MOUSER meia esta plataforma de avaliação de GaN Sistemas GSP65RxxHB-EVB IMS compreende uma placa e duas módulo de avaliação avaliação GSP65MB-EVB IMS IMS cada módulo está equipado com um modo de melhoramento de GS66516B-mobilidade dos electrões transistor (E-HEMT). - - Sistema GaN de alta potência com um dissipador de calor inferior que funciona a 650 V e pode ser configurado em modo de meia ponte com versões de 13mΩ 2-4kW e 25mΩ 4-7kW. Quando usado com o módulo de avaliação IMS Suporta 10 configurações diferentes e 12 configurações adicionais com a adição de uma placa-mãe única. Os designers também podem usar o Módulo de Avaliação IMS com suas placas de circuito existentes como um Módulo de Energia Inteligente GaN (GaN) de alta potência (IPM) Desenvolvimento de protótipo no sistema.
Esta série de módulos de avaliação tem baixa impedância e possui uma placa de driver otimizada que reduz tanto o consumo de energia quanto a contagem de circuitos da unidade de portão. As aplicações típicas incluem carregadores a bordo, conversores DC / DC para veículos elétricos e híbridos e três Inversores de fase, inversores fotovoltaicos industriais e unidades de motor, bem como trocar fontes de alimentação para servidores / centros de dados e sistemas residenciais de armazenamento de energia.
Para obter mais informações sobre a Plataforma de Avaliação IMS do GaN Systems, visite www.mouser.com/gan-ims-3rd-gen-eval-boards.