Del mismo modo solamente que el diseño de circuito de puente completo utilizando dispositivos discretos ahorrar espacio en la placa 60%, PWD13F60 también aumentar la densidad de potencia de la aplicación final. Comercialmente disponible en un módulo de FET de puente completo generalmente doble FET de medio puente o de seis fases del producto, la PWD13F60 los cuatro MOSFET de potencia integrado, es especialmente elevado alternativas de eficiencia energética. a diferencia de estos otros productos, sólo una PWD13F60 para completar un diseño de puente completo de fase única, lo que hace que el MOSFET interna, ninguno ha estado inactivo. el nuevo puente completo El módulo se puede configurar de forma flexible como un puente completo o dos medios puentes.
BCD6s-Desconectado de alta presión proceso de fabricación STMicroelectronics, PWD13F60 integrado controladores de puerta del MOSFET de potencia y un brazo superior de conducción del diodo de arranque, los beneficios de este diseño es el de simplificar el diseño de la placa de circuito, para simplificar el proceso de montaje, ahorrar componentes externos. Los accionamientos de puerta están mejorado optimización consigue una alta fiabilidad de conmutación y baja EMI (interferencia electromagnética). el sistema de envasado también la protección cruzada de conducción y la función de bloqueo de protección de mínima tensión, ayudan a reducir aún más la huella, al tiempo que garantiza la seguridad del sistema.
Otras características incluyen bajo PWD13F60 ancha del voltaje de funcionamiento de 6,5 V, la flexibilidad de configuración y facilidad de diseño para maximizar ascensor. Además, el nuevo sistema también acepta señal lógica 3.3V-15V de entrada paquete pin, conectado al microcontrolador (MCU) , Procesador digital (DSP) o sensor Hall es muy fácil.
El PWD13F60 está disponible ahora con paquetes VFQFPN multi-isla con alta eficiencia térmica.