Não só o PWD13F60 economiza até 60% mais espaço de placa do que um circuito de ponte total similar com design de dispositivo discreto, mas a densidade de potência final do PWD13F60 também está no mercado. Os módulos de ponte completa no mercado são normalmente duplas FET meio-pontes ou seis FETs, O PWD13F60 integra quatro MOSFET de potência e é uma alternativa especialmente eficiente em termos de energia. Ao contrário desses produtos, é necessário apenas um PWD13F60 para completar um projeto de ponte completa monofásica, deixando nenhum MOSFET interno inactivo. O módulo pode ser configurado de forma flexível como uma ponte completa ou duas meias pontes.
Utilizando o processo de fabricação BCD6s-Offline de alta tensão da STMicroelectronics, o PWD13F60 integra um driver de portão MOSFET de potência e um diodo de inicialização de topo, que simplifica o design da placa, simplifica a montagem e economiza componentes externos. Otimizado para alta confiabilidade de comutação e baixa EMI (interferência eletromagnética), este pacote do sistema possui proteção cruzada e de bloqueio de baixa tensão para reduzir ainda mais a pegada e garantir a segurança do sistema.
Outras características do PWD13F60 incluem tensões de operação amplas até 6.5V, flexibilidade máxima na flexibilidade de configuração e facilidade de projeto, além de entrada lógica 3.3V-15V nos novos pinos de entrada do pacote do sistema para conexão a um microcontrolador (MCU) , O processador digital (DSP) ou o sensor Hall é muito fácil.
O PWD13F60 está disponível agora com pacotes VFQFPN multi-ilha com alta eficiência térmica.