De même que de la conception du circuit en pont intégral à l'aide de composants discrets enregistrer bord espace 60%, PWD13F60 améliorer également la densité de puissance de l'application finale. Disponible dans le commerce dans un module de FET en pont complet généralement le double FET demi-pont ou d'un produit à six phases, le PWD13F60 les quatre MOSFET de puissance intégré, est une alternative d'efficacité énergétique particulièrement élevé. Contrairement à ces autres produits, un seul PWD13F60 pour terminer une seule phase de conception pont complet, ce qui rend le MOSFET interne, aucun n'a été ralenti. le nouveau pont complet Le module peut être configuré de manière flexible comme un pont complet ou deux demi-ponts.
Procédé de fabrication haute pression BCD6s-Offline STMicroelectronics, les conducteurs de grille MOSFET de puissance intégré de PWD13F60 et un bras supérieur d'entraînement diode d'amorçage, les avantages de cette conception est de simplifier la conception de la carte de circuit, afin de simplifier le processus d'assemblage, à l'exception des composants externes. Les disques de grille sont l'amélioration de l'optimisation atteint une fiabilité de commutation élevée et une faible EMI (interférences électromagnétiques). le système d'emballage de protection également conduction croisée et la fonction de verrouillage de protection sous-tensions, aide à réduire davantage l'empreinte, tout en assurant la sécurité du système.
Les autres caractéristiques comprennent une faible PWD13F60 grande tension de fonctionnement de 6,5V, la flexibilité de configuration et la facilité de conception pour maximiser la portance. De plus, le nouveau système accepte également package broches d'entrée signal logique 3.3V-15V, connecté au microcontrôleur (MCU) , Processeur numérique (DSP) ou capteur Hall est très facile.
Le PWD13F60 est maintenant disponible avec des packages VFQFPN multi-îlots à haute efficacité thermique.