इसी प्रकार केवल पूर्ण पुल सर्किट असतत उपकरणों का उपयोग कर डिजाइन बोर्ड अंतरिक्ष 60% को बचाने की तुलना में, PWD13F60 भी अंतिम आवेदन के ऊर्जा घनत्व बढ़ाने के लिए। एक पूर्ण पुल FET मॉड्यूल आमतौर पर डबल आधा पुल FET या छह चरण उत्पाद में व्यावसायिक रूप से उपलब्ध, PWD13F60 चार एकीकृत शक्ति MOSFET, एक विशेष रूप से उच्च ऊर्जा दक्षता विकल्प है। इन अन्य उत्पादों के विपरीत, केवल एक PWD13F60 एक एकल चरण पूर्ण पुल के डिजाइन है, जो आंतरिक MOSFET, कोई भी निष्क्रिय रहा है बनाता है पूरा करने के लिए। नई पूर्ण पुल मॉड्यूल लचीलेपन एक पूर्ण पुल या आधा पुल दो के रूप में विन्यस्त किया जा सकता।
उच्च दबाव BCD6s-ऑफलाइन विनिर्माण प्रक्रिया STMicroelectronics, PWD13F60 एकीकृत शक्ति MOSFET गेट चालकों और एक ऊपरी बांह बूटस्ट्रैप डायोड ड्राइविंग, इस डिजाइन के लाभ, सर्किट बोर्ड डिजाइन आसान बनाने के लिए, विधानसभा प्रक्रिया को कारगर बनाने के लिए बाहरी घटकों को बचाने के। गेट ड्राइव कर रहे हैं सुधार अनुकूलन उच्च स्विचिंग विश्वसनीयता और कम ईएमआई (विद्युत चुम्बकीय हस्तक्षेप) हासिल की। पैकेजिंग प्रणाली भी पार चालन संरक्षण और undervoltage संरक्षण ताला समारोह, आगे, पदचिह्न को कम करने के लिए, जबकि प्रणाली सुरक्षा सुनिश्चित करने में मदद।
अन्य सुविधाओं (एमसीयू) 6.5V की कम PWD13F60 विस्तृत ऑपरेटिंग वोल्टेज, विन्यास लचीलापन और लिफ्ट को अधिकतम करने के डिजाइन में आसानी शामिल हैं। इसके अलावा, नई प्रणाली भी इनपुट पिन पैकेज 3.3-15V तर्क संकेत, माइक्रोकंट्रोलर से जुड़ा स्वीकार करता है डिजिटल प्रोसेसर (डीएसपी) या एक हॉल सेंसर बहुत आसान है।
PWD13F60 अब उच्च तापीय दक्षता वाले बहु-द्वीप VFQFPN संकुल के साथ उपलब्ध है।