【重磅】赵伟国:计划发起成立中国集成电路股份有限公司

1.赵伟国:计划发起成立「中国集成电路股份有限公司」; 2.趁火打劫,紫光成Dialog最大股东; 3.紫光105亿美元项目建设在即, 巨头云集南京芯片之都崛起; 4.新技术可将集成电路印在布料上; 5.我制备出强磁电耦合效应新材料; 6.中国学者实现二维原子晶体双层垂直pn结大面积可控制备

集微网推出集成电路微信公共号: '天天IC' , 重大新闻即时发布, 天天IC, 天天集微网, 积微成著! 复制 laoyaoic 微信公共号搜索添加关注.

1.赵伟国:计划发起成立「中国集成电路股份有限公司」;

紫光集团董事长赵伟国指出, 中国发展芯片制造产业已有三大纵深: 市场, 资本及人才, 紫光未来十年至少将投资1,000亿美元, 以坐十年冷板凳的战略耐力, 证明「韩国人, 日本人能干成的事情, 中国人也一定能干成」.

但他也坦言, 面对如此庞大的投资, 「确实资金还不足」. 除获得大陆官方基金, 国家开发银行, 中国进出口银行等金融机构支持外, 紫光也在多方位筹措资金, 包括设立各种基金, 并计划发起成立「中国集成电路股份有限公司」.

经济日报提供

赵伟国接受最新一期英才杂志专访时透露, 紫光集团将循「三星模式」重塑全球存储芯片产业格局, 存储芯片最先由美国IBM, 英特尔, 德州仪器研发生产, 美光后来居上. 日本尔必达一度辉煌, 但已于2012年破产, 东芝芯片也出售给以贝恩资本为首的财团.

如今韩国三星, SK海力士成为绝对的「领头羊」, 三星更因DRAM内存, NAND Flash内存价格上涨, 今年将超越苹果成为全世界最赚钱的公司. 赵伟国说, 可见, 存储芯片领域并非某个国家可以永久处于不败之地.

赵伟国表示, 1983年, 三星集团创始人李秉喆宣布进军半导体产业, 准备以1,000亿韩元执行这项计划. 三星顶住日本企业的技术封锁和低价倾销, 期间承受高达3亿美元亏损, 而韩国政府则举全国之力, 为其提供研发费用支持.

经过近十年鏖战, 三星于1992年超越日本NEC, 成为全球最大DRAM存储制造商, 并在此后25年连续蝉联世界第一. 如今三星市占率超过60%.

赵伟国说: 「三星经历的一切都值得学习和总结, 紫光要借鉴三星的发展经验, 成为一个以芯片和云网为主导业务的综合性科技财团. 这样, 紫光才有可能完成振兴中国集成电路产业的大业. 」

赵伟国4日在第四届世界互联网大会上也提到, 中国每年进口芯片超过全球产值的三分之二, 今年进口总额估计将超过2,500亿美元, 可能是石油进口额的两倍, 这就是中国巨大的市场纵深.

此外, 中国目前积蓄了仅次于美国的雄厚资本, 这就是资本纵深; 中国每年毕业700多万名大学生和近百万名研究生, 博士生, 这是海量的人才纵深.

赵伟国指出, 半导体行业巨头们基本保持每年超过100亿美元的投资节奏. 「没有足够筹码, 或者跟不上节奏的只有弃牌不玩. 」因此, 「紫光未来十年在芯片制造产业上投资1,000亿美元是一个基本数字, 相当于平均每年投入100亿美元. 」 经济日报

2.趁火打劫,紫光成Dialog最大股东;

集微网消息, 路透社 5日报导, 紫光旗下公司在11月30日戴乐格半导体有限公司(Dialog Semiconductor plc) 股价因日经新闻报导而重挫时进场加码, 使得累计持股比例提高至7.15%(注: 达到7%的强制申报门坎), 进而成为戴乐格的最大股东. 消息人士透露, 紫光旗下投资公司手中多数的戴乐格股票是在今年稍早透过公开市场买进.

戴乐格12月5日上涨3.50%, 收24.53欧元; 过去一年跌幅缩小至31.28%.

根据戴乐格在12月4日发布的公告, 紫光科技战略投资有限公司持有戴乐格6.89%股权, 紫光集团有限公司之间接全资附属公司「紫光集团国际有限公司持有0.26%股权.

戴乐格12月4日发布新闻稿表示, 目前仍是最大客户苹果的电源管理芯片主要供货商. 尽管如此, 戴乐格坦承苹果有资源与能力可以自行设计PMIC.

业界人士表示, 由于iPhone PM IC仰赖Dialog比重过高, 苹果内部早就想要降低对于单一供应商的采购比重, 不过2018年苹果生产计划大多底定, 因此苹果自行设计的电源管理IC估计要到2019年新机种才会导入, 而初步苹果也不至于完全舍弃Dialog芯片, 但是确定将会大幅降低比重.

2016年, Dialog超过70%的营收来自苹果. 最近几年, Dialog也曾试图降低对苹果和其他几家智能手机的依赖. 例如, 2014年试图与奥地利传感器芯片厂商Ams AG合并, 2015年试图收购Atmel, 但均以失败告终.

手机中国联盟秘书长王艳辉表示, 展讯通信和Dialog正考虑在国内成立一家合资企业, 共同开发LTE芯片平台. 鉴于双方紧密的业务合作关系, 一旦未来Dialog与苹果合作遇阻, 为Dialog与紫光的合作提供了很大的想象空间.

戴乐格总部设在伦敦, 股票在法兰克福交易所挂牌, 目前为德国TecDax指数成分股.

英国GPU IP大厂Imagination Technologies Group PLC 4月3日表示, 最大客户苹果告知将在15个月至两年内停止使用集团的知识产权. Imagination的GPU IP广泛应用于苹果手机, 平板, iPod, 电视机上盒以及手表. Imagination Technologies 4月3日当天股价暴跌61.6%.

紫光6月23日发布声明时表示, 紫光集团及下属企业曾经持有的Imagination Technologies的股票已全部售出.

今年9月22日, Imagination Technologies Group PLC董事会宣布接受凯桥(Canyon Bridge Capital Partners, LLC)新成立全资子公司CBFI Investment Limited所提出的每股182便士现金收购价格, 总金额为5.5亿英镑.

3.紫光105亿美元项目建设在即, 巨头云集南京芯片之都崛起;

总投资达105亿美元的 '紫光南京集成电路基地项目 (一期)' , 近期正式环评公示. 全球半导体巨头正在云集南京, 南京距离 '芯片之都' 再进一步.

总投资300亿美元, 紫光集团航母级项目南京启动

2017年2月, 紫光南京半导体产业基地和紫光IC国际城项目正式落户江北新区. 这是紫光集团继2016年12月30日武汉长江存储项目开工后又一 '航母级' 项目. 12月4日, 江苏省环保厅对 '紫光南京集成电路基地项目 (一期)' 进行环评公示. 紫光集成电路产业基地项目由紫光集团投资建设, 占地面积约1500亩, 总投资超300亿美元. 项目一期月产芯片10万片, 将有力地支撑中国在主流存储器领域的跨越式发展. 此外, 紫光集团还将投资约300亿元人民币建设配套IC国际城. 项目达产后, 其产值将达150亿美元.

据悉, 紫光南京集成电路基地项目建设地址位于: 南京浦口区江北新区桥林新城, 紫峰路以西, 林中路以北, 听莺路以南, 云杉路以东. 在基地内, 将新建12英寸半导体储存芯片生产厂房及辅助配套设施, 项目建成后产能为120万片/年 (100K片/月) , 项目总投资约105亿美元. 从年初签约到即将动工, 紫光南京集成电路基地一期有望在明年年底前建成.

半导体巨头云集南京 千亿产业集群近在咫尺

统计数据显示, 去年南京市集成电路产业主营业务收入的增幅超过20%, 在七大类14个重点领域战略性新兴产业中, 增幅排第二位. 在未来几年, 随着重量级项目的建成投产, 南京将一举挺进全国集成电路重点城市第一方阵. 预计到2020年, 南京浦口区将形成百亿级龙头企业为引领, 集聚上下游企业200家以上, 从业人员超过2万名, 产业规模突破1000亿元的集成电路产业群.

台积电南京工厂施工现场. 南京日报/图 EDA巨头齐落户

Cadence11月13日, 电子设计自动化 (EDA) 与半导体知识产权 (IP) 的领先供应商美国楷登电子Cadence与南京市浦口区人民政府正式签署战略合作备忘录以及投资协议, 宣布在南京江北新区成立新本土化公司. 重点在IP和系统设计服务, 投资额将超亿元人民币, 5年内员工人数超500人.

Cadence总裁兼首席执行官陈立武先生表示, Cadence之所以选择南京, 可谓是天时地利人和. 其中天时指大基金, 地利指南京方便的交通, 人和指人才.

Synopsys11月10日, 全球最大的芯片设计自动化企业美国新思科技 (Synopsys) 区域总部宣布落户南京江北新区, 预计今年底前完成企业注册. 省委常委, 市委书记张敬华会见新思科技中国董事长葛群一行, 并表示新思科技区域总部的落户, 必将进一步推动江北新区集成电路产业链的打造和延伸. 葛群表示, 南京区位优势明显, 科教优势和产业基础好, 是区域总部的最佳选择, Synopsys将在南京进一步集聚资源, 与产业链其他环节的龙头企业一起, 努力将江北新区打造成国内集成电路产业的发展高地.

华大九天早在去年11月, 全球排名第4的EDA公司华大九天已宣布在南京高新区投资成立南京九芯电子科技有限公司, 并签约华大九天南京EDA研发中心以及互动电视应用运营项目, 晶元探针设计研发及生产项目, 电力通信芯片及模块的开发生产项目, 灵动微电子项目等. Synopsys, Cadence, Mentor被并称为EDA全球三大巨头, 加上华大九天, 如今全球知名EDA公司南京已集齐3家.

其它企业除了以上新近落成的公司, 目前南京江北新区已聚集上百家集成电路企业, 下面我们一起回顾一下还有哪些:

晶门科技同为11月10日, 与原南京高新区于2017年初签署共建协议的晶门科技也举行了南京科技中心开幕仪式.

晶门科技于1999年成立, 为华大半导体 (华大半导体是中国电子信息集团有限公司的全资子公司) 旗下半导体公司, 采用无晶圆厂的经营模式运作, 专门设计, 开发及销售专有集成电路芯片, 提供显示器集成电路芯片及系统解决方案. 中国电子副总经理及华大半导体董事长陈旭表示: '将晶门科技 (中国) 有限公司落户南京, 正是充分考虑和响应南京市政府和江北新区在集成电路产业的重点布局, 以及将来整个产业在南京发展巨大的发展潜力. '

台积电2015年底, 台积电宣布将于南京浦口经济开发区建设12吋晶圆厂, 总投资约30亿美元. . 该项目神速落地开花. 2016年3月签约, 5月注册, 7月动工, 今年9月12日台积电南京厂举行进机典礼. 台积电南京厂目前厂房建置大致完成, 16纳米设备已从台湾南科12吋晶圆厂陆续运抵南京, 9月开始密集装机, 预计明年正式对外接单并于下半年量产, 月产能约2万片.

欣铨2016年12月, 欣铨 (南京) 集成电路有限公司半导体测试项目与浦口经济开发区正式签约, 为台积电配套项目, 总占地面积约80亩, 总投资为1.35亿美元. 该厂今年4月1日举行动土, 8月21日完成上梁, 预计今年11月完成洁净室建设和设备测试并搬入投产, 初期产品将以手机用通讯晶片为主, 一期年测试封装达24万片12吋晶片.

创意电子台积电的集成电路设计服务公司创意电子也于今年7月正式签约落户南京, 将在江北新区设立集成电路设计中心. 根据协议, 台湾创意电子将在江北新区产业技术研创园设立全资子公司, 注册资金1000万美元, 主要从事以先进高端技术为主要发展方向的高端芯片设计, 计划5年内公司业务收入超过5亿元

ASML芯片光刻设备供应商阿斯麦 (ASML) 南京分公司2017年8月中旬正式开业, 南京分公司9月起将主要为台积电南京工厂提供光刻制程的全方位服务. 分公司实现750平方米办公设施的搭建和包括客户服务工程师, 装机工程师, 应用工程师, 销售, 物流, HR 等多职能覆盖的 38 人团队的组建.

展讯2016年8月, 展讯通信正式签约南京江北区产业技术研创园, 在园区设计全资子公司, 总投资约2.98亿美元, 主要承担以CPU, 5G, 移动智能终端系统及软件为核心内容的研发工作. 2016年11月, 展讯通信正式入驻南京.

中星微2016年12月, 在南京高新区成立南京中感微电子有限公司, 作为集团的传感网物联网芯片研发中心, 从事低功耗蓝牙芯片的研发, 项目总投资1.5亿美元.

富士康2017年9月12日, 富士康宣布与南京签署项目投资协议, 预计在南京投资375.6亿元, 建设手机制造中心, 手机后段模块制造总部, 液晶智能电视制造及研发中心, 半导体设备制造, 智能终端研发中心, 物流供应链基地等六大项目, 预计投资375.6亿元, 其中包括在浦口区投资147亿元的集成电路相关产业项目. 在南京落户的知名企业还包括美国国际集成电路, ARM, 德科码, 中星微, 晶门科技等一系列集成电路产业链相关企业, 就不在一一列举. 目前, 南京聚拢的上百家集成电路企业中已逐渐覆盖芯片设计, 晶圆制造, 封装测试, 终端制造等一系列环节, 一个完整的产业链集群即将形成.

此图为国际电子商情9月整理, 尚未包含Cadence和Synopsys.

如今的南京, 正在成为 '中国芯片之城' . 南京投资促进

4.新技术可将集成电路印在布料上;

集微网消息, 研究者们成功将可水洗, 可弯曲且透气性好的电子电路印在了布料上, 为智能纺织品和可穿戴电子设备开启了新的可能. 这种电路由廉价, 安全且环保的油墨制成, 使用普通喷墨打印技术即可打印. 该研究结果刊登在《自然通讯》 (Nature Communications) 杂志上.

剑桥大学的学者们与意大利和中国的同事在该领域展开合作, 并演示了将石墨烯 (一种二维形式的碳) 和其它二维材料构成的油墨直接印制在布料上形成集成电路的过程. 这种新型的纺织品电子设备藉助低成本的喷墨打印技术, 并使用标准的加工技术进行生产. 该布料穿著舒适, 可在普通洗衣机中水洗20次.

学术界早期曾经对用于印刷电子材料的石墨烯墨水的配方进行过开发, 在此基础上, 该团队设计了低沸点墨水, 可直接印刷在聚酯纤维织物上. 此外, 团队成员还发现, 调整纤维的粗糙程度能够改进被印刷的设备的性能. 通过这一过程, 研究者们不仅做出了单晶体管, 而且还设计出了结合主动和被动组件的集成电路.

目前的大多数可穿戴电子设备都依赖于安装在塑料, 橡胶或纺织品上的坚硬的电子原件. 多数情况下, 这些设备和皮肤的兼容性非常差, 在清洗时会被损坏, 并且因为不透气而穿上去体感不佳.

「其它用来打印电子设备的墨水通常包含有毒溶剂, 并不适合穿戴. 我们的墨水不仅廉价, 安全, 环保, 而且只需将不同的二维材料印在布料上, 就可以组合成为电子电路, 」该论文的第一作者, 来自剑桥石墨烯中心的Felice Torrisi博士说.

「数字纺织品印刷技术已经出现了几十年, 可将简单的染料印在织物上, 但我们的研究第一次证明, 该技术亦可将整个电子集成电路印在纺织品上. 」该论文的另一作者说. 「尽管我们演示的只是非常简单的集成电路, 但这一过程具有可扩展性, 在可穿戴电子设备的技术开发上, 就其复杂性和性能而言, 不存在根本性的障碍. 」

被印刷的原件可弯曲且可水洗, 这些是可穿戴电子设备最基本的使用要求.

该研究为二维材料油墨开创了若干商业机会, 包括个人健康和保健技术, 可穿戴能源采集和储存, 军装, 可穿戴计算等.

「将纺织纤维变成功能性的电子原件, 这开启了从医疗保健到物联网的一系列全新的应用. 」Torrisi说. 「感谢纳米技术, 将来我们的衣服上就有基于纺织品的电子设备, 比如显示器或传感器, 并能与之互动. 」

使用石墨烯和其它相关2D材料油墨来制造电子原件和设备, 并将其结合在布料和纺织品上, 这在智能纺织品行业的新技术开发上处于中心地位.

5.我制备出强磁电耦合效应新材料;

科技日报讯 (记者俞慧友) 磁性和电性是材料的两种基本功能属性. 如何将电, 磁两性 '集成' 到同一体系中, 并实现磁场与电场对两种属性的调控, 是未来先进多功能电子器件的重要研究方向.

中国科学院物理研究所龙有文团队, 通过自主研制的独特高压高温实验装置, 在世界上首次合成了同时具备大电极化和强磁电耦合效应的新型单相多铁性材料BiMn3Cr4O12. 这为开发下一代信息存储器, 可调微波信号处理器, 超灵敏磁电传感器, 磁电换能器等带来了潜在利好. 该成果近日发表于国际著名材料期刊《先进材料》, 成为当期内封面重点推荐的科学进展.

日常广泛使用的半导体与磁记录/存储器件, 通常只能 '单独' 利用材料的电学或磁学性质. 要让材料同时具备磁电两性, 理论上可通过合成磁电多铁性材料实现. 不过, 现有单相多铁性材料, 无法兼备大的电极化和强磁电耦合效应, 从而大大阻碍了其潜在应用.

龙有文介绍, 以往此类材料的制备, 通常在常压条件下进行. 此次, 团队突破常规限制, 利用自行搭建的独特高压高温实验装置, 在高达8万大气压的超常规实验条件下, 首次成功制备出新型多铁性材料BiMn3Cr4O12.

在该体系中, 三价铋离子的引入, 在较高温度下诱导出了具备大电极化的铁电相变. 随着温度降低, 三价铬, 锰磁性离子先后形成了长程磁有序结构, 分别诱导出第一类和第二类多铁相. 这两类多铁相的罕见共存, 让材料兼具了大电极化和强磁电耦合效应. 同时, 该新材料还可单独调控两个铁电相, 实现四重铁电极化态的转换, 为多态存储提供可能.

6.中国学者实现二维原子晶体双层垂直pn结大面积可控制备

集微网消息, 据湖南大学报到, 近年来, 二维层状半导体由于其新奇的物理和结构性质, 显示出具有应用于下一代电子与光电集成系统的极大潜能. 相较于单纯的二维材料, 二维层状材料的异质结由于具有原子层厚度的陡峭界面, 以及可调控的能带排列结构, 更适合实现多功能的片上集成, 引起了广泛关注. 然而, 现有的研究大多都停留在采用机械剥离再堆垛的方法得到垂直异质结, 而这种方法由于得到的异质结形状尺寸不可控制, 极大地限制了其未来的应用发展. 相比较而言, 通过直接生长的方法得到的异质结具有形状尺寸可控, 界面更加干净等优势, 更加具有应用的潜力. 但是, 直接生长大尺寸高质量的二维原子层状垂直异质结, 尤其是p-n异质结, 仍然是科学界的一大难题.

日前, 湖南大学微纳信息器件与系统研究中心潘安练教授领衔的纳米光子材料与器件交叉研究团队利用可控的化学气相沉积技术, 首次实现了宏观毫米尺寸的WSe2/SnS2垂直双层p-n异质结的可控制作, 并实现了在高性能集成光电器件上的应用. 该成果是新型二维原子晶体光电研究领域的重要突破, 并以 'Van der Waals epitaxial growth and optoelectronics of large-scale WSe2/SnS2vertical bilayer p–n junctions' 为题在国际顶级期刊《自然•通讯》(Nature Communications, IF=12.124)发表, 论文第一作者为潘安练教授指导的博士生杨铁锋和郑弼元.

在该项工作中, 研究者通过采用先进的两步热化学气相沉积方法, 基于对生长过程的深刻理解, 实现了精细的大面积单层-单层可控生长, 得到了迄今为止最大的WSe2/SnS2垂直单晶双层p-n异质结的制作, 异质结的横向尺寸达到了毫米量级. 研究者还在这个大面积二维p-n异质结上, 设计构建了三种不同类型的器件, 通过表征发现, parallel-series模式异质结器件显示出很低的漏电流 (~10-14A) , 以及很高的晶体管开关比 (107) , 同时显示出很好的光电响应特性, 多项性能优于已有报道的指标. 对520nm激光的响应时间约为500微秒, 超过已报到的所有直接生长的垂直p-n异质结, 甚至优于大多数机械剥离转移形成的异质结. 此外通过在同一个大尺寸二维异质结上实现了三种不同性能的器件, 在未来使用中可以根据具体使用需求选择对应的器件, 实现了一定意义上的集成. 该项技术突破将为下一步新型二维材料在集成光电子器件和系统的构建奠定基础.

该研究工作得到国家杰出青年基金, 国家自然科学基金和湖南省科技计划重点项目等课题支持, 并得到上海技术物理所胡伟达团队, 南京大学缪峰团队和东南大学孙立涛团队的支持.

2016 GoodChinaBrand | ICP: 12011751 | China Exports