Ontem, no "conjunto de tendências dos componentes chave Bangtu 2018", a TrendForce apontou que a demanda da indústria NAND Flash enfraqueceu no primeiro semestre do próximo ano, os preços têm a oportunidade de diminuir na segunda metade da recuperação da demanda e da expansão da capacidade de expansão da plataforma NAND Flash , Maio aparecerá novamente em falta, o declínio do preço também irá parar.Um ASP normal NAND ASP ASP é esperado para 201820% declínio em 2017, em comparação com 20%.
Ao mesmo tempo, alguns fornecedores da cadeia de suprimentos disseram que, à medida que o rendimento do 3D NAND Flash melhorou gradualmente, espera-se que o primeiro trimestre de 2018 alivie o problema da fonte de flash NAND. Empacotamento de IC e empresas de teste relacionadas à memória, como Li Cheng, Huatai, Nan Mao e China Oriental Tone, o acompanhamento vai lutar pelas ordens do continente para o armazenamento do rio Yangtze. É relatado que Ziguang Guo Ziguang, presidente do Grupo realizada na semana passada em Wuzhen, província de Zhejiang, a Quarta Conferência Mundial da Internet revelou que o Rio Yangtze Storage desenvolveu 32 camadas de 64G conhecimento completamente independente Propriedade do chip NAND 3D, produção em massa no próximo ano.
Anteriormente, também foi relatado que a primeira fase de armazenamento no rio Yangtze tinha sido limitada antes do cronograma em 28 de setembro. A primeira fase de produção e área de construção da usina atingiu 524 mil ㎡, o que deverá ser posto em operação em 2018 e atingirá a capacidade total de até 30 milhões / mês, o valor da produção anual excederá 100 bilhões de dólares dos EUA.
Pode-se dizer que a facilidade do fornecimento de flash NAND tem pouco efeito sobre a força das embalagens IC e as ordens de teste de grandes instalações de armazenamento não coreanas. No entanto, isso ajudará a melhorar a operação de embalagens e testes de memória de médio e pequeno porte de segunda camada Por exemplo, Huatai, o fabricante de segunda camada de embalagens e testes IC, está operando em um desempenho normal em 2017. No quarto trimestre, devemos confiar nos serviços de fundição EMS para suportar operações. No entanto, se a escassez de NAND Flash no primeiro semestre de 2018 melhorar, ele ajudará Huatai O aumento da taxa de utilização, 2018 é uma chance de reverter a perda.
Além disso, a Micron criou uma fábrica de embalagens e testes de IC em Taichung, o impacto não é pequeno para Li Cheng, Mau sul e outra fábrica taiwanesa. Nanmao principalmente para receber as ordens de selo de memória Micron e mais transferidas para a fábrica de Li Cheng Xi'an, Nam Mao deve lutar NOR Flash embalagens e testes encomendados pelos fabricantes do continente para compensar a vaga na ordem da Micron, o desempenho operacional no quarto trimestre só deverá ser plano com o terceiro trimestre, mas em 2018, a South Mao também tem a oportunidade de lutar pelas ordens de armazenamento do rio Yangtze.
No DRAM, desde Micron na Califórnia entrou com uma queixa civil contra UMC e Fujian Jinhuagong DRAM segredos comerciais, que está ansioso para voltar para DRAM embalagem e testes de produtos de silício, o futuro ainda é no layout de DRAM embalagem e testes variáveis. no entanto, o violeta ganhou participação de 3 por cento na planta de produtos de silício em Suzhou, então a indústria que o futuro dos produtos de silício com o Grupo Unisplendour vai aprofundar a cooperação, e é esperado para lutar pela memória IC embalagem e testes ordens loja Yangtze.