Set микро-сети запущен интегральных микросхем микро-письмо публичный номер: "каждый день IC", основные новости в режиме реального времени релиз, каждый день IC, каждый день набор микро-сетей, накапливать микро-Ченг! Репликация лаойаоик микро-письмо общественного числа Поиск добавляет внимание.
1. Китай Антимонопольное расследование или задержка завершения продажи чипов памяти Toshiba бизнеса;
Набор микро-сети Новости, после западных данных и Toshiba на память чип бизнес урегулирования, Nikkei Азии Обзор сообщил, что китайский регулятор также открыл Антимонопольное расследование приобретения, завершение приобретения, как ожидается, будет отложено на некоторое время.
Для решения финансового штамма Westinghouse в 6 300 000 000 долларов активов writedowns, Toshiba подписала соглашение с консорциумом Bain Capital 28 сентября, чтобы продать свой чип бизнес-единицу для последнего, который, как ожидается, будет завершена к марту следующего года.
Комментарии указывают, что сделка в настоящее время одобрена американскими и японскими регуляторами и подлежит утверждению регуляторами в континентальном Китае, китайском регионе Тайваня и Южной Корее. Хотя на этой неделе, Toshiba и западных данных, наконец, пожали друг другу руки, но все еще должны иметь акционеров и регуляторов в два разрешения для завершения продажи чипа памяти бизнеса в Bain Capital консорциум сделок.
В самом деле, в начале этого месяца, китайские регуляторы начали утверждать продажи чипов памяти Toshiba бизнеса. В сентябре этого года, Toshiba представила материалы для утверждения китайских регуляторов после сделки с Bain Capital и ее партнерами была достигнута. Комментарии указывают на то, что одобрение китайских регуляторов для таких сделок обычно занимает около 4 месяцев, иногда продлится до 6 месяцев, добавив к неопределенности о том, Toshiba завершит сделку в марте следующего года.
Toshiba находится в несостоятельной ситуации из-за серьезных потерь в инвестициях в атомной энергетике США, и столкнется с риском десписка, если она не сможет урегулировать свою несостоятельность к концу марта следующего года. Пресс-секретарь американского отдела Toshiba не комментирует.
2. окончательное согласование Toshiba WD;
Toshiba (Toshiba) и Западная (WD) NAND флэш-памяти причиной шторма, с 14 февраля 2017 Toshiba объявила о своей флэш-памяти NAND причина продажи, 14 мая, количество переговоров на западе не предложили международного арбитража, до 13 декабря, обе стороны, наконец, открыто объявили урегулирования, пусть инцидент закончился, Toshiba Storage (TMC) может продолжать готовиться к продаже. Японский экономические новости (Nikkei) сайт сообщает, что причиной инцидента является на самом деле недоразумение Западного CEO, Стивен Миллиган. Toshiba и новые (SanDisk) переговоры о сотрудничестве, началась в 1999, с Toshiba Capital 51%, новый ди 49% от доли строительства завода SRS, Стивен Миллиган увидеть долю вклада обеих сторон является взаимное отношение, так что после приобретения нового императора, для проверки завода SRS, По данным Nikkei, сказал Toshiba чиновников, но и для завода не имеет нового императора торговой маркой и недовольны. В самом деле, на фабрике SRS, штат Toshiba 6 200 человек, новый император только 700 человек, обе стороны отражаются только в производстве полупроводникового распределения права, наземного персонала и фабричных операций, в одностороннем порядке организованы Toshiba, если две стороны взлома, Toshiba до тех пор, как средства, так может также работать на развитие завода SRS, Людские ресурсы нового и запада далеко от достаточно, поэтому Toshiba только рассматривает Западный номер как вкладчик. Toshiba была вынуждена продать NAND флэш-памяти причиной, когда он был неплатежеспособным из-за ядерной причины власти, и 2 000 000 000 000 иен (около $17 800 000 000) была оценена, чтобы погасить долг, на самом деле, причина значение должно быть выше; Так 1 300 000 000 000 иен цена для Запада, даже если Toshiba готова к компромиссу, банковская группа не отпустить, которая обречена на конфронтацию. Когда Запад предлагает международный арбитраж, ситуация на первый взгляд, кажется, в пользу Запада, как Toshiba есть время давление, чтобы завершить сделку до конца марта 2018; Но с точки зрения Запада, они также имеют ограничение по времени, потому что последние 3D NAND флэш-памяти инвестиций только начался, на западе в это время против Toshiba, что означает не в состоянии участвовать в 3D NAND флэш-памяти инвестиций и производства, будущее не может быть выделена на новейшие технологии продуктов. Основной привод на западе, рынок постепенно NAND флэш-памяти, связанных с SSD и других продуктов эрозии, для Запада, они нуждаются в NAND флэш-памяти, для того, чтобы сохранить статус рынка складского оборудования, или даже существование компании, когда потери новейших технологических продуктов, компания значительный удар. Кроме того, сотрудничество между Западом и Toshiba, будет связано с 2021 и далее, оценка международного арбитража будет 2019-2020 лет до заключения, независимо от заключения, Запад и Toshiba сотрудничество можно сказать, что в конце, число новых Дили не достаточно для работы новой NAND флэш-памяти производственной линии, можно сказать, что нет никаких шансов на успех. В результате, обе стороны в настоящее время урегулирования и продления срока сотрудничества до 2027-2029 лет, что, по меньшей мере, не потеряли. Но все еще трудно быть оптимистом о том, как противостоять Samsung Electronics, которая продолжает расширять долю на рынке флэш-памяти NAND за этот период. DigiTimes
3. исследования: 2017 драм рынка рост продаж на 74% до 72 000 000 000 долларов США;
Набор микросетевых сообщений (компиляция/Даньян) в 2017, поскольку центры обработки данных, серверы, смартфоны и другие мобильные продукты увеличили спрос на DRAM, емкость DRAM была короткой, а средние продажи продолжали расти. Как показано на рисунке 1, IC Insights ожидает, что объем продаж драма собудет до 21 100 000 000 долларов США в четвертом квартале 2017, а 65% увеличится с 12 800 000 000 долларов США в четвертом квартале 2016.
IC Insights ожидает 2017 годовых драм продаж достигнет $2 357 880 311 620 042 752 и годовой темп роста 74%. Это от 1993 (годовой темп роста 1994 составляет 78%) Лучший рекорд в истории, в то же время, как среднегодовой темп роста 13% в 1993-2017 составляет 61%, что в четвертый раз с 1993 продаж более чем на 50%, последний ежегодный темп роста в 67% на сегодняшний день обратно в 2010.
Резюмируя, IC Insights отметила, что темпы роста драма близки к историческим максимумам, потому что: ① основной план расширения завода вафель, не идти в ногу с рыночным спросом на короткие поставки; ② ≤ Нм передовые продукты процесса все еще существуют хорошая проблема тарифа; Спрос на высокопроизводительные (графические) драмы растет на таких рынках, как ③ игровые системы и центры обработки данных; ④ производительность каждого смартфона увеличивается.
Мы видим виртуальную реальность и дополненную реальность, и искусственный интеллект станет прорывной точкой для смартфонов в следующем раунде приложений, и производительность DRAM в высококачественных смартфонах, вероятно, продолжит увеличиваться. В то же время, в некоторых развивающихся странах, переход от функциональной машины к интеллектуальной машине также увеличит DRAM от не пикап до 1gb емкость.
С исторической точки зрения, драм не может подняться в конце концов, в ближайшие 1-2 лет с ростом цен и расширение мощностей, драм годовой темп роста, вероятно, упадет снова. Объявление от Samsung и SK во второй половине 2017 показывает, что с новой емкостью выходит, это облегчит восходящую тенденцию в средней цене драма. Samsung достигнет беспрецедентного 26 000 000 000 долларов в столице полупроводников в 2017, и SK Rexroth планирует добавить новую производственную линию в Уси. В последнее время Соединенные Штаты света и Intel объявила о том, что его IM Flash B60 вафельный завод расширение работы была завершена, будущее в основном отвечает за 3D кспоинт памяти производства, но фактическое производство имеет период времени.
4. Yaco: в следующем году драм рынка является стабильным, Q1 питания по-прежнему плотно;
Драм рынка сильно вырос в этом году, с Южной Азии технологии (2408) ожидается, будет по-прежнему жесткой в четвертом квартале 2017 и в первом квартале 2018, с надежной средней цене продажи драма; Outlook 2018, Общий рынок драм, как ожидается, будет сбалансированным и здоровым в следующем году, рынок будет оставаться стабильным.
Благодаря таким приложениям, как искусственный интеллект, Интернет вещей, умные автомобили, высокоскоростные вычисления и более диверсифицированное развитие полупроводниковой промышленности, драм стал ключевым компонентом электронных продуктов, приводя рынок памяти к росту более чем на 50% в этом году.
С нетерпением ждем 2018, Yaco ожидаемый драм капитальных расходов в основном используется для продвинутого процесса преобразования и поддержания первоначального месячного потенциала, драм темпы роста в 20% ~ 25%, по оценкам, 2018 спрос будет более чем 2017 рост на 23%, ожидается в 2018 драм рынка будет продолжать поддерживать устойчивую тенденцию.
2017 глобальный рынок полупроводников, как ожидается, вырастет на 20%, масштаб 411 100 000 000 долларов США, рост рынка памяти до 57%, масштабы 126 000 000 000 долларов США, 2017 доход на рынке памяти на рынке полупроводников 31%.
Рынок памяти в 2017 превысил масштаб 120 000 000 000 долларов США, по оценкам, 2017 драма темпы роста рынка 67%, выходная стоимость 68 500 000 000 долларов США, по оценкам, 2017 NAND флэш-рынка темпы роста в 51%, выходная стоимость 53 500 000 000 долларов США, DRAM Plus NAND приходилось на рынке памяти на 97%.
В связи с объемом промышленного капитала, он продолжает значительно увеличивать спрос на 3D-емкость NAND, в отличие от капитальных затрат DRAM используется в основном для продвинутого преобразования процесса и поддержания первоначальной месячной энергии; По оценкам Yaco, 2018 драма темп роста 20% ~ 25%, 2018 лет будет второй половины нового объема производства драмы ввода объем, NAND-бит годовой темп роста до 40% ~ 45%; По оценкам, 2018 Global DRAM среднемесячная емкость будет увеличена с 2017 1 133 000 микро-диапазона до 2018 1 210 000, ожидается в 2018 драм спрос и предложение сбалансированы и здоровы. Время работы
5. западные данные 96 слой 3D NAND начал поставки, ускорить 2д3д производственной линии преобразования
После западных данных (Западная цифровая) и японский Полупроводниковый гигант Toshiba (Toshiba) для продажи полупроводникового сектора, давая Bain Capital (Bain) во главе с американо-японо-южнокорейского Альянса для достижения урегулирования, недавнее западное собрание данных, Обсудите детали соглашений о сотрудничестве с Toshiba. Кроме того, был предложен производственный план для флэш-памяти NAND, и было объявлено о том, что в розничную торговлю будет поставлена 96-уровневая флэш-память NAND.
На встрече западные данные сообщили о состоянии производства флэш-памяти NAND с помощью бикс3 и бикс4. Из-за 3D NAND флэш-памяти, производимой технологией бикс3, максимальное количество штабелирования может быть только до 64 слоев, в то время как 3D NAND флэш-память, производимая технологией бикс4 может достигать 96-ярусного штабелирования с полным увеличением емкости 50%, отображая больше хранения в пределах области устройства, так Привлечь внимание членов семьи.
В самом деле, прежде чем западные данные поставили цель, 2017 использованием бикс3 технологии производства 64-слой 3D NAND флэш-памяти, для учета западных данных 3D NAND флэш-памяти общей мощностью 75%. Теперь, однако, эта цифра, как ожидается, поднимется выше 90%. Только, тип флэш-памяти западных данных не полностью преобразуется из 2D в NAND, в настоящее время выход 3D NAND флэш-памяти составляет всего 65% от общего объема западных данных. Иными словами, 1/3 всех флэш-памяти, производимой западными данными,-это 2D флэш-память NAND.
Кроме того, в 12-м в этом месяце, западные данные также объявила о принятии бикс4 технологии 96-слой 3D NAND флэш-память была отправлена в розничной торговли. Кроме того, не только в настоящее время основной тип TLC доступны, но он также предоставляет более продвинутые типы КЛК. Хотя тип TLC не отличается от КЛК типа 3D NAND флэш-памяти, он обеспечивает более высокую надежность и производительность. Западные данные, поставляемые розничным торговцам, с использованием технологии бикс4 96-Tier 3D NAND флэш-памяти, независимо от типа TLC или типа КЛК содержит 256ГБ и 512ГБ две спецификации, но использование бикс4 технологии КЛК памяти может также иметь 768гб или даже ТБ из двух Спецификации.
Западные данные показывают, что переключение от 2D к 3D NAND процесс очень громоздкий, и они также считают, что время выполнения программы задерживается примерно на 6 месяцев. Однако, перспектива полного перехода от 2D флэш-памяти NAND к 3D флэш-памяти не займет слишком много времени. Это в большей степени соответствует эксплуатационным преимуществам западных данных и справляется с нынешним дефицитом трехмерного спроса на флэш-память NAND. Technews