FIA가 세계 최고의 전기 자동차 경주 '포뮬러 E 챔피언십 2,017에서 2,018 사이 (시즌 4)'홍콩에서 열린 개막전, 중국 내 Ituri 전기 포뮬러 원 팀의 핵심 드라이버 (VENTURI 공식 E 팀) 경주의 후원 년 12 월 2 일 인버터 로마 '모두 SiC를'파워 모듈을 가지고 사용되는 것을 의미한다. 화학식 E는 단지 전기 레이싱 카의 새로운 세대의 절삭 날을 시도 로마 '모두 SiC를'파워 모듈을 가져 경주의 가장 중요한 전원 관리 측면에서 더 높은 성능을 발휘합니다.
'전체 SiC'전원 모듈 변경
이 화석 연료가 전 세계 여러 도시의 중심에서, 환경 친화적 인 사용하지 않기 때문에 수식 E는, 모든 전기 자동차 레이스, 홍콩, 베를린과 뉴욕 도로 경주를 개최했다. 어떻게 낭비없이 전력을 최대한 활용하는 포뮬러 E입니다 이벤트의 성공을위한 핵심 요소 인이 기술 혁신은 일반적인 전기 자동차 기술의 개발을 이끌 것으로 예상됩니다.
이번 시즌 포뮬러 4 챔피언십에서는 Venturi 전기 레이싱 카의 코어 드라이브 인버터에 사용 된 '전체 SiC'파워 모듈이 이전과 다른 모습을 보였다고 Rohm Semiconductor (Shanghai)의 디자인 센터 수석 매니저 인 Suwando는 전했다. 소개에서, 로마는 지난 시즌에 인버터 용으로 SiC-SBD를 제공했지만, 4 번째 시즌 이후에는 SiC와는 달리 트랜지스터 및 다이오드가 통합 된 '전체 SiC'전원 모듈을 제공 할 것입니다 인버터와 비교하여 43 %의 소형화와 6kg의 경량화가 성공적으로 이루어졌으며 효율성이 향상된 SiC 인버터는 크기와 무게를 줄임으로써 전기 자동차의 배터리 수명을 크게 늘릴 수 있음을 보여줍니다.
Suwon Takjian은 '전체 SiC'전원 모듈을 사용하면 용적을 줄이면서 효율을 높여 레이스 효율과 공간 효율성을 획기적으로 향상시킬 수있을 것이라고 말했다. SiC는 동일한 전압에서 Si 내부보다 낮은 저항을 가지므로 제품의 동일한 프로세스 구조 만 재료를 변경하면 내부 저항을 낮출 수 있으며 성능은 더 작고 더 작아 질 수 있으며 최종 제품은 소형화 될 수 있습니다. 동시에 SiC는 높은 주파수에 대응할 수 있으며 스위치 속도는 Si보다 빠르며, 전체적인 부피를 더 작게 만들 수 있고 SiC 온도 모듈은 더 높은 온도 특성을 가지므로 애플리케이션 성능이 더욱 두드러 질 수 있습니다.
또한, SiC 및 Si 전원 구성 요소는 크게 전기 자동차의 응용 프로그램에서 높은 희망은 손실을 줄이기 위해 비교, 로마는 또한 전기 자동차 모터 및 인버터를 가속 개발 및 응용 프로그램을 추진하고있다 현재 베이징 자동차 및 BDY 전기 자동차의 응용 프로그램에서 로마 SiC 전원 장치를 사용하고 있습니다.
원 스톱 생산 시스템을 형성하는 최초의 양산
현재, 새로운 에너지 차량이 발생의 추이를 도시하는 시장 개발은 SiC를 전력 장치는 전기 자동차 / 하이브리드 자동차 인버터 필드 변환기, PFC 회로에서뿐만 아니라, 태양 전지, 풍력 등 신 에너지에 사용 된 정류기, 인버터 및 기타 분야는 많은 반도체 제조 업체의 SiC 기술의 미래에 대해 낙관적이며, 적극적으로 참여.
로마뿐만 아니라 산업 분야의 최전선에서 이동의 SiC 파워 디바이스는 인피니언은 또한 레이아웃을 속도를. 그러나, 수원 독일 건축에있어서, 상기 인피니언, SiC를 더 포괄적 인 분야에서 로마의 레이아웃에 비해 2008 년 루마니아 이후 독일 회사 다음 SiCrystal 로마와의 취득 웨이퍼 제조, 전처리, 후 처리 스톱 생산 시스템 및 SiC를 기기 시장의 제 대량 생산에서의 SiC 파워 모듈의 분야에 형성 한 후에 SiC로 팜 생산 웨이퍼.
그리고 2010 년 로마의 SiC-MOSFET의 세계 최초의 대량 생산에 SiC를 전원 구성 요소는 기업의 최초의 대량 생산으로, 로마는 빨리 전기 자동차 동안의 SiC 전력 부품 빠른 충전 자동차 충전기 시장을 수입하기 시작했다 모터 및 인버터의 채택 또한 가속화되고 있습니다.
SiC 파워 디바이스 기술 구조, 결정 결함을 개선 로마 관련된 프로세스 및 장치 구조이지만, 안정성.의 SiC-MOSFET에서의 SiC-MOSFET 극복 문제는 실리콘 IGBT 재료에 나타나는 현재의 꼬리를 발생하지 (턴 오프 전이에 흐르는 전류), 스위칭 손실을 턴 오프는 크게 감소 저감 및 구동의 스위칭 주파수보다 -50kHz 구현 될 수있다.
따라서, 특히 IGBT 높은 전도 손실보다 스위칭 손실이 종래의 Si 재료의 SiC 파워 디바이스 달성 에너지 시스템의 저장 및 핀과 용량 성 리액턴스 및 다른 주변 부품, 경량화, 소형화하면, 될 수있는 응용 프로그램을 대체 할,하지만이 SiC를 전원 장치는 또한 현재 전기 자동차 및 기타 하이 엔드 애플리케이션 시장, IGBT를 대체하기 위해 제한뿐만 아니라 특정 우위를 유지하고 전통 시장에서 차지했다.
전반적으로, SiC 전원 장치는 전기 자동차 시장의 응용 프로그램에서 명백한 장점을 가지고, 전기 자동차 시장의 급속한 발전은 또한 SiC 전력 장치의 시장 응용 프로그램을 운전합니다. 세계 전기 토큰은 EV 시장에서 로마의 현재 총 수익은 그 중 3 분의 1은 SiC 파워 디바이스 웨이퍼 생산을 4 인치로 바꾸고 6 인치로 돌리고 다음 단계는 8 인치 생산 라인을 사용하게된다. 또한 로마는 웨이퍼 제조, 전처리, 그 과정을 거친 후 전력 모듈을 통한 전력 생산 시스템에 이르기까지 2018 년 세계 웨이퍼 부족 현상에 따라보다 정확한 상류 물질에 초점을 맞추어 로마는 자동차 분야에서 계속해서 더 많은 것을 제공 할 것입니다 SiC 제품은 신 에너지 자동차 시장 점유율 및 산업 상태에서의 적용을 향상시킵니다.