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1. Zhao Weiguo: Il prévoit de lancer "China IC Co., Ltd."
Unisplendour Président du Groupe Wei-Guo Zhao a souligné que le développement de la Chine de l'industrie de la fabrication de puces a trois plus grande profondeur: les marchés, le capital et le talent, ici au moins les dix prochaines années investiront 100 milliards $ afin de prendre banc des décennies d'endurance stratégique prouvé « coréen, japonais Le chinois peut bien faire ".
Mais il a également admis que, face à un énorme investissement «en effet reçu moins. » Sauf avec le Fonds d'officiel sur le continent, la Banque nationale de développement, la Chine Export-Import Bank et d'autres institutions financières à l'appui, mais aussi le financement de pourpre à multiples facettes, y compris la mise en place de chaque Fund, et prévoit de lancer la création de "China Semiconductor Corporation".
Offres économiques quotidiennes
A déclaré l'entrevue avec le dernier numéro de la structure puce excellence du magazine Interview Wei-Guo Zhao, Groupe Unisplendour suivra le « Mode Samsung » pour remodeler la mémoire globale de l'industrie, d'abord par la puce mémoire US IBM, Intel, Texas Instruments R & D, viennent Micron de derrière. Le Japon Elpida fois Brillant, mais déjà en faillite en 2012, les puces Toshiba sont également vendues au consortium dirigé par Bain Capital.
Aujourd'hui, Samsung, SK Hynix en Corée du Sud pour devenir le « leader » absolu, mais aussi parce que la mémoire Samsung DRAM, prix de la mémoire Flash NAND cette année dépassera Apple pour devenir la société la plus rentable du monde. Wei-Guo Zhao a dit, on peut le voir, pas un champ de puces de mémoire Le pays peut être invincible pour toujours.
Wei-Guo Zhao a déclaré qu'en 1983, le fondateur du groupe Samsung Lee Byung-chul a annoncé son entrée dans l'industrie des semi-conducteurs, est prêt à exécuter le plan de 1000 milliards de wons. Blocus technologique de Samsung contre les entreprises japonaises et le dumping, résister à la perte de 300 millions $ au cours du gouvernement en Corée du Sud Ensuite, le pouvoir de l'ensemble du pays à fournir un soutien des coûts de R & D.
Après près d'une décennie de bataille acharnée, Samsung dépasse le Japon en 1992 et NEC, le plus grand fabricant de mémoire DRAM du monde, et au cours des 25 prochaines années consécutives a remporté le premier dans le monde. Aujourd'hui, la part de marché Samsung dépasse 60%.
Wei-Guo Zhao a dit: tout, « l'expérience de Samsung est la peine d'apprendre et de résumer, ici pour apprendre de l'expérience de développement de Samsung, pour devenir une puce et une entreprise orientée réseau nuage de consortium scientifique et technologique intégrée ainsi, ici il est possible de compléter la revitalisation de l'industrie IC de la Chine. La grande cause. "
4 Wei-Guo Zhao a également mentionné à la conférence Internet Quart Monde, la Chine a importé des puces par an sur les deux tiers de la production mondiale cette année, les importations totales sont estimées à plus de 250 milliards $, peut être deux fois le montant des importations de pétrole, qui est la Chine Profondeur de marché énorme.
En outre, la Chine a accumulé des capitaux abondants après les États-Unis, qui est la capitale de la profondeur, la Chine plus de 700 millions d'étudiants diplômés chaque année et près d'un million d'étudiants diplômés, les étudiants de doctorat, ce qui est le talent massif en profondeur.
Wei-Guo Zhao a souligné que les géants de l'industrie des semi-conducteurs sont restés rythme des investissements de plus de 10 milliards $ par année. « Il n'y a pas assez de jetons, ou garder le rythme de jeu non seulement plier. » Par conséquent, « Ultraviolet 1000 investissements dans la prochaine décennie sur l'industrie de la fabrication de puces Cent millions de dollars est un chiffre de base, équivalent à un investissement annuel moyen de 10 milliards de dollars américains. "Economic Times
2. pillage, violet dans le plus grand actionnaire de dialogue;
Définir les nouvelles du réseau micro, a rapporté Reuters le 5, voici l'entreprise entre en jeu lorsque la surcharge pondérale 30 Novembre grille Le Dai Semiconductor Co., Ltd (Dialog Semiconductor plc) cours de l'action a chuté et le rapport de nouvelles Nikkei que l'augmentation cumulative de sa participation à 7,15% (note: 7% seuil de déclaration obligatoire)., puis de devenir le principal actionnaire de sources du réseau le Dai, voici société d'investissement dans les mains de la majorité des actions du réseau le Dai par le marché ouvert est d'acheter plus tôt cette année, .
Le réseau Dai 5 Décembre a augmenté de 3,50% pour clôturer à 24,53 euros, une baisse de l'année précédente est réduit à 31,28 pour cent.
Selon l'annonce publiée par la grille Le Dai au 4 Décembre violet Strategic Technology Investment Co., Ltd détient la participation de 6,89% dans Le réseau Dai, une filiale en propriété exclusive indirecte de Unisplendour Group Limited « Ultraviolet International Group Co., Ltd détient la participation de 0,26%.
Le réseau Dai communiqué de 4 Décembre dit la presse qu'à l'heure actuelle toujours le plus grand client principal fournisseur d'Apple de la puce de gestion de l'énergie. Néanmoins, le Dai Cheng Getan Apple a les ressources et les capacités pour concevoir leur propre PMIC.
sources de l'industrie, l'iPhone PM IC repose sur la proportion de dialogue est trop élevée, l'Apple interne a longtemps voulu réduire la proportion des achats pour un seul fournisseur, mais la plupart du plan de production d'Apple 2018 a été réglée, de sorte d'Apple gestion de l'alimentation autodéterminée IC est estimé à 2019 nouveaux modèles seront importés, mais Apple ne devront pas abandonner complètement la puce initiale de dialogue, mais permettra de réduire considérablement la proportion déterminée.
2016, Dialog plus de 70% du chiffre d'affaires d'Apple au cours des dernières années, Dialog a tenté de réduire sa dépendance à l'égard d'Apple et plusieurs autres smartphones. Par exemple, en 2014 a tenté de fusionner avec les fabricants de puces de capteurs Autriche Ams AG 2015 Nian tentative l'acquisition d'Atmel, mais a échoué.
téléphone mobile chinois Ligue Secrétaire général Yanhui a déclaré, Spreadtrum Communications et dialogue envisagent une coentreprise en Chine pour développer conjointement la plate-forme de puce LTE. Compte tenu de leur étroite relation d'affaires, une fois que la coopération future avec Apple difficile de dialogue, de dialogue et de violette de coopération il fournit beaucoup d'imagination.
Le réseau Dai a son siège social à Londres et cotée à la Bourse de Francfort, actuellement l'indice TecDax allemand.
GPU britannique Imagination maker IP Technologies Group PLC 3 Avril, a déclaré que le plus gros client d'Apple a dit de cesser d'utiliser les droits de propriété intellectuelle du Groupe dans les 15 mois à deux ans. GPU Imagination IP est largement utilisé sur le téléphone d'Apple, tablette, iPod, TV boîte et regarder. Imagination Technologies le 3 Avril, le stock a plongé de 61,6%.
Violet, lorsque 23 Juin a publié une déclaration disant: Groupe Unisplendour et ses filiales ont été détenues par Imagination Technologies stock a été vendu.
22 septembre cette année, Imagination Technologies Conseil Group PLC d'administration a annoncé son acceptation Kay Bridge (Canyon Pont Capital Partners, LLC) Le nouveau 182 pence par action le prix d'achat en espèces CBFI Investment Limited, une filiale en propriété exclusive a soulevé un montant total de 550 millions de livres.
3. Projet de construction Violet 10,5 milliards $ bientôt, le géant de la puce sont réunis à Nanjing, capitale de la montée;
L'investissement total de 10,5 milliards $ de « projet de base de circuit intégré pourpre de Nanjing (a) », la récente publicité formelle EIA. Géants semi-conducteurs mondiaux sont réunis à Nanjing, Nanjing la distance « chips de tous » aller plus loin.
Un investissement total de 30 milliards de dollars américains, le projet de classe porte-avions de Nanjing Group a commencé
Février 2017, la base de l'industrie des semi-conducteurs à Nanjing pourpre et le violet IC projet international Ville a été officiellement installé dans le district de Jiangbei, qui est le groupe Unisplendour suivant 30 Décembre, 2016, projet de stockage Wuhan Yangtze River a commencé après un projet « carrier-class » 4. Décembre office de protection de l'environnement provincial du Jiangsu du «projet de base de circuit intégré violette Nanjing (a) la publicité EIA. base de l'industrie du circuit intégré violet d'investissement Unisplendour Groupe et la construction, couvre une superficie d'environ 1500 acres, avec un investissement total de plus de 30 milliards $. projet de 100.000 jetons par mois, soutiendra efficacement la Chine pas de géant dans les zones de mémoire grand public. en outre, Unisplendour Groupe investira environ 30 milliards de yuans construction de soutien projet international IC City est mis en production, la valeur de la production atteindra 15 milliards Dollars
Il est rapporté que Nanjing Violet IC projet de base situé dans: district de Jiangbei à Nanjing Pukou District pont Forest Park, à l'ouest de pourpre Fung Road, au nord de la route forestière, au sud de la route pour écouter Orioles, est de la route de l'épinette à la base, construira 12 pouces usine de production de puces de mémoire à semi-conducteurs et des équipements auxiliaires, après l'achèvement de la capacité du projet de 1,2 million / an (100K / mois), l'investissement total d'environ 10,5 milliards $ depuis le début du contrat est sur le point de commencer, les circuits intégrés violets Nanjing devrait fonder une Terminé à la fin de l'année prochaine.
géant des semi-conducteurs se sont réunis à Nanjing billions de grappes industrielles à proximité
Les statistiques montrent que l'année dernière, une augmentation de l'industrie Nanjing IC le principal revenu d'entreprise de plus de 20% dans sept catégories 14 domaines clés des industries stratégiques émergentes, le taux de croissance au deuxième rang dans les prochaines années, avec le projet des poids lourds mise en service, d'un seul coup de Nanjing se concentrera sur la promotion de la ville nationale Circuit intégré première phalange. 2020, Nanjing Pukou district formera dix milliards de grandes entreprises à mener, rassemblant plus de 200 entreprises en amont et en aval, qui emploie plus de 20 000 , Échelle industrielle a dépassé 100 milliards de yuans du groupe de l'industrie du circuit intégré.
TSMC chantier de construction de l'usine à Nanjing. Nanjing Daily / Graphique géant EDA Qi réglé
Cadence Novembre 13, l'automatisation de la conception électronique (EDA) et la propriété intellectuelle des semi-conducteurs (IP) est un fournisseur leader de Meijia e- district Cadence et Pukou gouvernement populaire a signé un mémorandum de coopération stratégique et un accord d'investissement, a annoncé un nouveau district de Jiangbei à Nanjing société de localisation. Key dans les services de conception IP et le système, l'investissement dépassera cent millions de yuans, le nombre d'employés de plus de 500 personnes dans les cinq ans.
président-directeur général Cadence Lip-Bu Tan, a choisi Nanjing Cadence, peut être décrit comme bon moment ce qui signifie que le grand fonds de jour, la géographie fait référence à la pratique de transport Nanjing, et le talent des doigts.
Synopsys Novembre 10, la plus grande entreprise d'automatisation de conception de puces Synopsys du monde, aux États-Unis (Synopsys) a annoncé le siège régional à Nanjing district de Jiangbei, devrait compléter l'enregistrement des entreprises avant la fin de cette année. Comité provincial et secrétaire du Parti Zhang Jinghua a rencontré le président Synopsys de GE Chine groupe et son parti, et a déclaré que le siège régional la science et de la technologie de Synopsys réglée, permettra de promouvoir davantage la chaîne de l'industrie du district de Jiangbei IC pour construire et étendre le groupe GE, a déclaré la zone Nanjing des avantages évidents, les avantages d'une bonne base scientifique et industrielle, est le meilleur siège régional sélectionnez, Synopsys favorisera Nanjing rassembler des ressources, et d'autres aspects des entreprises de la chaîne de l'industrie dans un effort pour lutter contre le développement de Jiangbei District Heights industrie IC nationale.
EME dès Novembre dernier, n ° 4 sociétés EDA du monde EME a annoncé son intention d'investir jusqu'à Nanjing neuf cellules Electronic Technology Co., Ltd à Nanjing High-tech Zone, Nanjing et signé centres EME EDA R & D, et les applications de télévision interactive opérations du projet , le développement de la conception de la sonde de plaquette et des projets de production, puce de communication et le développement de modules et la production de projets d'énergie électrique, les projets de micro-électronique intelligente. Synopsys, Cadence, Mentor EDA est connu comme trois grands, plus EME, maintenant le monde du monde EDA entreprises ont bien connu Nanjing recueillir trois.
D'autres entreprises ont récemment complété plus de la société ci-dessus, Nanjing district de Jiangbei a rassemblé des centaines d'entreprises de circuits intégrés, nous allons examiner ensemble ce que les autres:
La technologie Crystal Gate avec le même Novembre 10, avec les zones de haute technologie d'origine à Nanjing au début de 2017 pour signer un accord pour construire la technologie de la porte en cristal a également tenu la cérémonie d'ouverture du Centre de science et de technologie de Nanjing.
Solomon Systech a été créé en 1999, est la Chine Semiconductor (China Semiconductor est une filiale en propriété exclusive de la Chine de l'information électronique Group Co., Ltd) appartenant à la société de semi-conducteurs en utilisant le modèle d'affaires sans usine, qui sont spécialisés de design, de développement et professionnels de la vente une puce de circuit intégré, fournissant affichage puce IC et des solutions système, directeur général adjoint de China Electronics et président de semi-conducteurs Chen Xu Hua, a déclaré: « Salomon Systech (China) Co., Ltd est situé à Nanjing, Nanjing est toute la considération et la réponse le gouvernement du district de Jiangbei et la disposition clé dans l'industrie des circuits intégrés, ainsi que le développement futur de toute l'industrie à Nanjing un grand potentiel de développement ».
fin TSMC 2015, TSMC a annoncé Nanjing Pukou zone de développement économique usine de fabrication de tranches de 12 pouces, avec un investissement total d'environ 3 milliards $. Le projet tombe rapidement la floraison. Mars 2016 a signé, enregistré en mai a commencé en Juillet de cette année, 9 l'usine de TSMC à Nanjing cérémonie le 12 mai tenue dans la machine. TSMC usine Nanjing construit actuellement l'usine pratiquement achevée, 16 équipements de nanomètre de Taiwan Tainan tranche de 12 pouces fab continuent d'arriver à Nanjing, Septembre capacité à forte densité installée devrait l'année prochaine pour ajouter officiellement et la seconde moitié d'une seule production de masse, peut produire environ 20 000.
Xin Quan En décembre 2016, le projet d'essai de semi-conducteurs Xinquan (Nanjing) IC Co., Ltd. a été officiellement signé avec la zone de développement économique Pukou, couvrant une superficie totale d'environ 80 acres et un investissement total de 135 millions pour le projet de soutien de TSMC. Le 1er avril se tiendra sur le terrain, achevé le 21 août, devrait être achevé en Novembre de cette année, la construction de salle blanche et d'essais d'équipement et mis en service, le produit initial sera la principale puce de communication mobile, un paquet de test jusqu'à 24 millions Plaquette de 12 pouces.
EGC société Services de conception de TSMC IC GUC également officiellement signé en Juillet de cette année à Nanjing, IC Design Center sera établi dans le district de Jiangbei. En vertu de l'accord, Taiwan GUC est une filiale en propriété exclusive sera mis en place dans le district de Jiangbei technologie industrielle Recherche et Innovation Park société avec un capital social de 10 millions de dollars américains, principalement engagés dans la conception de puces haut de gamme avec la technologie haut de gamme de pointe comme la direction principale des plans de développement dans les cinq ans de revenu d'entreprise de la société de plus de 500 millions de yuans
équipements de lithographie à puce ASML fournisseur ASML (ASML) 2017 Nanjing Direction officiellement ouvert ses portes à la mi-Août, Septembre Nanjing Direction fournira un processus de lithographie est importante usine de services complets de TSMC à Nanjing. Direction générale pour atteindre 750 pieds carrés y compris les ingénieurs et le service client construction, ingénieurs installés, les ingénieurs d'application, les ventes, la logistique, les ressources humaines et d'autres fonctions couvertes par l'équipe de 38 mètres mis en place des installations de bureau.
Spreadtrum Août 2016, Spreadtrum Communications, la signature officielle de la technologie industrielle de la recherche et de l'innovation Park, Nanjing Jiangbei District, la conception du parc, une filiale en propriété exclusive, avec un investissement total d'environ 298 millions $, est principalement responsable de la CPU, 5G, système terminal intelligent mobile et logiciel comme le contenu de base Les travaux de R & D en Novembre 2016, les communications Spreadtrum officiellement arrivé à Nanjing.
Vimicro Décembre 2016, établie à Nanjing à Nanjing haute technologie sens Zone Microelectronics Co., Ltd, comme une puce de réseau de capteurs R & D Center of Things Group, engagés dans des projets de recherche et de développement puce Bluetooth de faible puissance avec un investissement total de 150 millions $.
Foxconn 12 Septembre, 2017, Foxconn a annoncé la signature d'un accord d'investissement avec le projet Nanjing devrait investir 37.56 milliards de yuans à Nanjing, la construction du centre de fabrication de téléphones mobiles, le siège de fabrication de modules backend mobile, la fabrication de TV LCD intelligent et centre de R & D, des équipements de fabrication de semi-conducteurs, intelligent terminale centres de R & D, la logistique et la base de la chaîne d'approvisionnement de six grands projets, devrait investir 37.56 milliards de yuans, y compris les investissements dans des projets industriels liés IC-14,7 milliards de yuans dans le district Pukou à Nanjing se sont installés dans des sociétés bien connues également IC international américain, ARM, Code déco, Vimicro, Solomon Systech et une série de circuits intégrés entreprises liées à la chaîne, l'industrie ne sont pas énumérées dans le présent, Nanjing rassemblent des centaines d'entreprises ont progressivement la couverture puce de circuit intégré dans le design, la fabrication de plaquettes, l'emballage et les essais, Fabrication de terminaux et une série de liens, un cluster de la chaîne industrielle complète est sur le point de se former.
Cette photo montre la commande électronique internationale en septembre, n'incluant pas Cadence et Synopsys.
Nanjing est en train de devenir la «ville des puces chinoises». Promotion de l'investissement à Nanjing
4. La nouvelle technologie peut être imprimée sur le tissu des circuits intégrés;
Définir un message pico, les chercheurs ont réussi à circuit lavable, souple et de bonne perméabilité électronique imprimée sur le tissu, ouvrir de nouvelles possibilités pour les textiles intelligents et dispositif électronique portable. Circuit tel est composé de bon marché, sûr et en encres écologiques, utiliser la technologie jet d'encre ordinaire pour imprimer. les résultats publiés dans le magazine « Nature » communications (communications Nature).
chercheurs et collègues Université de Cambridge en Italie et en Chine à coopérer dans ce domaine, et ont démontré des encres et autres matériaux à deux dimensions graphène (une forme de carbone en deux dimensions) sont imprimés directement sur le tissu pour former des circuits intégrés processus. ce nouveau dispositif électronique au moyen de la technologie à jet d'encre du textile à faible coût, en utilisant des techniques de traitement standard et production. les tissus confortables, peuvent être lavés dans la machine de lavage normal de 20 fois.
Au début du monde universitaire ont recette pour l'encre de matériel électronique imprimé graphène été développé sur cette base, l'équipe de conception d'encre bas point d'ébullition, peut être imprimé directement sur le tissu de polyester. En outre, les membres de l'équipe ont également trouvé, ajuster le degré de rugosité de fibre peut être des propriétés améliorées de l'appareil d'impression. par ce procédé, les chercheurs ont fait qu'un seul transistor, mais aussi de concevoir un des composants de circuits intégrés actifs et passifs combinés.
La plupart des appareils électroniques portables actuels reposent sur des composants électroniques montés sur une matière plastique rigide, en caoutchouc ou en textile. Dans la plupart des cas, la compatibilité de ces dispositifs est très pauvre et la peau, peuvent être endommagés pendant le nettoyage, et parce que l'imperméable aux gaz Et porter à la somatosensoriel.
« Autre encre utilisée pour imprimer des appareils électroniques contiennent souvent des solvants toxiques, ne convient pas de porter notre encre est non seulement pas cher, sûr, respectueux de l'environnement, et tout autre matériau à deux dimensions imprimé sur le tissu, il peut être combiné dans un circuit électronique, Le premier auteur de l'article, le Dr Felice Torrisi de Cambridge Graphene Center, a déclaré.
« La technologie d'impression textile numérique a depuis des décennies, peut être un colorant simple, imprimé sur le tissu, mais notre étude est la première à prouver que la technologie peut également être imprimé sur l'ensemble des textiles électroniques de circuits intégrés. » D'autres au papier un auteurs ont dit. « Même si nous sommes juste une démonstration très simple du circuit intégré, mais le processus est évolutif, sur le développement technique des dispositifs électroniques portables, en termes de complexité et de la performance, il n'y a pas d'obstacle fondamental "
Les originaux imprimés sont flexibles et lavables, ce sont les exigences les plus élémentaires pour l'électronique portable.
La recherche ouvre plusieurs opportunités d'affaires pour les encres de matériaux 2D, y compris les technologies personnelles de santé et de bien-être, l'acquisition et le stockage de l'énergie portable, les uniformes, l'informatique portable et plus encore.
« Les fibres textiles deviennent des composants électroniques fonctionnels, qui ouvre une nouvelle gamme de soins de santé de l'application des choses à. » Dit Torrisi. « Merci la nanotechnologie, les textiles à base de dispositifs électroniques futurs sur nos vêtements, Comme un moniteur ou un capteur, et interagir avec lui. "
L'utilisation de graphène et d'autres encres 2D connexes pour fabriquer des composants et des équipements électroniques et pour les combiner avec des tissus et des textiles est essentielle au développement de nouvelles technologies dans l'industrie textile intelligente.
5. J'ai préparé un nouveau matériau avec un fort effet de couplage magnéto-électrique;
La science et la technologie Nouvelles quotidiennes (journaliste Yuhui Vous) propriétés magnétiques et électriques du matériau sont dans le même système deux fonctions de base de la façon dont les sexes électriques et magnétiques « intégrés », et pour parvenir à la régulation des champs magnétiques et électriques des deux propriétés est l'avenir de pointe Dispositifs électroniques multifonctionnels direction de recherche importante.
Longue Institut de l'équipe Physique wen par une pression unique de haute température et dispositif expérimental développé indépendamment, première synthèse en phase unique du monde du nouveau matériau multiferroïques BiMn3Cr4O12 ont également une grande polarisation et l'effet de couplage magnétique est de développer la prochaine génération de stockage d'informations, processeurs de signaux micro-ondes accordables, des capteurs magnétiques ultra-sensibles, transducteurs magnétiques, etc. pose un esprit positif potentiel. les résultats récemment publiés dans le Journal des matériaux de renommée internationale « matériaux avancés », une période où la couverture des principales recommandations Progrès scientifique
Les dispositifs d'enregistrement / de stockage magnétique semi-conducteurs largement utilisés tous les jours, généralement « seul » en utilisant les propriétés électriques ou magnétiques du matériau. En même temps, laisser le matériau comprenant amphotère magnétique théoriquement être obtenue en combinant plusieurs matériaux de fer magnétique. Cependant, Le matériau multi-fer monophasé existant ne peut pas avoir à la fois une grande polarisation électrique et un puissant effet de couplage magnéto-électrique, ce qui entrave grandement son application potentielle.
Long ont document décrit la préparation de ces matières dans le passé, généralement réalisée dans des conditions atmosphériques. Cette fois-ci, l'équipe au-delà de la limite conventionnelle, haute pression et la température à l'aide d'un dispositif expérimental unique construit par nous-mêmes, dans des conditions expérimentales extraordinaires jusqu'à 80.000 atmosphères, La première préparation réussie d'un nouveau matériau multi-fer BiMn3Cr4O12.
Dans ce système, l'introduction des ions bismuth trivalent, l'induit à des températures élevées avec de grandes électrodes de la transformation de phase ferroélectrique. Lorsque la température diminue, le chrome trivalent, des ions manganèse ont formé une structure d'ordre magnétique magnétique à longue portée respectivement induire un premier type et un deuxième fer à phases multiples types. ces deux types de fer coexistant à phases multiples rare, de sorte que le matériau d'électrode à la fois du grand et fort effet de couplage magnétique. Dans le même temps, peut également être contrôlée individuellement du nouveau matériau à deux Une phase ferroélectrique, pour atteindre la conversion de l'état de l'électrode de quatre-fer, comme le stockage polymorphique possible.
6. Les savants chinois pour réaliser le cristal atomique bidimensionnel double jonction pn verticale grande zone contrôlable préparation
Set pico, selon le rapport de l'Université du Hunan, au cours des dernières années, en raison de ses structures semi-conductrices en couches nouvelles en deux dimensions et des propriétés physiques, il a montré un grand potentiel à appliquer au système intégré électronique et opto-électronique de nouvelle génération. Par rapport aux deux simples matériau dimensionnelle, hétérojonction ayant un matériau stratifié à deux dimensions en raison des interfaces abruptes épaisseur de couche atomique, et peut être réglé, cependant, des études avec structure de réseau classique, mieux adapté pour réaliser l'intégration sur le multi-puce attiré une grande attention. restant la plupart du temps méthode de pelage mécanique puis obtenu une hétérojonction pile verticale, et cette méthode parce que la dimension forme obtenue hétérojonction non contrôlée, limite considérablement son développement d'applications futures. en comparaison, par directe Cependant, la croissance directe d'hétérojonctions verticales en deux dimensions de grande taille, de haute qualité, à couches atomiques, en particulier l'hétérogénéité pn Les résultats sont toujours un gros problème pour la communauté scientifique.
Récemment, des micro-dispositifs et informations nano Professeur Systèmes Pan Research Center, la pratique Université du Hunan ont mené des matériaux nanophotonique et dispositifs équipe d'étude croisée contrôlée ont utilisé une technique de dépôt chimique en phase vapeur, la première fois WSe2 / SnS2 bicouches millimétriques macroscopiques hétérojonction pn verticale contrôle la production et réalisés dans des dispositifs opto-électroniques intégrés à haute performance. le résultat est une nouvelle percée importante dans les deux dimensions de recherche photovoltaïque cristalline atomique, et à la croissance épitaxiale Van der Waals et Optoelectronics de grande échelle WSe2 / SnS2vertical bicouches jonctions p-n pour le titre dans la revue internationale top « Nature • communication » (communication Nature, IF = 12,124) a été publié, le premier auteur de l'étude, le professeur d'orientation Pan et la formation des étudiants au doctorat et Yangtie Feng yuans Zheng Bute.
Dans ce travail, les chercheurs utilisant la méthode avancée de dépôt chimique en phase vapeur thermique en deux étapes, basée sur une compréhension profonde du processus de croissance, pour atteindre une grande surface d'amende unique - croissance unique contrôlable, est de loin le plus grand WSe2 dimension transversale / SnS2 pn vertical production de cristal à double hétérojonction à hétérojonction atteint millimètres. les chercheurs ont également sur une grande surface à deux dimensions hétérojonction pn, conçu et construit de trois types différents de dispositifs , en caractérisant trouvée, le mode parallèle-série dispositif à hétérojonction a montré une très faible courant de fuite (~ de 10-14A) et un rapport élevé de commutateurs à transistor (107), tout en présentant d'excellentes caractéristiques de photoréponse, un certain nombre de les indicateurs de performance supérieurs ont été rapportés. temps de réponse laser 520nm est d'environ 500 microsecondes, doit faire rapport sur toute hétérojonction pn verticale développée directement, même mieux que la plupart formation de métastases hétérojonction de pelage mécanique. de plus en deux dimensions sur la même grande taille pour atteindre les trois différentes performances du dispositif à hétérojonction peut être choisi en fonction de l'utilisation spécifique de l'appareil correspondant dans les futurs besoins d'utilisation, pour obtenir un sens de l'intégration sur. la projection de la technologie La prochaine étape sera de construire de nouveaux dispositifs opto-électroniques intégrés et des systèmes matériels à deux dimensions pour jeter les bases.
Ce travail a été soutenu par la Fondation nationale exceptionnelle de la jeunesse, la Fondation nationale des sciences naturelles de la Chine et de Hunan, la science et la technologie prévoit de se concentrer sur des sujets tels que le soutien du projet, et Hu Wei de Shanghai Institut de l'équipe de physique technique, l'équipe de soutien et de l'Université de Nanjing, Miao Feng SUN équipe Litao de l'Université du Sud-Est.