Nos últimos anos, CH 3NH 3PbI 3Como o representante do halogeneto organometálico cristalino da perovskita no campo da optoeletrônica atraiu um grande interesse na pesquisa.
Como um novo material de conversão fotoelétrica semicondutora, possui um alto coeficiente de extinção (105 cm -1), Longa vida útil do portador (~ μs), baixa concentração de defeito, baixa energia de ligação excitônica e preparação de solventes de baixo custo, etc. Conversão fotoelétrica de células solares de película fina (células solares de perovskite) com base neste tipo de material Sua eficiência é superior a 22%, superando a das células solares de silício policristalino e tem uma boa perspectiva de aplicação. Ao mesmo tempo, o material apresenta um bom desempenho na detecção fotoelétrica, emissão de luz, detecção de raios de alta energia e óptica não linear, (Dispositivo) áreas físicas e químicas transversais do foco de pesquisa. Pesquisadores chineses nos materiais e dispositivos eficientes não-buracos, exploração e aplicação de novos materiais, preparação de materiais, controle de processos físicos e químicos, desenvolvimento de dispositivos de grande área, estabilidade do dispositivo e alta eficiência Luz e, assim, contribuíram positivamente.
Com base no atual estatuto de pesquisa de pilhas de película fina de perovskite, uma equipe liderada por Meng Qingbo, pesquisadora do Instituto de Física da Academia Chinesa de Ciências, publicou recentemente um artigo intitulado "Perovskites de halogenetos inorgânicos e orgânicos para a nova tecnologia fotovoltaica" na National Science Review (2017) Do artigo, são analisadas e discutidas as características estruturais do material de perovskita, as técnicas de preparação de material e as principais características físicas desses materiais e dispositivos.
O documento centra-se na física e resume o semicondutor dopado chave material de perovskite, estado de defeito de campo de junção, e transporte de iões induzida pela evolução das propriedades semicondutoras e outras características. Estudos teóricos têm mostrado que o material de perovskite dopado auto-ternário (tais como os átomos em falta, e fosso de substituio) pode induzir a produção de do tipo P ou do tipo N transportadoras. Actualmente, tem sido experimentalmente para alcançar a regulação inicial dos suportes de tipo perovskite, controlando processos físicos e químicos de deposição de película, tal como : No método de duas etapas, a concentração de buraco de metilamina e iodado de chumbo é controlada. Além disso, os portadores de tipo p esperados de células de heterojunção também podem ser obtidos por doping de heteroátomo. Baseado no tipo de p Dopagem, heterojunção unilateral existente entre as camadas de absorção de TiO2 / perovskite pode ser observada nas estruturas da camada de transporte de n-TiO2 / perovskite / buraco e a região de depleção é distribuída principalmente na região de cálcio No entanto, não foi observada junção entre a camada de perovskite e a camada de transporte do furo, indicando que a célula da perovskite é mais provável que seja uma única célula de heterojunção em vez de uma célula convencional tipo pino. No que diz respeito ao nível de defeito profundo deste tipo de material, Uma variedade de métodos foram usados para medir os resultados, indicando que esta solução de baixa temperatura preparou a concentração de material de película fina de perovskite pode ser tão baixa quanto 1015 cm3, garantindo assim uma longa vida útil do portador. Recentemente, a teoria E as medidas experimentais mostram uma significativa migração iónica neste tipo de material, e a migração iónica leva ao doping e redistribuição de materiais de estados defeituosos, o que, por sua vez, afeta o processo optoeletrônico e a estabilidade do dispositivo.
A compreensão dessas propriedades físicas essenciais é de grande importância para a melhoria do desempenho dos dispositivos perovskite e para o desenvolvimento de novas aplicações e também é a base para a avaliação correta e o reconhecimento dos problemas centrais dos dispositivos perovskite. Para os dispositivos perovskite, a menor estabilidade É um dos estrangulamentos do seu desenvolvimento. A estabilidade das propriedades físicas é o ponto-chave e merece atenção aprofundada.
