ETNews 4 médias Ri-coréen rapporté (voir ceci), l'usine de semi-conducteurs Samsung à Pyeongtaek une usine, deux étages aurait chambre propre au deuxième étage dans les dernières étapes de la construction, Samsung a ordonné le premier lot de dispositif flash NAND 3D, on estime la capacité de production initiale 10.000 ensembles par mois.
Une usine de semi-conducteurs au sol possède un restaurant et des bureaux, moins d'espace libre, ne peut produire 100.000 ensembles par des puces mois. Plus d'espace au sol, une capacité mensuelle de 200 000 ensemble de jetons. Au deuxième étage est divisé en deux ailes est et ouest , la production est prévu Wing 70000 groupe flash NAND et DRAM 3D 30.000 jeux, 100 000 groupe de production West Wing prévu DRAM, les commandes d'achat devrait être peu après appareil Samsung DRAM.
Il a indiqué que si la vitesse Samsung le rythme de l'investissement, et a décidé de mettre au deuxième étage utilisé pour la production de DRAM, l'offre excédentaire DRAM peut, par le prix jusqu'à refuser des gens dans l'industrie a déclaré que l'investissement de Samsung dépend du prix de la vitesse de la mémoire, mais seulement que, usine Samsung Xi'an peut également être Va investir dans la production (devrait être flash NAND), prévu en 2018 ou 2019 début.
Ces nouvelles peuvent négativement Micron. Morgan analyste Stanley exprimé avant, même si les prix flash NAND basse, DRAM est toujours une tache lumineuse, Micron soutiendra le cours de l'action. Barron (Barron) 1 rapport Ri, analyste chez Morgan Stanley Joseph Moore a rapporté, NAND proportion micron d'exploitation ont représenté moins de 1/3, bâton Morgan Stanley voit les prix NAND vont baisser, mais parce que les prix des DRAM stables, micron reste une marge pour la croissance des revenus, le récent recul est les possibilités d'entrée.