informó ETNews 4 Ri medios coreanos (ver esto), Samsung fábrica de semiconductores en Pyeongtaek Una planta, sala de dos plantas supuestamente limpia en el segundo piso en la etapa final de construcción, Samsung ordenó el primer lote de dispositivo flash 3D NAND, se estima la capacidad de producción inicial Por 10,000 grupos por mes.
Una planta baja de semiconductores tiene un restaurante y oficinas, menos espacio libre, sólo puede producir 100.000 conjuntos por los chips mes. Más espacio en el suelo, una capacidad mensual de 200.000 conjunto de fichas. En la segunda planta se divide en las alas este y oeste , ala Este grupo de producción esperada de 70.000 3D flash NAND y DRAM 30.000 juegos, 100.000 ala Oeste esperada grupo de producción de DRAM, órdenes de compra debe ser poco después de que el dispositivo de Samsung DRAM.
Se informó que si la velocidad de Samsung el ritmo de la inversión, y decidió poner en la segunda planta se utiliza para la producción de DRAM, DRAM exceso de oferta puede, por el precio hasta que rechazar a personas en la industria dijo que la inversión de Samsung depende del precio de la velocidad de la memoria; sólo eso, la planta de Samsung Xi'an También puede haber inversión aumentará (debe NAND flash), espera que comience a finales de 2018 o 2019.
Esta noticia puede adversamente Micron. Analista de Morgan Stanley expresó antes, aunque NAND precios de inflamación inferiores, DRAM sigue siendo un punto brillante, Micron apoyará el precio de la acción. Barron 1 informe Ri (Barron), analista de Morgan Stanley Joseph Moore informó, NAND Micron proporción operativo representó menos de 1/3, Morgan Stanley ve palo de precios NAND caerán, pero debido a los precios de DRAM estables, Micron es aún considerable margen de crecimiento en los ingresos, la reciente presión de regreso es las oportunidades de entrada.