Мало того, что PWD13F60 экономит до 60% больше пространства на плате, чем аналогичная схема с полным мостом с дискретным дизайном устройства, но также улучшается конечная плотность мощности приложения. Полномостовые модули на рынке, как правило, представляют собой двойные полумосты FET или шесть полевых транзисторов, PWD13F60 объединяет четыре мощных МОП-транзистора и является особенно энергосберегающей альтернативой. В отличие от этих продуктов, для завершения однофазной полномостовой конструкции требуется только один PWD13F60, в результате чего ни один из внутренних МОП-транзисторов не работает. Модуль может быть гибко настроен как полный мост или два полумоста.
Используя технологию высоковольтного BCD6s-автономного производства STMicroelectronics, PWD13F60 объединяет драйвер ворот MOSFET и сверхмощный бутстрап-диод, который упрощает проектирование плат, упрощает сборку и экономит внешние компоненты. Оптимизированный для обеспечения высокой надежности коммутации и низких электромагнитных помех (EMI (электромагнитные помехи)), этот системный пакет обеспечивает защиту от перекрестной проводимости и защиты от пониженного напряжения для дальнейшего снижения нагрузки и обеспечения безопасности системы.
Другие функции PWD13F60 включают в себя широкие рабочие напряжения до 6,5 В, максимальную гибкость в гибкости конфигурации и простоту проектирования, а также логический вход 3,3 В-15 В на входных штырьках нового системного пакета для подключения к микроконтроллеру (MCU) , Цифровой процессор (DSP) или датчик Холла очень просты.
PWD13F60 теперь доступен с несколькими островными пакетами VFQFPN с высокой тепловой эффективностью.