La micro-red del sistema lanzó el número público de la micro-letra del circuito integrado: "cada día IC", lanzamiento en tiempo real de las noticias importantes, cada día IC, cada día fijó las micro-redes, acumula micro-Cheng! Replicación Laoyaoic la búsqueda de números públicos de micro Letras agrega atención.
1. la investigación antimonopolio de China o retrasar la terminación de la venta del negocio del chip de memoria de Toshiba;
Conjunto de noticias de micro-redes, siguiendo los datos occidentales y Toshiba sobre el negocio del chip de memoria del asentamiento, la revista Nikkei Asia reportó que el regulador chino también abrió una investigación antimonopolio de la adquisición, se espera que la terminación de la adquisición se retrase por algún tiempo.
Para hacer frente a la cepa financiera del activo de 6,3 mil millones dólares de Westinghouse amortizaciones, Toshiba firmó un acuerdo con el consorcio Bain Capital el 28 de septiembre para vender su unidad de negocio de chips a este último, que se espera que se complete en marzo del próximo año.
Los comentarios señalan que el acuerdo ha sido aprobado por los reguladores de Estados Unidos y Japón y está sujeto a la aprobación de los reguladores en la China continental, la región de Taiwán de China y Corea del sur. Aunque esta semana, Toshiba y los datos occidentales finalmente se dieron la mano, pero todavía necesitan tener accionistas y reguladores en las dos autorizaciones para completar la venta del negocio del chip de memoria a las transacciones del consorcio de Bain Capital.
De hecho, a comienzos de este mes, los reguladores chinos empezaron a aprobar la venta del negocio de chips de memoria de Toshiba. En septiembre de este año, Toshiba entregó los materiales de aprobación a los reguladores chinos después de que se alcanzara un acuerdo con Bain Capital y sus socios. Los comentarios señalan que la aprobación de los reguladores chinos para tales acuerdos toma típicamente cerca de 4 meses, a veces extendiéndose a 6 meses, agregando a la incertidumbre acerca de si Toshiba completará el acuerdo para el próximo mes de marzo.
Toshiba se encuentra en una situación insolvente debido a una grave pérdida de inversión en la industria de la energía nuclear de los Estados Unidos, y se enfrentará a un riesgo de descartar si no logra resolver su insolvencia a finales de marzo del próximo año. Un portavoz de la División estadounidense de Toshiba no hizo comentarios.
2. Toshiba WD final reconciliación TMC;
Toshiba (Toshiba) y la memoria de destello del oeste (WD) NAND causa de la tormenta, a partir del 14 de febrero de 2017 Toshiba anunció su memoria flash NAND causa de venta, 14 de mayo, el número de negociaciones en Occidente no propuso arbitraje internacional, hasta el 13 de diciembre, las dos partes finalmente declararon abiertamente un acuerdo, que el incidente terminó, Toshiba Storage (TMC) puede seguir preparándose para la venta. El sitio web de noticias económicas japonesas (nikkei) informa que la causa del incidente es en realidad el malentendido del CEO occidental, Stephen Milligan. Toshiba y las nuevas negociaciones de cooperación (SanDisk), comenzó en 1999, con Toshiba capital 51%, el nuevo di 49% de la proporción de construcción SRS planta, Stephen Milligan ver la proporción de la contribución de los dos lados es una relación recíproca, así que después de la adquisición del nuevo emperador, para inspeccionar la fábrica de SRS, Según el Nikkei, dijeron los funcionarios de Toshiba, pero también para la fábrica no tiene la nueva marca del emperador e infeliz. De hecho, en la fábrica del SRS, el personal de Toshiba de 6.200 personas, el nuevo emperador sólo 700 personas, los dos lados se reflejan solamente en la producción de la distribución del semiconductor de la derecha, el personal de la tierra y las operaciones de la fábrica, se arreglan unilateral por Toshiba, si los dos lados que se rompen, Toshiba mientras los fondos, así que pueden también funcionar la fábrica del SRS del desarrollo, El poder del nuevo y del oeste dista mucho de ser suficiente, por lo que Toshiba sólo considera al número de Occidente como el inversor. Toshiba se vio obligada a vender la memoria flash NAND causa cuando fue insolvente debido a la causa de la energía nuclear, y los 2 billones yenes (alrededor de $17,8 mil millones) tenían un precio para pagar la deuda, de hecho, la causa del valor debe ser mayor; Así que el precio de 1,3 billones yenes para Occidente, incluso si Toshiba está dispuesto a transigir, el grupo bancario no lo dejará ir, que está condenado a la confrontación. Cuando Occidente propone un arbitraje internacional, la situación a primera vista parece favorecer a Occidente, ya que Toshiba tiene una presión de tiempo para completar el acuerdo antes del final del 2018 de marzo; Pero en términos de Occidente, también tienen un límite de tiempo, porque la última inversión de memoria flash NAND 3D acaba de empezar, el oeste en este momento contra Toshiba, lo que significa que no puede participar en la inversión de memoria Flash 3D NAND y la producción, el futuro no puede ser asignado a los productos de última tecnología. La impulsión principal del oeste, el mercado gradualmente por el SSDs memoria-relacionado del flash del NAND y otros productos erosionados, para el oeste, necesitan memoria flash NAND, con el fin de mantener el estado del mercado de equipos de almacenamiento, o incluso la existencia de la empresa, cuando la pérdida de los productos de última tecnología, la empresa un golpe considerable. Además, la cooperación entre Occidente y Toshiba se vencerá de 2021 en adelante, las estimaciones de arbitraje internacional serán de 2019-2020 años antes de la conclusión, independientemente de la conclusión, la cooperación occidental y Toshiba puede decirse que termina, el número de Dili nuevo no es suficiente para operar la nueva línea de producción de memoria flash NAND, puede decir que no hay posibilidad de éxito. Como resultado, las dos partes están ahora asentando y extendiendo el plazo de la cooperación a 2027-2029 años, lo que es, por decir lo menos, no perdido. Pero todavía es difícil ser optimista acerca de cómo contrarrestar Samsung Electronics, que continúa expandiendo la cuota de mercado de memoria flash NAND durante este período. DigiTimes
3. investigación: 2017 crecimiento de las ventas del mercado de DRAM del 74% a 72 mil millones dólares de los e.e.u.u.;
Conjunto de mensajes de micro-red (compilación/Danyang) en 2017, como Data Centers, servidores, smartphones y otros productos móviles aumentaron la demanda de DRAM, la capacidad de DRAM estaba en corto suministro y los precios de venta promedio continuaron aumentando. Como se muestra en la figura 1, IC Insights espera que las ventas de DRAM sean de hasta 21,1 mil millones dólares estadounidenses en el cuarto trimestre de 2017, con un aumento del 65% de 12,8 mil millones dólares estadounidenses en el cuarto trimestre de 2016.
IC Insights espera 2017 ventas anuales de DRAM para llegar a $2.357.880.311.620.042.752 y una tasa de crecimiento anual de 74%. Esto es de 1993 (tasa de crecimiento anual de 1994 es 78%) El mejor récord de la historia, al mismo tiempo que la tasa promedio de crecimiento anual de 13% en 1993-2017 es 61%, que es la cuarta vez desde 1993 ventas de más de 50%, la última tasa de crecimiento anual de 67% hasta la fecha de nuevo a 2010.
En Resumen, IC Insights señaló que la tasa de crecimiento de DRAM está cerca de los altos históricos porque: ① principal plan de expansión de la planta Wafer, no mantener el ritmo con la demanda del mercado de suministro corto; los productos de proceso avanzados de ② ≤ 20nm todavía existen buen problema de la tarifa; La demanda de DRAM de alto rendimiento (Graphics) está aumentando en mercados como los sistemas de ③ Gaming y los centros de datos; ④ cada capacidad de DRAM del smartphone está aumentando.
Vemos la realidad virtual y la realidad aumentada, y la inteligencia artificial será el punto decisivo para los smartphones en la próxima ronda de aplicaciones, y la capacidad de DRAM en smartphones de gama alta es probable que continúe aumentando. Al mismo tiempo, en algunos países en desarrollo, la transición de una máquina funcional a una máquina inteligente también aumentará la DRAM de no recoger hasta 1GB de capacidad.
Desde una perspectiva histórica, la DRAM no puede subir al final, los próximos 1-2 años con el aumento de los precios y la expansión de la capacidad, la tasa de crecimiento anual DRAM es probable que caiga de nuevo. El anuncio de Samsung y SK en la segunda mitad de 2017 muestra que con la nueva capacidad de salir, se aliviará la tendencia ascendente en el precio medio de la DRAM. Samsung llegará a un 26 mil millones dólares sin precedentes en capital semiconductor en 2017, y SK Rexroth está planeando añadir una nueva línea de producción en Wuxi. Recientemente, la luz de los Estados Unidos e Intel anunciaron que su trabajo de la extensión de la planta de la oblea de im Flash B60 se ha completado, el futuro principalmente responsable de la producción de la memoria del xpoint 3D, pero la producción real tiene un período de tiempo.
4. Yaco: el mercado de DRAM del año próximo es estable, la fuente Q1 sigue siendo apretada;
El mercado de DRAM creció fuertemente este año, con la tecnología del sur de Asia (2408) que se espera que continúe siendo estricta en el cuarto trimestre de 2017 y el primer trimestre de 2018, con un precio de venta promedio de DRAM robusto; Outlook 2018, el mercado de DRAM en general se espera que sea equilibrado y saludable el próximo año, el mercado seguirá siendo estable.
Con aplicaciones como la inteligencia artificial, Internet de las cosas, coches inteligentes, informática de alta velocidad, y un desarrollo más diversificado de la industria de semiconductores, DRAM se ha convertido en un componente clave de los productos electrónicos, la conducción del mercado de la memoria para crecer en más de 50% este año.
Mirando adelante a 2018, Yaco los gastos de capital DRAM se utilizan principalmente para la conversión de procesos avanzados y el mantenimiento de la capacidad mensual original, la tasa de crecimiento de DRAM en 20% ~ 25%, estimada 2018 demanda será más de 2017 crecimiento de 23%, prevista en el 2018 mercado de DRAM seguirá manteniendo una tendencia constante.
se espera que el mercado global de semiconductores de 2017 crezca en un 20%, la escala de 411,1 mil millones dólares estadounidenses, el crecimiento del mercado de memoria de hasta el 57%, la escala de 126 mil millones dólares estadounidenses, los ingresos del mercado de la memoria de 2017 representaron el mercado de semiconductores 31%.
El mercado de la memoria en 2017 superó la escala de 120 mil millones dólares estadounidenses, Estimado 2017 tasa de crecimiento del mercado de DRAM del 67%, valor de la salida de 68,5 mil millones dólares de los e.e.u.u., tasa estimada de crecimiento del mercado de destello de 2017 NAND del 51%, valor de la salida de 53,5 mil millones dólares de los e.e.u.u., DRAM más NAND representó el valor de mercado de la memoria de el 97%.
En vista del gasto de capital industrial de la memoria, continúa aumentando perceptiblemente la demanda para la capacidad del NAND 3D, en cambio, el gasto de capital de la DRAM se utiliza principalmente para la conversión de proceso avanzada y para mantener la energía mensual original; Yaco estimó que el índice de crecimiento de la DRAM 2018 de el 20% ~ 25%, 2018 años será la segunda mitad de la nueva producción del volumen de entrada de la capacidad de la DRAM, tarifa de crecimiento anual del NAND-pedacito es el hasta 40% ~ 45%; Se estima que 2018 global de la capacidad media de la COPITA mensual se incrementará de 2017 1.133.000 micro-rango a 2018 1.210.000, que se espera en 2018 oferta de mercado DRAM y la demanda es equilibrada y saludable. Tiempos de negocio
5. Western Data 96 capa 3D NAND ha comenzado la entrega, acelerar la conversión de la línea de producción 2D3D
Después de los datos occidentales (Western Digital) y el gigante japonés de semiconductor Toshiba (Toshiba) para vender el sector de semiconductores, dando a Bain Capital (Bain) liderado por la alianza Estados Unidos-Japón-Corea del sur para llegar a un acuerdo, la reciente reunión occidental de datos, Discutir los detalles de los acuerdos de cooperación con Toshiba. Además, un plan de producción para la memoria flash del NAND fue propuesto y una memoria de destello de 96-Tiered 3D NAND fue anunciada para ser entregada a las ventas del minorista.
En la reunión, los datos occidentales divulgaron el estado de la producción de la memoria flash del NAND usando BICS3 y BiCS4. Debido a la memoria Flash de 3D NAND producida por la tecnología de BICS3, el número de apilamiento máximo puede ser solamente hasta 64 capas, mientras que la memoria de destello de 3D NAND producida por la tecnología de BICS4 puede alcanzar 96-Tier que apila con un aumento de la capacidad completa de 50%, exhibiendo más almacenaje dentro del área de Llamar la atención de los miembros de la familia.
De hecho, antes de que los datos occidentales hubieran fijado una meta, el 2017 usando la producción de la tecnología de BICS3 de la memoria flash del NAND de 64-Layer 3D, para explicar la salida total occidental de la memoria Flash de los datos 3D NAND del 75%. Ahora, sin embargo, se espera que esa cifra aumente por encima del 90%. Solamente, el tipo de la memoria Flash de datos occidentales no se convierte totalmente de 2D a NAND, ahora la salida de la memoria flash del NAND 3D representa solamente 65% de los datos occidentales totales. En otras palabras, 1/3 de toda la memoria Flash producida por Western Data es la memoria flash NAND 2D.
Además, el 12 de este mes, los datos occidentales también anunciaron la adopción de la tecnología de BICS4 de la memoria de destello de 96-Layer 3D NAND se ha enviado al minorista. Por otra parte, no sólo es el tipo actual del TLC corriente disponible, pero también proporciona tipos más avanzados del QLC. Aunque el tipo de TLC no difiere del tipo QLC memoria flash NAND 3D en uso, proporciona mayor fiabilidad y rendimiento. Los datos occidentales enviados a los minoristas, utilizando la tecnología BICS4 de la 96-Tier 3D memoria flash NAND, independientemente del tipo de TLC o tipo QLC contiene 256Gb y 512Gb dos especificaciones, pero el uso de BICS4 tecnología QLC memoria también puede tener 768Gb o incluso 1 TB de los dos Especificaciones.
Los datos occidentales indican que el cambio del proceso de 2D a 3D NAND es muy engorroso, y también creen que el tiempo de ejecución del programa se retrasa en cerca de 6 meses. Sin embargo, la perspectiva de un cambio total de la memoria Flash de 2D NAND a la memoria Flash 3D no tomará demasiado tiempo. Esto es más en línea con los beneficios operacionales de los datos occidentales, y para hacer frente a la escasez actual de la memoria Flash 3D NAND demanda del mercado. TechNews