회사는 이번에받은 정부 보조금이 2017 년에 회사의 총 이익을 1,016 만 위안 늘릴 것으로 예상된다고 말했다.
12 월 5 일, 북중국 CRE의 자회사 인 North China CRE Microelectronics Co., Ltd.가 독자적으로 개발 한 최초의 12- 인치 ALD (Atomic Layer Deposition) 장비가 상하이 IC R & D 센터에 진입했습니다.
11 월 30 일 북 중국 Huachuang 자회사 북 중국 CRE 마이크로 일렉트로닉스 독립 연구 및 3D NAND 플래시 공정에 사용되는 양쯔강 저장 생산 라인에 12 인치 수직 산화로 THEORISO302 개발;
북부 차이나 리서치 (China China Research)는 20여 기관 투자가들과의 인터뷰에서 IC 제조 라인에 대한 투자는 주로 확장 규모에 달려 있다고 밝혔다 .12 인치 IC 제조 라인을 예로 들면, 그중 장비 투자가 70 %, 자본 투자가 30 %이며 통계에 따르면 설비 투자비의 21 %, CVD 장비 15 %, 세정 장비 8 %, PVD 5 %, 열처리 장비 3 %를 차지한다.
북 중국 기록은 현재 SMIC와 같은 확장 계획을 발표 한 집적 회로 제조 업체의 숫자가 7 만달 러, 심천, 월 40,000 천진, 텐진, 달 확장 당 10 만달 러의 상하이 월간 생산을 발표했다 계획, 장강 강 저장소 300000 확장 계획의 총 발표, Huali 마이크로 일렉트로닉스는 또한 40,000 확장 계획의 월간 확장을 발표, 미래의 회사는 건설의 실제 진행에 따라되며 장비 주문에 적극적으로 싸울 것입니다.
반도체 소자의 분야에서 격차의 숫자를 채우기 위해 국가 헌신 장치, 깊은 기술 축적 및 개발과 함께 북한 CRE, 에칭 기계, PVD, 수직 산화로 현재 12 인치 북부 CRE의 28 나노 공정으로 02 주요 과학 기술 , 세탁기, LPCVD 장비는 산업화의 초기 단계에서 이미 기술 연구 및 개발, 주요 고객 SMIC 우한의 Xinxin 삼을 수행하기 위해 클라이언트를 입력하기 위해 6 ~ 12 인치 모델은 14nm 공정 설비가 있지만, 관련 제품은 고객에게 전달 된 안전 광전자, JA 태양 광 등 HC SemiTek, BOE, Leye 태양 광.