Cada coche hasta cientos de piezas de chip interno IC, un perfecto punto de aplicación de la industria de semiconductores en Alemania, el segundo mayor GlobalFoundries oblea de fundición del mundo (GF) está situado en Dresden, Alemania (Dresden) de 12 pulgadas Fab, jugó 28 polySion nanómetros / HKMG de 22 nm y el centro de desarrollo de la tecnología FD-SOI, el futuro va a cerrar el coche con la disposición electrónica completa, tiene alianzas estratégicas con proveedores de automoción componentes electrónicos Bosch (Bosch). GF planta de Dresde, anteriormente conocido como Advanced Micro Devices (AMD ) Fab (1996 a 2009), ha crecido hasta cinco Fab, la mayor fábrica de obleas de 12 pulgadas de Europa. abierto en los últimos años, la tecnología de proceso de GF modelo, a partir de 28 nanómetros proceso polySion / HKMG, mercados para diferentes aplicaciones, respectivamente, 22 y 12 nm hacia el proceso FD-SOI, 14LPP / 12LP proceso de disposición / 7LP FinFET. tecnología GF Dresden planta de 22 nm FD-SOI tiene pequeñas de producción, se espera segundo medio 22 y 28 2018 dió cruz de oro nm, la unidad 22 nm tecnología FD-SOI para importar rápidamente del lado de la aplicación. en los últimos años, semiconductores grandes cambios, los teléfonos inteligentes que toman más de la era post-PC en aplicaciones de productos y la tecnología para el crecimiento actual también comenzaron a mostrar signos de fatiga, Promover que los fabricantes de semiconductores busquen activamente otros oportunidades de aplicación, incluyendo la electrónica del automóvil, la Internet de los objetos (IO), 5G y así sucesivamente. Thomas Morgenstern, vicepresidente de análisis de GF, la Ley de Moore hasta el final de 90, 65, 40 desarrollo nanómetros hasta ahora, la generación de 28 nm es un punto de inflexión crítico, porque entonces hacia abajo con una miniatura a los beneficios de costo son una reducción evidente, hacia abajo, hacia el 20, 16/14 nanómetro es técnicamente factible, pero la velocidad del transistor es una reducción significativa en la reducción de costes, por lo tanto, la tecnología FD-SOI será una continuación de la Ley de Moore es otra manera. GF hoja de ruta trazado hacia dos direcciones, un proceso FinFET para centrarse en tecnologías de cómputo de alta velocidad, incluyendo aplicaciones de sensores, tarjeta gráfica, el procesador del teléfono de gama (AP), Netcom, coche ADAS-finales y similares; tecnología FD-SOI está especializada en comunicaciones inalámbricas, incluyendo la de bajo nivel de AP, redes, electrónica automotriz, cámaras de teléfonos móviles, que ofrece bajo consumo de energía, rentable, el rendimiento de RF, así como la tecnología de memoria integrado. Morgenstern pasado en el Infineon y Qimonda planta (Qimonda) Dresden trabajo, también responsable de los semiconductores y la planta de Bosch sensor, bastante familiarizado con las piezas de automóviles de fabricación de 2017 para incorporarse a las filas de la planta GF Dresden, que se espera futura planta de la electrónica del automóvil en el núcleo de semiconductores las estrategias de producción y relaciones con los clientes, entrarán en un nuevo hito. GF cree que 22 nm FD-SOI rendimiento del proceso equivalente a 14 nanómetros, pero el costo y 28 nanómetros en vez, una continuación de las aplicaciones de proceso de 28 nanómetros, y el rendimiento de proceso de 12 nanómetros es equivalente a 10 nanómetros, el coste del proceso de 16 nanómetros considerablemente. Actualmente GF de centro de proceso de FD-SOI es la planta Dresden, comenzó a cambiar con el continente en Chengdu planta de 12 pulgadas en 2018, el futuro de ambos lados producirá proceso FD-SOI, sino también a los clientes sobre la base de demanda esperanza descentralizado lugares de producción, Dresde sesgo posicionamiento planta de chips electrónicos del automóvil para apoyar las necesidades de los clientes europeos, la planta de Chengdu se centra en el continente de las cosas, 5G y otras tecnologías relacionadas. fábrica GF Chengdu es una empresa conjunta con la parte continental de Chengdu gobierno municipal, la primera etapa de la importación fábrica de Singapur de 0,18 / 0,13 micras proceso de 2019 segunda mitad comenzó a cambiar la tecnología de 22 nm proceso de FD-SOI, la planificación de una capacidad anual de 1 millón de dólares, mientras que $ los 100 millones establecieron centros de servicios de diseño FD-SOI FDX, el establecimiento de EDA / Se espera que la cadena de suministro del ecosistema de IP reclute 500 ingenieros.
