三星投巨资扩张存储芯片产能或因感受到中国企业的压力

三星在SSD闪存和DRAM内存行业均居于全球领导地位, 日前消息指它计划将明年的资本支出提高到今年的1.5倍, 在资本支出方面创下新记录, 这当然是扩张其包括存储芯片在内的产业链业务的产能, 在存储芯片方面它似乎正感受到中国存储芯片企业即将在2019年正式投产带来的压力.

在DRAM内存市场, 三星占有46%的市场, 而在SSD闪存市场它则占有近四成的市场份额, 在这样的情况下它依然猛烈增加资本支出, 目标当然不会仅仅是跟随其后的SK海力士, 东芝, 美光等企业.

当下东芝存储器刚决定卖给以贝恩资本为首的财团, 它需要时间进行整合; 美光在竞争中已处于不利地位, 它寄望与Intel合作开发的3D XPoint等技术, 但是Intel方面似乎有意独自发展存储芯片业务以及将内存整合进自己的CPU中提升整体性能, 因为随着摩尔定律达到局限继续通过提升工艺和主频来提升性能越来越难, Intel恐难成为美光的助力; 唯有SK海力士可以同时在存储和SSD闪存芯片方面挑战三星, 但有点独木难支.

在这样的情况下三星迅猛提升明年的资本支出是担心谁的影响呢? 笔者认为是中国的存储芯片企业, 即是当下正努力建设厂房的长江存储, 合肥长鑫, 福建晋华.

长江存储开发的是SSD闪存, 目前已研发出32层3D NAND技术, 预计到明年或2019年研发出64层3D NAND闪存技术, 凭借着巨额资金的支持从中国台湾, 日本甚至韩国等地挖来大量人才, 这是它的3D NAND技术研发进展迅速的主要原因; 合肥长鑫建设的是DRAM内存项目, 它从已倒闭的尔必达获得了部分人才, 也从中国台湾猎挖了部分DRAM技术研发人才; 福建晋华则通过与中国台湾第二大代工企业联电合作研发DRAM内存技术.

长江存储, 合肥长鑫, 福建晋华均预计到2019年开始投产它们的存储芯片, 即使初期在技术方面不如三星, 但是由于国内市场庞大的需求, 高中低端产业齐全对中低端的存储芯片有巨大的需求, 这将让三大国产存储芯片赢得生存发展的空间, 正如中国大陆的其他产业一样, 很可能它们将成为韩国, 日本, 美国这三大存储芯片生产国之外又一个重要的势力.

三星在此刻计划大举扩产存储芯片产能, 再加上中国三大存储芯片企业的投产, 2019年开始或许全球存储芯片行业将因为产能过剩而进入低潮, 当下全球持续暴涨的存储芯片价格到时候应会出现暴跌的局面, 而三星可以凭借自己巨大的规模摊低成本, 在低潮期也依然有利润.

对于中国大陆来说, 笔者相信即使到时候存储芯片行业进入低潮, 也会继续支持这三大存储芯片企业的发展, 因为这关系到国家的信息安全, 信息安全显然比技术先进性更重要, 这也是国产存储芯片赖以生存发展的机会.

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