Y ayer componentes clave DRAMeXchange TRI de Trend Forum 2018 'en, TrendForce señaló, la industria NAND flash en la primera mitad del próximo año una demanda más débil, los precios tienen la oportunidad de declinar. Demanda de NAND Flash ha recogido la expansión sonora original de la capacidad de producción en la segunda mitad del próximo , la situación puede ser escaso de nuevo, la caída de precios se detendrá. flash NAND estimar 2018 precio de venta promedio (ASP) se reducirá 10-20% en comparación con 2017.
Mientras tanto, las empresas de la cadena de suministro, dijo que con la mejora gradual en el rendimiento 3D Flash NAND, se espera que los problemas de suministro Flash NAND en 2018 primer trimestre de aliviar, empresas de embalaje y pruebas como la memoria relacionada con la fuerza, se espera Tailandia, Sur Mao China Oriental a perder tono, más seguimiento ganará púrpura pedidos de la tienda Yangtze del continente. se informa que púrpura presidente del Grupo Wei-Guo Zhao dijo que la cuarta Conferencia Mundial de Internet, celebrado la semana pasada en Wuzhen, Zhejiang, el almacenamiento Yangtze ha desarrollado un 64G capa intelectual totalmente independiente de 32 los derechos de propiedad chips NAND 3D, el próximo año será la producción en masa.
También se había informado de que el almacén de Yangtze era una realización cubierto frente de 28 de septiembre (a) Un área de la construcción y la producción de la planta de energía de 524.000 metros cuadrados, se espera que sea puesto en uso en 2018, puso en la capacidad de producción alcanzará 300.000 / mes, el valor de producción anual superará los $ 10 mil millones.
Se puede decir, Flash NAND problemas de suministro facilidad, para la celebración de la no-Departamento de gran memoria coreana IC embalaje y pruebas de la planta con el fin de forzarlo impacto limitado, pero para el medio de segunda línea y la pequeña memoria IC embalaje y pruebas, esto ayudará a mejorar el funcionamiento de . por ejemplo, la memoria IC embalaje y probar el rendimiento operativo de los fabricantes de segundo nivel, China y Tailandia en general en 2017, el cuarto trimestre debe confiar en los servicios de fundición de EMS para apoyar la operación, pero si la primera mitad de 2018 situación de escasez de flash NAND mejorada, lo que ayudará a la capacidad de China y Tailandia utilización se recuperó en 2018, pero existe la posibilidad de revertir la pérdida.
Además, después de Micron (Micron) para establecer el envasado y planta de prueba en Taichung, a la fuerza en el sur-Mao y otros taiwaneses fabricantes del impacto no es pequeño., Metástasis del Sur Mao comprometen empaque de memoria Micron y prueba de órdenes para forzar a la planta de Xi'an, al sur-Mao debe luchar fabricantes de China continental liberados NOR envases flash IC y las pruebas órdenes para llenar las órdenes Micron brecha, que se espera en el cuarto rendimiento operativo trimestre sólo puede ser plana con el tercer trimestre. Sin embargo, en 2018, Mao también tienen la oportunidad de luchar por los pedidos de la tienda Sur Yangtze.
En la DRAM, ya que Micron en California presentó una demanda civil contra UMC y Fujian Jinhuagong DRAM secretos comerciales, que está ansioso por volver para el envasado de DRAM y prueba de productos de silicio, el futuro está todavía en el diseño de los envases de DRAM y pruebas variables. Sin embargo, el violeta ha ganado participación del 3 por ciento en productos de silicio planta en Suzhou, por lo que la industria de que el futuro de los productos de silicio con Unisplendour Grupo profundizará aún más la cooperación, y se espera que para luchar por la memoria IC así como los controles órdenes tienda de Yangtze.