随着人工智能, 物联网, 智能汽车, 高速运算等应用, 促进半导体产业更多元发展, DRAM成为电子产品的关键组件, 带动今年内存市场强劲成长逾50%.
展望2018年, 南亚科预期DRAM资本支出主要用于先进制程转换及维持原有月产能, DRAM位年成长率在20%~25%, 预估2018年需求将较2017年成长23%, 预期2018年DRAM市场将持续维持稳健的态势.
2017年全球半导体市场预计大幅成长20%, 规模达4,111亿美元, 内存市场年成长更高达57%, 规模达1,260亿美元, 2017年内存市场营收占半导体市场31%.
内存市场于2017年突破1200亿美元规模, 预估2017年DRAM市场成长率67%, 产值685亿美元, 预估2017年NAND Flash市场成长率51%, 产值535亿美元, DRAM加NAND占内存市场总产值97%.
就内存产业资本支出来看, NAND资本支出持续大幅提升, 以作为扩充3D NAND产能所需, 相对而言, DRAM资本支出主要用于先进制程转换及维持原有月产能; 南亚科预估, 2018年DRAM位年成长率20%~25%, 2018年下半起将有新增DRAM产能投入量产, NAND位年成长率则达40%~45% ; 预估2018年全球DRAM平均月产能将由2017年113.3万片微幅提升至2018年121万片, 预期2018年DRAM市场供需均衡且健康.