und Entwicklung, da hat Spreadtrum ein professionelleres R & D Team, die ganzen Weg auf 5G Handy-Chip-Technologie Innovation führenden nationalen und von der Industrie bestätigt. in 19. Dezember 2017 China Kommunikations-Industrie Konferenz und 12. Jahrestagung der Telekommunikationstechnik in China, Spreadtrum mit seinen innovativen Beitrag in 5G Technologie, gewann die 2017 jährliche Kommunikationsbranche Gold Shichiku Auszeichnung - 5G Innovativer Unternehmenspreis.
Spreadtrum Beijing Wang Peng, Geschäftsführer (dritter von rechts), nahm die Auszeichnung entgegen
China Communications Industry Conference wird von der China Electronic Information Industry Development Research Institute und der Kommunikationsindustrie, in diesem Jahr die Generalversammlung zu ‚großer Verbindung unter der Pan-smart Innovation und Herausforderungen‘, wie das Thema organisiert, Experten einladen, die die Zukunft der Branche zu verhandeln, eine große zusammenhängende Ära gerecht zu werden. die Generalversammlung in Anerkennung der Industrie Produkt 2017 ICT für die Entwicklung und die Weisheit, die Menschen und Unternehmen Kommunikationsbranche Gold Zizhu Auszeichnung, Spreadtrum aufgrund ihrer 5G Leistungen beitragen, steht von allen herausragenden Unternehmen der Einrichtung aus, gewann die Innovation Enterprise Award 5G.
5G wann
5G-Technologie Forschung und Entwicklung der zweiten Phase des technischen Lösung Validierung China in 5G Forschung und Entwicklung, Spreadtrum ist jetzt in einer führenden Position im September die Organisation von den chinesischen IMT-2020 (5G), der erfolgreichen Abschluss von Huawei 5G Prototyp Basisstation zur Förderung der Interoperabilität Docking-Test (IODT). die erfolgreichen Andocken zeigen Spreadtrum Orientierungspunkt Erfolge bei der Beschleunigung 5G Standardisierung und Kommerzialisierung.
Spreadtrum 5G Terminal Prototyp Plattform Piliot V2
Ferner realisierte Spreadtrum neueste V2 Pilot-Prototyping-Plattform 5G Terminal, das Schnittstellendesign Eigenschaft der neuen Terminal-Basisband / RF-Architektur, integrierte Multi-Core-Prozessor, Hochgeschwindigkeits-Signalverarbeitung FPGA-Array-Unterstützung Sub-6 GHz Band, 8 * 8MIMO 5G flexible Luft unterstützt und Trägeraggregation und umfasst mehrwertigen flexible Rekonfigurierbarkeit, überprüfte die Nachfrage nach hohen Durchsatz, geringe Verzögerung, und der Flexibilität der Mehrfachszenen-NR 5G, 5G liefernden Terminal zu erfüllen Testen und Verifizieren Lösung zum Prototyp.
5G Zukunft
Spreadtrum wird weiterhin R & D 5G innovative Technologie investieren, wird zum ersten Mal gestartet werden, um 3GPP R15 5G mobilen Standard-Chip zu unterstützen 2018. Inzwischen Spreadtrum auch die Zusammenarbeit mit Partnern stärken wird, die gleichzeitige Entwicklung von 5G-Technologie Forschung und Standards unseres Landes zu fördern, zu verbessern Der internationale Status unseres Landes im Bereich der globalen Kommunikation.
5G Zeit gekommen ist, wird Spreadtrum nach vorn machen Fortschritte und Innovation als treibende Kraft auf den Kern Geist des Handwerkers Haltung Temperament weiter. Ein ‚Kern‘ Zeit ist gekommen, Spreadtrum bereit zu gehen.
2. mächtige Allianz, Xinhua drei Hand Ziguang Zhaoyi Release neue IM2210-NB-Modul;
Set Mikro-Netzwerk Nachrichten, vor kurzem, hier Xinhua Gruppe drei neuen IM2210-NB-Modul freigegeben. Es wird gelernt, dass dieses Chip-Modul durch die Ausstellung der scharfen lila, Xinhua III bietet F & E und Produktforschungskapazitäten in hat von den traditionellen anders vorgesehen Ultra-Low-Power-Sleep-Basismodul, mit niedriger Bandbreite, lange Lebensdauer und andere Merkmale der breiten Abdeckung, die neue IM2210-NB haben auch zwei extremen Vorteil, zuerst, geringe Größe, der zweite ist die chinesische Kern.
Erstens, in kleiner Größe, das neue Modul verwendet NB sehr kleine Abmessungen, des LCC-Gehäuses 16 * 18 * 2,1 mm. IM2210 NB-IoT Modul erweitert hochintegrierte Konstruktion verwendet, RF, Basisband in einem integrierten eine Leiterplatte, vervollständigt den drahtlosen Empfänger, Sender-Basisband-Signalverarbeitungsfunktionen und eine Audiosignalverarbeitung und die einseitige Anordnung, das externe Anwendungsschnittstelle PAD LCC, Unterstützung auf Befehl erweitert, kann der Benutzer Anpassung Programm realisieren.
Zur gleichen Zeit, hat geringe Größe zwei sehr deutliche Vorteile: Erstens, um in sehr kleinen intelligenten Terminal-Produkte für Smart Metering, Smart Parkplatz, intelligente Gebäude, Smart Home und andere Anwendungen aufgebaut werden, die zweite ist eine große Ersparnis Layout Area, besser für die gesamte Branche angewendet.
Zweitens ist die Kernaspekte von China, das neuen IM2210-NB-Modul durch die lila zeigen scharfe und starke Verbindung Hua Sanjiang neue, leichte Trage H3C Oasis OS-Betriebssystemes der Dinge, und danach streben, ein volles dreidimensionales Sicherheit Abwehrsystem, wobei den Schwerpunkt auf dem Chip Sicherheit zu schaffen, Kommunikationssicherheit, Datensicherheit, Systemsicherheit und Anwendungssicherheit. das Build-Selbststudienprogramm, so dass das Kommunikationsmodul die nationale Produktion, von der Unterseite des Chips zu realisieren Informationssicherheit zu starten schützen, fördert die rasche Entwicklung des Internets der Dinge Industrie Dinge zu beschleunigen Terminal intelligent.
Es ist erwähnenswert, dass die neue Module IM2210-NB Release, nicht nur entspricht das Ministerium für Industrie ausgestellt „das Generalbüro des Ministeriums für Industrie und Informationstechnologie auf umfassend mobiles Internet der Dinge (NB-IoT) Konstruktion und Entwicklung der Bekanntmachung der Förderung“ Ruf, auch für die Nationenbildung reagiert IPv6-Netzwerk-Politik, Priorität wird in der Regierung, Bildung, Finanzen, Internet, Radio und Fernsehen, Betreiber Service-Industrie Kunden, um die "alle Dinge verbunden" Ära zusammen arbeiten.
3. Halbleiter zweidimensionale Halbleiter-Magnet-Doping-Forschung Fortschritte
In den letzten Jahren wurden umfangreiche Untersuchungen zweidimensionalen Graphen Material gewesen wie Van-der-Waals oder Molybdändisulfid wegen seiner einzigartigen Struktur, die physikalischen Eigenschaften und optischen Eigenschaften. Auf dem Gebiet der Untersuchung von zweidimensionalen Material, das magnetische Material hat ein zweidimensionales Bild eines physischen reicher und hat in der Zukunft der Spintronik wichtigen Anwendungsmöglichkeiten, mehr und mehr der Aufmerksamkeit der Menschen. Doping ist ein wichtiges Mittel, um das zweidimensionale Halbleiter-Bandgap-Engineering zu erreichen, wenn zweidimensionale magnetische Atome Halbleitermaterial dotiert ist, diese Materialien können einen magnetischen Halbleiter optoelektronischen, während die ursprünglichen Eigenschaften beibehalten werden. Vor kurzem hat die State Key Laboratory der Halbleiter-Übergitterhalbleiter Forscher am Institut der chinesischen Akademie der Wissenschaften Weizhong Ming, Li Jingbo das Forschungsteam, in einem zweidimensionalen Eisen dotierten Zinn-Sulfid (Fe geführt -SnS2) Fortschritte in optischen, elektrischen und magnetischen Untersuchung von Kristallen hergestellt.
Zinn-Sulfid (SnS2) ist eine ausgezeichnete optoelektronischen Eigenschaften von zweidimensionalem van-der-Waals-Halbleitermaterial, ist derzeit einer der am schnellsten Zeit des Fotos Berichts einer zweidimensionalen Halbleitermaterial Reaktion. Das Material ist ungiftig, umweltfreundlich, inhaltsreiche und einfach zuzubereiten. das Explorationsteam durch herkömmliche chemische Dampftransportverfahren die Wachstumsbedingungen unter Verwendung eines hochwertigen Einkristalls Fe-SnS2 unterschiedlichen Dotierungskonzentrationen und eine zweidimensionale nano-Fe-SnS2 Blattabziehsystem Verfahren durch mechanische Rastertransmissionselektronenmikroskop erhalten wurden ( STEM) zeigten die Ergebnisse, dass, Fe-Atome in Substitutions-Dotierungs Sn Atomposition und gleichmäßig durch die Wachstumsbedingungen verteilt, Regulierung, in Kombination mit Röntgenphotoelektronenspektroskopie-Analyse (XPS), eine Reihe von verschiedenen Kristallen erhalten werden, eisendotiertem Heteroaryl-Konzentrationen waren 2,1%, 1,5%, 1,1% Fe0.021Sn0.979S2 einzelnen Feldeffekttransistor Tests zeigen, dass das Material vom n-Typ, wird der Schalter 106 Verhältnis übersteigt, während die Mobilität 8.15cm2V-1s-1, auf Licht ansprechenden Grad 206mAW-1 zeigte gute optische Eigenschaften.
Single-Wafer-Tests zeigen, magnetische, diamagnetische von SnS2, und Fe0.015Sn0.985S2 Fe0.021Sn0.979S2 ferromagnetischen und Ausstellungs Fe0.011Sn0.989S2 paramagnetisch ist. Experimentell gemessene Curie Fe0.021Sn0.979S2 Temperatur betrug 31K. erhalten werden kann, wenn die Temperatur 2K, externes Magnetfeld entlang der c-Achse senkrecht zu der c-Achsenrichtung und parallel zu der magnetischen unterschiedlich, das heißt eine starke magnetische Anisotropie. theoretische Berechnungen zeigen, dass die magnetischen Fe-SnS2 Fe-Atom und abgeleitet von antiferromagnetisch gekoppelt benachbarte S-Atome und Fe-Atome zwischen benachbarten ferromagnetischen Kopplung ist, so dass magnetische Atome Dotiermaterial eine langreichweitige ferro zu bilden. diese Studie zeigt, dass Zinnsulfid in Zukunft nano-Fe dotiert Elektronik, Magnetik und der Optoelektronik haben potentielle Anwendungen.
Die Forschungsergebnisse veröffentlicht in Nature Communications. Forschung wurde finanziert Chinesischen Akademie der Wissenschaften ‚Hundert‘ und der National Natural Science Foundation Outstanding Youth Science Foundation, Programm Projekte.
Die zweidimensionale magnetische Halbleiter dotierte Halbleiterforschung Fortschritt der chinesischen Akademie der Wissenschaften Website